【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板１、光吸収層２、電極３、電極４、接着層５、絶縁膜６、パッケージ７で構成される。透光性基板１上に光吸収層２が形成され、光吸収層２に電極３と電極４の一部が埋め込まれている。パッケージ７上に光検出部がジャンクションダウンで接着層５により接合されている。光吸収層２は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板１の裏面から照射される。 （もっと読む）

【課題】光センサーの材料として好適に用いられる新規な光導電材料、並びにこの光導電材料を用いた光導電素子、光センサー及びセンサーアレイを提供する。
【解決手段】硫化ビスマスを主成分とする光導電材料である。当該光導電材料において、全原子に対する硫黄原子の含有量を５０モル％以上７０モル％以下とし、かつ、酸素原子の含有量を０．０００１モル％以上１０モル％以下とすることが好ましい。光導電素子１０は、当該光導電材料から形成され、膜厚が２０ｎｍ以上１００μｍ以下の硫化ビスマス薄膜１２を備える。光センサーは、当該光導電素子１０を用いたものである。また、センサーアレイは、当該光センサーを複数備える。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする製造方法を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、単結晶基板１と、前記単結晶基板１上方に形成された−ｃ極性Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０．３≦ｘ≦０．６）層１４と、前記−ｃ極性Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０．３≦ｘ≦０．６）層１４と同一平面上に形成された＋ｃ極性Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．３）層４と、前記−ｃ極性Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０．３≦ｘ≦０．６）層１４上及び前記＋ｃ極性Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．３）層４上に形成されたショットキー電極８と、前記ショットキー電極８と対をなすオーミック電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】回路層に対するＩａ族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層２０は、基板１０の面上に形成されてトランジスター１２を含む。光電変換素子１４は、第１電極４１および第２電極４２との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層４３を含む。供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。光電変換層４３に対するＩａ族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層３２は、供給層３４と回路層２０との間に形成されて回路層２０に対するＩａ族元素の拡散を防止する。 （もっと読む）

【課題】大面積Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】印刷回路基板に配置された複数のチップと、各チップに対応するように、その上に配置された複数のピクセル電極と、複数のピクセル電極と複数のピクセルパッドとを電気的に連結する再分配層と、を備え、再分配層上で、チップのピンパッドが形成された裏面上に形成された複数の第１電極パッドと、第１電極パッド及び第２電極ピンパッドを電気的に連結するワイヤーと、を備え、ワイヤーは、チップ間のギャップに配置される、大面積Ｘ線検出器である。 （もっと読む）

【課題】臭化タリウム放射線検出器の電極と臭化タリウム結晶の間のタリウム層挿入工程によるコスト上昇を回避しつつ、ポーラリゼーション無しに長時間安定して計測できる安価な放射線計測装置、およびそれを用いた安価な核医学診断装置を提供する。
【解決手段】半導体結晶として臭化タリウムを用いてなる半導体放射線検出器と、前記半導体放射線検出器に電圧を印加するコンデンサと、前記コンデンサの一方の電極に正電荷と負電荷を蓄積可能な少なくとも１つ以上の直流電源と、を備えた放射線計測装置であって、前記半導体放射線検出器のカソード電極およびアノード電極が金、白金、パラジウムのうちの少なくとも１つ以上の金属で構成され、前記直流電源が前記コンデンサの前記一方の電極に正電荷を蓄積する電圧と負電荷を蓄積する電圧を１０分よりも短い時間毎に周期的に切換えて供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜１１と、
該導電膜側に設けられた光電変換層２２と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段３０と、を有する撮像デバイス４０であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いた新規な撮像装置を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられている電磁波を検知するセンサと、該センサからの信号を読み出すための電界効果型トランジスタとを備え、該電界効果型トランジスタの活性層は、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｏ系酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｏ系酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｏ系酸化物、Ｉｎ−Ｏ系酸化物、Ｉｎ―Ｇａ―Ｏ系酸化物、及びＳｎ−Ｉｎ−Ｚｎ―Ｏ系酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物２を有し、非晶質酸化物２の電子キャリア濃度は１０^１８／ｃｍ^３未満であり、前記電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、Ｃｄを含む材料を必要とすることなく、更に高い発電効率を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、Ｉｎ_２Ｓ_３及びＩｎ（ＯＨ）_３を含む。 （もっと読む）

【課題】生産性、組成均一性を向上させることができ、かつ低温アニール時に低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、GaおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜であって、In,Gaの組成比が3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10であり、かつ、抵抗率が1Ωcm以上、1×10⁶Ωcm以下を満たすものとする。 （もっと読む）

【課題】300℃以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃未満の熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超伝導転移温度の低下を抑えることが可能であり、単一光子検出素子の高速動作が可能な超伝導光検出素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 光子の入射に応じて抵抗が変化する単体の超伝導細線及び該超伝導細線上に形成された酸化防止層を有する超伝導光検出素子。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の製造方法を工夫することによって欠損画素の発生が抑制された放射線検出器を提供する。
【解決手段】本発明のＸ線検出器１０は、常温硬化型エポキシ樹脂が硬化したエポキシ樹脂層５を備えている。常温硬化型エポキシ樹脂の注入作業と脱泡作業を行うには、樹脂の粘度は低い方がよい。しかしながら、粘度の低い樹脂は、硬化するのに時間がかかりすぎてしまい、これがアモルファスセレン層１の変質を招く。そこで、本発明の構成は、エポキシ樹脂を速やかに硬化させる目的で、エポキシ樹脂を硬化させる温度を限定している。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】光検出効率が低いという従来技術における課題を解消し、偏波依存性が小さく、高い光検出効率を有する超伝導光検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導光検出素子は、複数のメアンダ（蛇行、雷文、ジクザク）形状の超伝導細線を、結晶基板の表裏、あるいは絶縁膜や接着剤を介して互いに近接かつ細線の方向が互いに直角となるように設置する。この配置構成により、最初のメアンダ細線に直角な偏波を有するため検出されなかった光子は、次のメアンダ細線とは平行な偏波を有するために検出可能となる。すなわち、任意の光子は互いに直角な直線からなる偏波に分解することが可能なため、任意の偏波を有する光子について検出可能となる。また、この配置構成により、偏波による取りこぼしがなくなるため、偏波依存性は小さくなり、光検出効率は従来例に比べて２倍程度向上することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線センサにおけるＸ線光電変換層において、堆積に長時間を要すること、電極等の腐食による歩留まり低下、形成工程での高温の使用、単結晶基板または張り合わせ工程の必要性、などの理由によるコストの上昇が必至であった。また、駆動に高電圧を必要とした。また、Ｘ線の波長情報を得ることができるセンサが容易に得られなかった。
【解決手段】照射されたＸ線強度に応じて電荷を生成するＸ線光電変換層２と、Ｘ線光電変換層２で生成された電荷を収集する収集電極１ｄと、Ｘ線光電変換層２の収集電極１ｄが設けられている面とは反対の面に設けられた共通電極１ｃと、収集電極１ｄで収集された電荷を蓄積する蓄積容量２０と、蓄積容量２０に蓄積された電荷を外部へ読み出す読み出し部３０とを具備し、収集電極１ｄと共通電極１ｃとの間に電圧を印加するように構成されているＸ線センサであって、Ｘ線光電変換層２が酸化物多結晶体であることを特徴とするＸ線センサ。 （もっと読む）

【課題】欠陥画素を分離してリペアしつつ、欠陥画素を分離するための切断箇所を保護した放射線検出素子を提供する。
【解決手段】欠陥画素７ＡのＴＦＴスイッチ４に接続された走査配線１０１と信号配線３の少なくとも一方を検出領域Ｓ外でかつ保護部３２で覆われた部分で切断する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層３４上に絶縁膜インクを印刷塗布する。印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜３２を形成する。下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に１つ以上の開口部３３を有する導電層３１を形成する。それにより、導電層３１に設けられた開口部３３から絶縁膜３２内に残っている溶媒を揮発させることができるので、導電層３１におおわれた絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。また、絶縁膜３２が十分に揮発する前に、絶縁膜３２上に導電層３１を形成することができるので、生産性を良くすることができる。 （もっと読む）