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Fターム[5F083JA16]の内容

半導体メモリ (164,393) | 材料 (39,186) | キャパシタ絶縁膜材料、ゲート絶縁膜材料 (10,102) | 酸化物系 (9,104) | 複酸化物 (3,106) | 層状化合物誘電体 (792)

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【課題】コンデンサなどに好適な、非常に薄くしても高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現する高誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】上記課題は、ペロブスカイト構造を有する酸化物ナノシートなどの高誘電体により構成される薄膜により達成される。 (もっと読む)


【課題】誘電体膜のクラック発生が抑制され、リーク電流特性に優れたキャパシタを有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上に窒化チタン膜を有する立体構造の下部電極を形成した後、下部電極の表面に誘電体膜を形成する。誘電体膜の表面に、誘電体膜が結晶成長しない温度で第一の上部電極を形成した後、誘電体膜が結晶成長する温度で熱処理し、誘電体膜の少なくとも一部を多結晶状態に変換する。この後、第一の上部電極表面に第二の上部電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の(111)面上または(100)面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ(001)、(101)または(111)の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する(ただし、(100)面上に、(001)の単一結晶配向を有する場合を除く)。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはFサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 (もっと読む)


【課題】 従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体装置71は基板55、絶縁体56、酸化タンタル膜66、強誘電体膜(STN膜)57、上部電極膜62を有している。
酸化タンタル膜66は強誘電体膜(STN膜)57を結晶化する際に下地となる。
酸化タンタル膜66は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜(STN膜)57の結晶と近似している。
そのため、酸化タンタル膜66上にSTNを結晶化すると、酸素欠損がなく、結晶粒径が100nm以下の強誘電体膜(STN膜)57が得られる。 (もっと読む)


【課題】強誘電体膜と絶縁膜との良好な界面を有し、メモリ特性の優れた半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】基板11上にゲート電極12、絶縁膜13、ソース、ドレイン電極15、16が形成され、さらに、絶縁膜13上には強誘電体膜14が形成されている。絶縁膜13と強誘電体膜14との界面が、電界効果トランジスタのチャネルをなし、強誘電体膜14の表面にもゲート電極17が形成されている。ゲート電極12、17は、強誘電体膜14の分極状態を制御する電圧が印加され、ソース、ドレイン電極15、16は、分極状態に応じてチャネルを流れる界面電流の大きさを検出する。そして、チャネルを形成する絶縁膜13及び強誘電体膜14の積層膜は、同一の元素からなる膜で構成されている。 (もっと読む)


【課題】
熱処理により、強誘電体膜の構成元素が蒸発する問題に対処する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成されたMOSトランジスタと、MOSトランジスタを覆う下部層間絶縁膜と、下部層間絶縁膜上方に形成され、キャパシタ下部電極と、キャパシタ下部電極上に形成された酸化物強誘電体膜と、酸化物強誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極と、を含む強誘電体キャパシタと、少なくとも、上部電極と酸化物強誘電体膜の露出した表面を覆う、還元性物質の透過を抑制する機能を有する第1絶縁性キャパシタ保護膜と、第1絶縁性キャパシタ保護膜を覆い、酸化物強誘電体の酸素以外の構成元素の内、少なくとも1つの元素を含む、蒸発補償膜と、蒸発補償膜を覆う、還元性物質の透過を抑制する機能を有する第2絶縁性キャパシタ保護膜と、を有する。 (もっと読む)


【課題】強誘電体素子の製造方法において、高価な基板を用いることなく、また複雑なプロセスを経ることなく、比較的低温で、結晶性及び結晶配向性に優れた強誘電体膜を成膜する。
【解決手段】Zrを含むシード層31と下部電極32とを順次成膜する工程(A)と、シード層31に含まれるZrを拡散させて、該元素を下部電極32の表面に析出させる工程(B)と、下部電極32上に強誘電体膜33を成膜する工程(C)とを順次実施する。この強誘電体素子を用いた強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ、また強誘電体素子を圧電素子として用いたインクジェット式記録装置を提供する。 (もっと読む)


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