Fターム[5F083GA00]の内容
半導体メモリ (164,393) | 改善・改良の目的 (17,234)
Fターム[5F083GA00]の下位に属するFターム
Fターム[5F083GA00]に分類される特許
1 - 1 / 1
半導体装置およびその製造方法
【課題】トランジスタの駆動力を調整する。
【解決手段】SRAMアクセス領域SAにおけるN型のMISトランジスタの上に、圧縮応力含有絶縁膜50および引っ張り応力含有絶縁膜51を形成する。一方、SRAMドライブ領域SDにおけるN型のMISトランジスタの上に、引っ張り応力含有絶縁膜51を形成する。
(もっと読む)
1 - 1 / 1
[ Back to top ]