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Fターム[5F083NA01]の内容

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Fターム[5F083NA01]に分類される特許

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【課題】増加された集積度を有し且つ高密度で高速の3次元(抵抗性)半導体(メモリ)装置を、最小限のマスク工程数で提供する。
【解決手段】チャンネル領域によって分離された第1及び第2不純物領域を含む基板、前記第1不純物領域に接続するビットライン、前記第2不純物領域に接続する垂直電極、前記基板と前記ビットラインとの間に配置される水平電極の積層体、及び、前記積層体と前記基板との間に配置される選択ラインを含む。この時,前記選択ラインは平面形状及び平面位置において、前記水平電極の各々と実質的に同一であり得る。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリ部内蔵のSRAMの特性の向上を図る。
【解決手段】SRAMを構成するアクセストランジスタAcc1とビット線BLとの間に抵抗変化層Rを有するReRAM部RM1を設け、アクセストランジスタAcc2とビット線/BLとの間に抵抗変化層Rを有するReRAM部RM2を設ける。SRAM通常動作期間の終了時において、例えば、蓄積ノードAに低電位(L=0V)、蓄積ノードBに高電位(H=1.5V)が保持されている場合、ReRAM部RM1をオン状態(ON)とし、ReRAM部RM2をオフ状態(OFF)とすることで、SRAMの保持データをReRAM部へ書き込み、再び、SRAM通常動作となった場合には、蓄積ノードAおよびBに対応するデータ書き戻すとともに、ReRAM部RM1、RM2の双方をオン状態に(リセット)する。 (もっと読む)


【課題】セル面積の小さい不揮発性プログラマブルスイッチを提供する。
【解決手段】第1配線に接続される第1端子と第2配線に接続される第2端子と第3配線に接続される第3端子とを有する第1不揮発性メモリトランジスタと、第4配線に接続される第4端子と第2配線に接続される第5端子と第3配線に接続される第6端子とを有する第2不揮発性メモリトランジスタと、第2配線にゲート電極が接続されたパストランジスタと、を備え、第1および第4配線が第1電源に接続され、第3配線が第1電源の電圧よりも高い電圧に接続されるときに第1不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加し、第2不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第1および第4配線が第1電源に接続され、第3配線が第1電源の電圧よりも低い電圧に接続されるときに第1不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第2不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加する。 (もっと読む)


【課題】 書き込み動作及び消去動作の両方の特性向上を図る。
【解決手段】 実施形態による不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜上に形成され、13族元素であるP型不純物を含有するポリシリコンからなり、下部膜13aと下部膜上に積層された上部膜13bとを有するフローティングゲート電極13と、フローティングゲート電極上に形成された電極間絶縁膜16と、電極間絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極17と、を具備し、上部膜におけるP型不純物の濃度又は活性化濃度は、下部膜におけるP型不純物の濃度又は活性化濃度より高い。 (もっと読む)


【課題】トンネルウィンドウやセレクトゲートの加工寸法のばらつき、およびセレクトゲートのアライメント精度を考慮する必要がなく、セルサイズを小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリセル7を半導体基板2上に選択的に備える半導体装置1が製造される。この製造方法は、ゲート絶縁膜23上において不揮発性メモリセル7用のアクティブ領域5に、セレクトゲート19を選択的に形成する工程と、セレクトゲート19に対して自己整合的に導入することによってn型トンネル拡散層11を形成する工程と、ゲート絶縁膜23の一部セレクトゲート19に対して自己整合的に除去し、その後の熱酸化によりトンネルウィンドウ25を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】メモリセルの動作を従来よりも高速化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】フローティングゲートFGとコントロールゲートCG、第1導電型ソース13s及び第1導電型ドレイン13dを有する第1導電型MOSトランジスタ13と、前記フローティングゲートFGと前記コントロールゲートCG、第2導電型ソース14s及び第2導電型ドレイン14dを有する第2導電型MOSトランジスタ14と、前記第1導電型ドレイン13d及び前記第2導電型ドレイン14dに接続される第1のソース/ドレイン11bと、第2のソース/ドレイン11aと、ゲートを有する選択トランジスタ11と、前記第1導電型ソースに接続される第1電源線VpLと、前記第2導電型ソースに接続される第2電源線VnLと、前記選択トランジスタ11の第2のソース/ドレイン11aに接続されるビット線BLと、前記選択トランジスタ11のゲートに接続されるワード線WLと、を有する。 (もっと読む)


【課題】スプリットゲート型メモリセル構造を採用し、電荷蓄積層として窒化膜を用いる不揮発性メモリを有する半導体装置において電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1Subの主面にn型の半導体領域6を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極MGおよび電荷蓄積層CSLを形成する。続いて、そのメモリゲート電極MGの側面にサイドウォール8を形成した後、半導体基板1Subの主面上にフォトレジストパターンPR2を形成する。その後、フォトレジストパターンPR2をエッチングマスクとして、半導体基板1Subの主面の一部をエッチングにより除去して窪み13を形成する。この窪み13の形成領域では上記n型の半導体領域6が除去される。その後、その窪み13の形成領域にメモリセル選択用のnMISのチャネル形成用のp型の半導体領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】製造の容易な不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第1のメモリセルアレイ層と、第1のメモリセルアレイ層の上に形成された第1の絶縁層と、第2のメモリセルを具備する第2のNANDセルユニットを有する第2のメモリセルアレイ層と、第1の絶縁層を介して上下に位置する第1及び第2の浮遊ゲートの第1の方向の両側面にゲート間絶縁層を介して形成され、第1の方向と直交する第2の方向に延びる制御ゲートと、第1のNANDセルユニットの両端に位置し、第1の浮遊ゲートと同層に形成され、第1の半導体層と接続される下部コンタクトと、第2のNANDセルユニットの両端に位置し、第2の半導体層と下部コンタクトとを接続する上部コンタクトとを備える。 (もっと読む)


【課題】所望の領域に容易に第1の膜を形成して半導体装置の不良を低減する。また、スループットが向上して、製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、半導体基板の第1及び第2の領域上に第1の膜を形成した後、第1の膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンをマスクに用いた第1の膜のエッチングにより、第2の領域上の第1の膜を除去すると共に第2の領域上を覆うように被覆膜を形成する。半導体基板に熱処理を行うことにより、被覆膜を除去すると共にフォトレジストパターンに焼き締め処理を行う。この後、フォトレジストパターンを除去する。 (もっと読む)


【課題】微細化に対応した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の第1の領域内に第1の方向に沿って交互に配置されるように第1及び第2の素子分離領域を形成する。この際、第1及び第2の素子分離領域のうち少なくとも一方の素子分離領域の側面は半導体基板の主面に対して垂直とならないように第1及び第2の素子分離領域を形成する。この後、第1及び第2の素子分離領域の上部を除去して、第1の素子分離領域と第2の素子分離領域の間の半導体基板をフィンとして形成する。 (もっと読む)


【課題】容量素子の容量を低減し、また、集積度の高い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】1つのビット線BL_mに複数個のメモリブロックを接続させる。メモリブロックMB_n_mはサブビット線SBL_n_mと書き込みスイッチと複数のメモリセルを有する。サブビット線SBL_n_mと隣接するサブビット線SBL_n+1_mは2つのインバータと2つの選択スイッチよりなる増幅回路AMP_n/n+1_mに接続し、増幅回路は選択スイッチによりその回路構成を変更できる。また、増幅回路は読み出しスイッチを介してビット線BL_mに接続する。サブビット線SBL_n_mの容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷による電位変動を増幅回路AMP_n/n+1_mでエラーなく増幅でき、ビット線BL_mに出力できる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
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【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜8bを形成する工程と、タングステン膜8b上に窒化チタン膜からなる下部電極13を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極13上に容量絶縁膜14を形成する工程と、容量絶縁膜14上に上部電極15を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】制御性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第1のメモリセルアレイ層と、第1のメモリセルアレイ層の上に形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層の上に形成された第2のメモリセルアレイ層と、第1の絶縁層を介して上下に位置する第1及び第2の浮遊ゲートの第1の方向の両側面にゲート間絶縁層を介して形成され、第1の方向と直交する第2の方向に延びる制御ゲートと、第1の絶縁層を介して上下に位置する第1及び第2の選択ゲートの第1の方向の両側面にゲート間絶縁層を介して形成され、第2の方向に延び、第1及び第2の半導体層並びに第1及び第2のゲート絶縁層と共に補助トランジスタを形成する補助ゲートとを備える。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスが容易であり、かつ、Fin型FETおよび従来型トランジスタを混載した半導体記憶装置を提供することである。
【解決手段】半導体記憶装置は第1の領域および第2の領域を備える。メモリ部のトランジスタは第1導電型のFin型半導体層を備える。第1導電型の第1のソース層および第1のドレイン層はFin型半導体層の両端に設けられる。第1のゲート電極はFin型半導体層の両側面に設けられる。第2導電型のパンチスルーストッパ層は第1のゲート電極およびFin型半導体層の下に設けられている。パンチスルーストッパ層の不純物濃度は第1のソース層および第1のドレイン層の下の不純物濃度よりも高い。周辺回路部のトランジスタは、第2のゲートトレンチを備える。第1導電型の第2のソース層および第1導電型の第2のドレイン層は、第2のゲートトレンチの両側に設けられる。第2のゲート電極は、第2のゲートトレンチ内に充填される。 (もっと読む)


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