Fターム[5F083JA36]の内容
半導体メモリ (164,393) | 材料 (39,186) | 電極材料、配線材料、バリア材料 (24,756) | Al、Al系合金 (2,881)
Fターム[5F083JA36]に分類される特許
2,881 - 2,881 / 2,881
半導体装置及びその製造方法
【課題】絶縁膜の埋め込み性が高く高集積化に適切に対応することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成した後、強誘電体キャパシタを覆うAl2O3膜を形成する。その後、Al2O3膜を覆う高密度プラズマ絶縁膜を、O2ガス及びSiH4ガスを用いて形成する。このとき、O2ガスの流量をSiH4ガスの流量の6乃至9倍とすると共に、半導体基板の温度を280℃乃至320℃とする。
(もっと読む)
2,881 - 2,881 / 2,881
[ Back to top ]