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【課題】環境負荷が小さく、歪量が大きい液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層70と圧電体層70に設けられた電極60,80とを具備する圧電素子300を備え、圧電体層70は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、圧電体層70に駆動電圧Vを印加したときの変位量をZmax、その後印加電圧を0Vにしたときの変位量をZとしたとき、(Zmax−Z)/Vが70pm/V以上且つ比誘電率が700以下である。 (もっと読む)


【課題】環境負荷が小さく且つ新規な手法により比較的小さな電界で大きな圧電歪を得ることができる液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層70と、圧電体層70に電界を印加する電極60,80と、を具備する圧電素子300を備えた液体噴射ヘッドIであって、圧電体層70は、引張り応力により菱面晶から単斜晶へ変化しており、駆動時において、電界を印加することにより圧電体層70が単斜晶から菱面晶へ変化する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い(例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い)という問題をはじめとして、PZT層から酸化物導電体層にPb原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター20は、チャネル層28と、チャネル層28の導通状態を制御するゲート電極層22と、チャネル層28とゲート電極層22との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層25とを備え、ゲート絶縁層(強誘電体層)25は、PZT層23と、BLT層24(Pb拡散防止層)とが積層された構造を有し、チャネル層28(酸化物導電体層)は、ゲート絶縁層(強誘電体層)25におけるBLT層(Pb拡散防止層)24側の面に配置されている。 (もっと読む)


【課題】機能性デバイスの高性能化、又はそのような機能性デバイスの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を提供する。
【解決手段】機能性デバイスの製造方法は、型押し工程と、機能性固体材料層形成工程を含む。型押し工程では、機能性固体材料前駆体溶液を出発材とする機能性固体材料前駆体層に対して型押し構造を形成する型を押圧している間の少なくとも一部の時間においてその機能性固体材料前駆体層に対して熱を供給する熱源の第1温度がその機能性固体材料前駆体層の第2温度よりも高くなるように、その機能性固体材料前駆体層に対して型押し加工を施す。また、機能性固体材料層形成工程では、型押し工程の後、酸素含有雰囲気中において、機能性固体材料前駆体層を前述の第1温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、機能性固体材料前駆体層から機能性固体材料層を形成する。 (もっと読む)


【課題】無電源で加わった衝撃を検知し、記録することができ、しかも小型化を図り得る衝撃検知・記録装置を提供する。
【解決手段】衝撃検知・記録装置1は、衝撃による機械的エネルギーを電気エネルギーに変換し出力する圧電素子4を有する衝撃センサ2に並列に強誘電体メモリ3が接続されており、強誘電体メモリ3が、強誘電体層を介して対向する第1,第2の電極を有し、強誘電体メモリ3が衝撃が加わった際に圧電素子が変位する部分以外の衝撃センサ部分に一体化されている。 (もっと読む)


【課題】強誘電体材料層の電気特性をより一層向上させることが可能な強誘電体材料層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の1つの強誘電体材料層の製造方法は、基材上にゾルゲル溶液を塗布することにより、強誘電体材料の前駆体層を形成する強誘電体材料前駆体層形成工程と、その前駆体層を120℃〜250℃の範囲内にある第1温度で乾燥させる乾燥工程と、その前駆体層を第1温度よりも高く、かつ、150℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前述の前駆体層に対して型押し加工を施す型押し工程と、その前駆体層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、その前駆体層から強誘電体材料層を形成する強誘電体材料層形成工程とを、この順序で含む。 (もっと読む)


【課題】少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む前駆体溶液であって、水溶液とした場合にpHが7以上である前駆体溶液31を下電極20上に塗布し、塗布した前駆体溶液31を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する。圧電素子の製造方法は、圧電セラミックス30に電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液は、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンの部分アルコキシド(チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物)を含む。圧電セラミックスの製造方法は、前記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備える。圧電素子の製造方法は、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、前記圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】CMOS製造プロセスに用いることのできる材料を用いかつノイズマージンの広い不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の不揮発性メモリによれば、第1および第2のPチャネルトランジスタはそれぞれ第1の半導体領域上に設けられ、第1の半導体領域上に、第1の絶縁膜と、第1のフローティングゲート、第2の絶縁膜、第2のフローティングゲート、第3の絶縁膜、および第1の制御ゲートが、この順序で積層された構造を有し、前記第1および第2のNチャネルトランジスタはそれぞれ第2の半導体領域上に設けられ、前記第2の半導体領域上に、第4の絶縁膜、第3のフローティングゲート、第5の絶縁膜、第4のフローティングゲート、第6の絶縁膜、および第2の制御ゲートがこの順序で積層された積層構造を有している。 (もっと読む)


【課題】オン電流が少ないトランジスタを含むメモリセルと積層方向に延びるビット線により、低い製造コストで高速動作を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、例えば、記憶素子とその読み出し電流経路に挿入される第1のトランジスタとを含むメモリセルMCと、このメモリセルMCの一端に直接接続され、記憶素子の情報を伝送する第1のビット線LBLと、第2のトランジスタを含み第1のビット線LBLを介して伝送される記憶素子の情報を増幅する第1のアンプLSAとを備えている。第1のアンプLSAは基板L0に形成され、メモリセルMCは基板L0の上部の第1の層L1〜L8に形成され、第1のビット線LBLは積層方向に延びる配線構造を含んで形成される。第1のトランジスタのチャネル中のキャリアの移動度は、第2のトランジスタのチャネル中のキャリアの移動度よりも低い。 (もっと読む)


【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式(1)Sr1−xBaMnO(1≧x>0.4)・・・(1)で表されるマンガン酸化物である。単位格子1の対称中心には磁性イオンであるMnイオン3が存在する。単位格子1の対称中心をMnサイトとする。単位格子1が有する8個の頂点には、SrイオンおよびBaイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子1が有する頂点をSrサイト2とする。単位格子1が有する6面の面心には、Oイオン4が存在する。 (もっと読む)


【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、チャネル部を有する有機半導体膜と、ゲート電極と、前記チャネル部と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記チャネル部を第1の温度に加熱する工程と、前記第1の温度の前記有機半導体膜に、前記第1の温度よりも低い第2の温度の絶縁性ポリマーを含む液滴材料を配置し一定の方向に延ばす塗工工程により前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の構成材料の特性劣化を抑制しつつ、基板とゲート絶縁膜との界面の界面準位密度を効率的に低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板100上に、ゲート絶縁膜102とゲート電極103とを含むトランジスタを形成する。さらに、基板100上に1層の配線層110を形成する処理と、1層の配線層110を配線パターンに加工する処理を1回以上行うことにより、基板100上に、1層以上の配線層113,115を含む配線構造を形成する。さらに、基板100上に、1層以上の配線層113,115のうちの少なくとも1層の配線層110が配線パターンに加工された後に、基板100上にマイクロ波を照射して基板100のアニールを行う。 (もっと読む)


【課題】 不揮発記憶保持用途の電界効果トランジスタと、論理演算用途の電界効果トランジスタの製造工程を別々に設けることなく前記2用途の電界効果トランジスタを同一半導体基板上に同一構造に作製できるようにする。
【解決手段】 ゲート絶縁構造体12に記憶保持材料を含むnおよびpチャネル型電界効果トランジスタで半導体集積回路のメモリ回路とロジック回路の両方を構成し、ゲート絶縁構造体に記憶保持材料を含むnおよびpチャネル型電界効果トランジスタのゲート-基板領域間に印加する電圧の大きさと印加タイミングを制御することによって、論理演算状態と記憶書込み状態と不揮発記憶保持状態を電気的に切り替える。 (もっと読む)


【課題】経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない強誘電体キャパシタまたは高誘電率を有する誘電体キャパシタを提供する。比抵抗の増大なしに信頼性の高い配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板表面上に形成された電極を含み、前記電極が、配向性を有する導電体層からなり、前記電極に加え、
下式
M1xM21-x
M1:Au、Pt、Ir、Pd、Os、Re、Rh、Tu、Cu、Co、Fe、Ni、V、Cr
M2:Ta、Ti、Zr、Hf、W、Y、Mo、Nb
で表されるアモルファスまたは微結晶からなるバリア層を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】強誘電体材料層の電気特性(例えば、高残留分極特性、低リーク電流特性など。)をより一層向上させることが可能な強誘電体材料層の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより強誘電体材料となるゾルゲル溶液を準備する第1工程と、基材上に前記ゾルゲル溶液を塗布することにより、前記強誘電体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前記前駆体組成物層を120℃〜250℃の範囲内にある第1温度で乾燥させる第3工程と、前記前駆体組成物層を前記第1温度よりも高く、かつ、150℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前記前駆体組成物層に対して型押し加工を施す第4工程と、前記前駆体組成物層を前記第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前記前駆体組成物層から強誘電体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む強誘電体材料層の製造方法。 (もっと読む)


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