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Fターム[5F083PR00]の内容

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【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜131と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極103とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第1のコンタクトホール142と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第2のコンタクトホール141とを有し、第2のコンタクトホール141の径は、第1のコンタクトホール142に含まれる複数のコンタクトホール142のそれぞれの径より大きく、第1のコンタクトホールの底面積の合計と、第2のコンタクトホール141の底面積は等しい半導体装置に関する。 (もっと読む)


【課題】キャパシタ特性の良好な強誘電体キャパシタを提供することにある。
【解決手段】本発明の強誘電体キャパシタの形成方法は、(a)基体10の上方に第1導電層20aを形成すること、(b)前記第1導電層20a上に、酸素を有する強誘電体物質を含む強誘電体層30aを形成すること、(c)前記強誘電体層30a上に第2導電層40aを形成すること、(d)前記第2導電層40a上にマスクM1を形成すること、(e)前記マスクM1を用いて、少なくとも前記第2導電層40aをエッチングすることにより、前記第1導電層20、前記強誘電体層30、及び該第2導電層40からなるキャパシタを形成すること、(f)前記(e)の工程の後、前記エッチングにより露出した前記強誘電体層30の露出面にフッ素を付着させること、(g)前記キャパシタに熱処理を施すこと、を含む。 (もっと読む)


【課題】ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板をレーザ照射装置にセットし、半導体基板を移動させつつレーザビームを照射する。この時、レーザビームは、集光用レンズ(集光手段)によって集光点(焦点)が半導体基板の一面から数十μm程度深い位置になるように集光される。これにより、半導体基板の結晶構造が改質され、ゲッタリングシンクが形成される。 (もっと読む)


【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに300MHz以上2500MHz以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を1〜1000sccm、上記希ガスの流量を200〜3000sccmとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を10〜500sccm、上記希ガスの流量を200〜3000sccmとして生成される。 (もっと読む)


【課題】フォトレジストをアッシングする際に、金属膜が酸化されるのを防止する。
【解決手段】窒化チタン膜62の下部電極62A以外の部分のエッチングに使用されたフォトレジスト63をMMT装置を使用して除去するアッシングステップにおいて、ウエハ1がサセプタ21の上に移載された後に、ウエハ1を室温〜90℃の範囲内の所定の温度に加熱し、水素ガスと酸素ガスの混合ガスを流量比が2以上になるように制御して供給し、高周波電力を筒状電極15に高周波電源17から整合器18を介して印加する。筒状磁石19、19でマグネトロン放電が発生し、ウエハ1の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域16に高密度プラズマが生成される。酸素の酸化作用によるフォトレジストのアッシングと、水素の還元作用による窒化チタン膜の酸化防止が同時に作用するので、窒化チタン膜の酸化を防止しつつ、フォトレジストを除去できる。
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【課題】信頼性型が高く、優れた特性を有する誘電体薄膜を構成要素とする半導体装置を提供することにある。
【解決手段】キャパシタの下部電極101上に、第1層〜第3層のハフニウム酸化膜102、103、104の積層膜で構成される容量絶縁膜が形成され、第1層、第3層のハフニウム酸化膜102、104のハフニウムに対する酸素比率は、第2層のハフニウム酸化膜103のハフニウムに対する酸素比率よりも大きい。容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第1層、第3層のハフニウム酸化膜102、104と、誘電率の大きな第2層のハフニウム酸化膜103との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 (もっと読む)


【課題】不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と該スイッチング素子に連結されたストレージノードとを有し、ストレージノードは下部電極、データ保存層及び上部電極を備える不揮発性メモリ素子において、データ保存層は、第1電圧で電流経路が形成される第1領域と、第1領域を取り囲んで第1電圧より高い第2電圧で電流経路が形成される第2領域と、を備え、第1領域は、上部及び下部電極の間で上部及び下部電極と接触することを特徴とする不揮発性メモリ素子及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のトレンチ構造を有するポリシリコンに対し、プラズマを用いて均一な窒化処理を行なうことが可能なプラズマ窒化処理方法を提供する。
【解決手段】被処理体表面に露出したポリシリコン膜を窒素含有プラズマにより窒化するプラズマ窒化処理方法であって、複数のスロットを有する平面アンテナ31にて処理室内1にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置により、66.7Pa〜1333Paの処理圧力で前記ポリシリコン膜をプラズマ窒化処理することを特徴とする、プラズマ窒化処理方法。 (もっと読む)


【課題】 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極を簡単な製造工程で結晶性の高い単結晶半導体で構成する。
【解決手段】 貼り合わせ用単結晶半導体基板4に剥離用元素5をイオン注入したのち、貼り合わせ用単結晶半導体基板4のイオン注入側が貼り合わせ面となるように絶縁膜3を形成した素子形成用単結晶半導体基板1に貼り合わせ、次いで、熱処理を行って貼り合わせ用単結晶半導体基板4を注入した元素の濃度ピーク位置近傍で剥離したのち、素子形成用単結晶半導体基板1側に残存した貼り合わせ用単結晶半導体基板4の残部6をゲート電極状にエッチングする。 (もっと読む)


【課題】 非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 基体上に非晶質の強誘電体層または強誘電体薄膜の前駆体層5aを形成する工程と、非晶質の強誘電体層または強誘電体薄膜の前駆体層5aの所望位置に電子線を照射し、結晶核7を形成する工程と、非晶質の強誘電体層または強誘電体薄膜の前駆体層5aを加熱して結晶核7を成長させ、多結晶の強誘電体薄膜5を形成する工程と、を備えた強誘電体薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】トンネル酸化膜の膜質のさらなる向上や、フローティングゲートにおけるデータ保持特性等のメモリ特性のさらなる向上を達成することができる不揮発性メモリ素子のトンネル酸化膜の窒化処理方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリ素子におけるトンネル酸化膜102に窒化処理を施すに際し、窒素ガスを含む処理ガスを用いたプラズマ処理により、トンネル酸化膜の表面部分に窒化領域103を形成する。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が少なく信頼性の高い半導体装置を与える半導体チップおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】メモリ部と周辺回路部とを備えた半導体チップであって、
前記メモリ部および前記周辺回路部は、前記半導体チップの主表面部に形成され、
前記周辺回路部が形成された前記主表面部の一部であって、各前記メモリ部に隣接する所定部を通る前記半導体チップ断面の厚みは、前記半導体チップの表面に対する法線方向を基準として、前記メモリ部が形成された前記主表面部を通る前記半導体チップ断面の厚みと略等しく、
かつ、前記メモリ部が形成された前記主表面部を通る前記半導体チップ断面の厚みは、同法線方向を基準として各前記メモリ部に隣接する所定部を除く前記周辺回路部が形成された前記主表面部を通る前記半導体チップ断面の厚みに対して大きいことを特徴とする半導体チップおよびその製造方法。
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【課題】 電気泳動堆積法を用い、強誘電体微粒子の分極方向を揃えて基板上に堆積することによって強誘電体薄膜を形成する。この際に、基板内に形成された電子素子の破壊等の損傷を軽減する。
【解決手段】 強誘電体薄膜の製造方法は、基板105が入れられた液体103aと、強誘電体微粒子104bが分散された分散液104aとを、強誘電体微粒子104bが分散液104aから液体103aに対して拡散することができるように配置する工程と、分散液104a中の強誘電体微粒子104bの周囲に電界を形成して分散液104a中の強誘電体微粒子104bを基板105に向けて泳動させることにより、基板105上に強誘電体微粒子104bを堆積させる工程とを備え、基板105は、分散液104aから所定の距離以上離して配置されるようになっている。 (もっと読む)


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