【課題】コンタクトの底部位置が高濃度不純物拡散層からはみ出すことを防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１００と、複数のメモリセルトランジスタ１と両端にそれぞれ１つずつ配置された選択トランジスタ２とからなるメモリセルアレイＣＡと、隣接する選択トランジスタ２間の前記半導体基板表面部に形成された拡散層１０と、選択トランジスタ２の対向する各側壁に形成された側壁膜１１と、側壁膜１１上に形成された側壁膜１４と、前記メモリセルトランジスタ間、前記メモリセルトランジスタと前記選択トランジスタの間、及び前記選択トランジスタ間を埋め込むように形成された絶縁層１２と、拡散層１０にコンタクトする導電層１０４と、を有し、前記導電層のコンタクト部のエッジが、選択トランジスタ２の側壁から、側壁膜１１、１４の合計膜厚以上の位置にある。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ下部電極の直下のコンタクトプラグの歩留まりが向上し、それ以外のコンタクトプラグの設計が容易になる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁膜８の第１のホール内８ａに形成された第１の導電性プラグ１０ａと、第１の絶縁膜８上に形成された酸化防止絶縁膜１１ａ及び下地絶縁膜１１ｂと、第１の絶縁膜８、酸化防止絶縁膜１１ａ、及び前記下地絶縁膜１１ｂに形成された第２のホール８ｂと、第２のホール８ｂ内に形成された第２の導電性プラグ１２ａと、第２の導電性プラグ１２ａに接続されたキャパシタQ₁と、キャパシタQ₁上に形成された第２の絶縁膜１８と、第１の導電性プラグ１０ａ上に形成された第３のホール１９ａと、第３のホール１９ａ内に形成された第３の導電性プラグ２１ａとを有する半導体装置による。 （もっと読む）