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Fターム[5F083JA19]の内容

半導体メモリ (164,393) | 材料 (39,186) | キャパシタ絶縁膜材料、ゲート絶縁膜材料 (10,102) | シリコン窒化膜 (880)

Fターム[5F083JA19]に分類される特許

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【課題】メモリ素子の状態が良好なクロスポイント構造の分子メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る分子メモリ装置の製造方法は、第1方向に延びる複数本の第1配線を含む配線層を形成する工程と、前記配線層上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜上に第2方向に延びる複数本の第1絶縁部材を形成する工程と、前記第1絶縁部材の側面上に前記第1配線とは異なる導電材料からなる第2配線を形成すると共に、前記犠牲膜における隣り合う前記第1絶縁部材間であって前記第2配線間の直下域に相当する部分を除去する工程と、隣り合う前記第1絶縁部材間であって前記第2配線間に複数本の第2絶縁部材を前記配線層に接するように形成する工程と、前記犠牲膜を除去することによりギャップを形成する工程と、前記ギャップ内に、前記第1配線及び前記第2配線のうちの一方に結合し他方には結合しない分子材料を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 書き込み動作及び消去動作の両方の特性向上を図る。
【解決手段】 実施形態による不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜上に形成され、13族元素であるP型不純物を含有するポリシリコンからなり、下部膜13aと下部膜上に積層された上部膜13bとを有するフローティングゲート電極13と、フローティングゲート電極上に形成された電極間絶縁膜16と、電極間絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極17と、を具備し、上部膜におけるP型不純物の濃度又は活性化濃度は、下部膜におけるP型不純物の濃度又は活性化濃度より高い。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であり、高い電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極上の導電膜と、酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜の側面に接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース電極及びドレイン電極の上面の高さは、ゲート電極の上面の高さより低く、導電膜、ソース電極及びドレイン電極は、同一の金属元素を有する半導体装置である。また、ゲート電極の側面を覆う側壁絶縁膜を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
(もっと読む)


【課題】メモリセルの電荷蓄積層内での電荷の横方向の移動を抑制する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第1乃至第nの半導体層(nは2以上の自然数)12−1〜12−3と、第1乃至第nの半導体層12−1〜12−3をチャネルとする第1乃至第nのメモリストリングS1〜S3とを備える。第iのメモリストリング(iは1〜nのうちの1つ)Siは、第iの半導体層12−iの第3の方向にある表面上に、複数のメモリセルMCに対応する、複数の電荷蓄積層16及び複数のコントロールゲート18を備える。また、第iのメモリストリング内において、少なくとも第2の方向に隣接する2つのメモリセルMCの電荷蓄積層16が互いに結合される。そして、複数のコントロールゲート18間に、複数の電荷蓄積層16のバンドオフセットを上昇させる金属元素19が添加される。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】Inと、M1と、M2と、Znと、を含む酸化物材料であり、M1=13族元素、代表的にはGaであり、M2の元素は、M1の元素よりも含有量が少ない材料を提供する。M2としてはTi、Zr、Hf、Ge、Snなどが挙げられる。M2を含ませることで、酸化物半導体材料における酸素欠損の発生を抑制することができる。酸素欠損がほとんど存在しないトランジスタを実現できれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第1の金属膜および第1の金属膜上の第2の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第1の金属膜の側面と接し、第1の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第2の金属膜より第1の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第1の領域および第2の領域を有し、少なくともインジウム(In)を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第1の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第2の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のInの濃度が高く、界面から15nmの範囲で遠ざかるに従いInの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第1の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第2の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が1.0原子%以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置を、半導体層として機能する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の少なくとも酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、少なくともゲート電極と重畳する酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が1.1原子%以下の濃度で分布する領域を有する構造とする。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上を覆うように酸化物半導体層を成膜した後、ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を研磨により除去する。ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にLov領域を有するトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてg値が2.01で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてg値が1.93で信号を表さない半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性の向上を図る。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体層10上に、トンネル絶縁膜11を形成する。トンネル絶縁膜上に、浮遊ゲート電極となる第1導電膜12を形成する。第1導電膜、トンネル絶縁膜、および半導体層を加工することにより、溝15を形成する。溝内の下部側に、第1犠牲膜17を埋め込む。溝内の第1犠牲膜上に、その上面がトンネル絶縁膜の上面よりも高く、第1導電膜の上面よりも低くなるように、第1犠牲膜よりも高密度な第2犠牲膜18を形成する。第1導電膜上および第2犠牲膜上に、絶縁膜19を形成する。絶縁膜上に制御ゲート電極となる第2導電膜WLを形成する。第2導電膜を加工することにより、第2犠牲膜を露出する。第1犠牲膜および第2犠牲膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


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