【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第１波長の光に感度を有する第１受光部を形成する工程と、前記第１受光部の上に紫外線を吸収する第１紫外線吸収部を形成する工程と、前記第１紫外線吸収部の上に第２波長の光に感度を有する第２受光部を形成する工程と、前記第２受光部の上に紫外線を吸収する第２紫外線吸収部を形成する工程と、前記第２紫外線吸収部の上に第３波長の光に感度を有する第３受光部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】撮影前の待機タイミングと連動しないタイミングで撮像用の電磁波を照射しても、安定した電磁波情報が得られるようにする。
【解決手段】第１の電極３４６と複数の第２の電極３３６と光電変換層３４０とを有する複数の光電変換器３０４と、複数の第２の電極に接続された複数のノーマリーオントランジスタ３２０と、複数のトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段２４２と、第１の電極に所定の電位を供与する電位供与手段２４６と、ゲート電圧制御手段と電位供与手段を制御する制御手段２１０と、電磁波を検知して電磁波検知信号を送信する電磁波検知手段２８０を備え、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧を０Ｖとし、電磁波検知信号を受信すると、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲートにオフ電圧を供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する有機光電変換層を含む放射線センサおよびそれを使用した放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線センサは、入射する放射線を、少なくとも該放射線とは異なる波長域の電磁波に変換する蛍光体層５０が設けられた第一の可撓性基板１８と、電荷発生剤および５５質量％〜７５質量％のポリマーバインダを含有する電荷発生層４４並びに電荷輸送層４２を含み、前記電磁波を光電変換する有機光電変換層４０と、前記有機光電変換層４０で発生した電荷を読み出すための、蓄積容量３０および薄膜トランジスタ２０を含む電荷検出層６０が設けられた第二の可撓性基板１０と、前記有機光電変換層４０と前記電荷検出層６０との間に配置された高分子下引き層１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、断線箇所を直接修復することによる画像欠陥を生じることなく、断線による画像への影響を抑制する。
【解決手段】電極層の所定の線状電極に断線箇所Ｃ１がある場合、その断線箇所Ｃ１が存在する線状電極５ａの端部と断線箇所が存在する線状電極５ａに隣接する線状電極５ｂとを接続部材２０を介して接続し、その接続後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】入射した光に応じた電荷を生成する光電変換膜に含まれる光電変換材料が、下記式（左）で示されるスクアリリウム化合物と、下記式（右）で示されるナフタロシアニン化合物とを含む。


（Ａ，Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ²炭素である置換基で、Ｍは金属原子を表し、Ｒ₄〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）

【課題】塗布成膜が可能で、長波長域（近赤外域）まで光電変換能を有する高性能な有機光電変換材料を提供する。また、高性能な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記一般式１で表される化合物を含有する有機薄膜光電変換素子用有機光電変換材料及び該有機光電変換材料を光電変換層に用いた有機薄膜光電変換素子。
一般式１


（式中、Ｄは結合位がｓｐ^２炭素である電子供与性芳香族置換基を表す。複数のＤは同一であっても異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】空間解像度を維持しつつ、バンド数の増大と小型化を実現した撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像素子は、一対の第１透明電極と、前記一対の第１透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第１光電変換部とを有し、前記第１光電変換部に結像する画像を読み出す第１撮像部と、一対の第２透明電極と、前記一対の第２透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第２光電変換部とを有し、前記第２光電変換部に結像する画像を読み出す第２撮像部とを含み、前記第１撮像部と前記第２撮像部は積層されており、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部には、光感度が異なる４種類以上の光電変換膜が含まれる。 （もっと読む）

【課題】リセットノイズを正確に除去することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板１上方に積層された一対の電極１４，１６とこれに挟まれる光電変換層１５とを含む光電変換素子Ｐと、光電変換層１５で発生した電荷に応じた信号を出力するＭＯＳトランジスタにより構成される信号出力回路とを有する固体撮像素子であって、基板１内に設けられ、光電変換層１５で発生した電荷が直接蓄積される第一の電荷蓄積部４と、基板１内に設けられ、前記信号出力回路を構成する出力トランジスタのゲートに接続された第二の電荷蓄積部５と、第一の電荷蓄積部４に蓄積された電荷を第二の電荷蓄積部５に転送する電荷転送ゲート８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、半導体層の結晶化や特性の劣化を招くことなく放電破壊を防止する。
【解決手段】電圧が印加される電圧印加電極１と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層２と、放射線量に応じた電気信号を検出するための電極８,９が設けられた基板７とが積層された放射線画像検出器において、電圧印加電極１の端部に対向する位置に設けられた電極８,９の上面に電荷注入阻止層１５を設ける。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜と、上部電極、下部電極、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜を有し、該光電変換膜が、光電変換部と、非晶質酸化物により形成された活性層を有する電界効果型薄膜トランジスタを有し、前記電界効果型トランジスタが、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする放射線撮像素子。 （もっと読む）

【課題】高解像度及び高感度で撮像することができるとともに、画像ボケを効果的に抑制することができ、小型化にも対応可能なイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、該基板の面方向に複数配置された一次受光画素４とを有し、一次受光画素は、前記基板の片面において、それぞれ異なる波長域の光を感知する複数の二次受光画素１０，２０，３０が、厚さ方向に隣接する二次受光画素の間に少なくとも封止絶縁膜１８，２８を介して積層して構成されており、各二次受光画素は、それぞれ、光を光電変換する光電変換部１４，２４，３４と、該光電変換部により生じた電荷に基づいて薄膜トランジスタ４０により信号を出力する信号出力部１２，２２，３２とを含み、前記薄膜トランジスタの活性層４８が酸化物半導体又は有機半導体により形成されていることを特徴とするイメージセンサ１。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスおよび溶液プロセスのいずれによっても成膜可能で、キャリア輸送性が高く、赤外領域において光吸収および高い光電変換特性を示す有機半導体材料、およびこれを用いた電子デバイス（特に有機トランジスタ、有機光電変換素子）を提供する。
【解決手段】下記に示す特定の構造を有するナフタロシアニン誘導体からなる有機半導体材料、およびこれを用いた膜、電子デバイス、有機トランジスタ、有機光電変換素子。
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【課題】光導電性有機半導体を用いながら微弱光を検出する能力が優れた有機薄膜受光素子を提供する。
【解決手段】基板上に、形成された第１の電極１と、前記第１の電極１上に、形成された第２の電極２と、前記第１の電極１と前記第２の電極２との間の挟持された領域に光導電性有機半導体材料から成る光導電性有機半導体層４と、を備え、前記第１の電極１または前記第２の電極２のうち少なくとも一方の電極は、近紫外線領域から近赤外線領域までの任意の波長の光に対して光透過性を有し、前記光導電性有機半導体層４内には、さらに第３の電極３を配する。 （もっと読む）

【課題】機能膜を有する機能性素子の機能膜の特性を向上させながらも、機能性素子全体の特性劣化を低コストで防ぐことが可能な機能性素子の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する一対の電極７，９と、電極７，９間に挟まれた光電変換膜８とを有する光電変換素子の製造方法であって、電極７上に光電変換膜８を形成する工程（図２（ａ））と、光電変換膜８上に電極９を形成する工程（図２（ｂ））と、光電変換膜８の特性を向上させるために行うアニール処理による電極９の変質を防ぐための変質防止膜１１を電極９上に形成する工程（図２（ｃ））と、変質防止膜１１形成後にアニール処理を施す工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大、ノイズの増大、及び面積の増大を防ぐことが可能な放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過したＸ線を受光してそのＸ線量に応じた撮像信号を出力する放射線撮像素子であって、基板１上方に形成された下部電極２、下部電極２上方に形成された光電変換膜４、及び光電変換膜４上方に形成された上部電極６を含む光電変換部と、上部電極６上方に形成された蛍光体膜８と、前記光電変換部に対応して基板１に設けられ、光電変換膜４で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部１０とを含む画素部を複数備え、平面視において前記画素部の信号出力部１０と前記画素部の光電変換部とが重なりを有しており、光電変換膜４が有機光電変換材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、成形・加工性に優れた光情報入出力記録素子、とくに誘電体層に光スイッチ機能として利用できる光導電性を示す有機材料を用い、メモリ性を発現させる電極界面障壁を形成させた光情報入出力記録素子を提供するものである。
【解決手段】 本願発明によれば、有機半導体により構成される半導体活性層と、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート誘電層、ゲート絶縁層からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート誘電層が光導電性を有する有機材料で構成され、入力光の照射により、情報が書き込まれるとともに、その情報が保持記録され、入力光とは異なる波長の光の照射により、記録された情報が消去されることを特徴とする光情報入出力記録素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】波長検出に外部の波長選択素子を使用せず、有機半導体薄膜のもつ特定波長での吸収率の急激な変化を利用し、さらに光電信号の変化を急峻にすることで、精度の良い波長の同定の機能を有し、且つ簡便な層構造の光検出器を提供する。
【解決手段】基板上に下部電極、有機半導体薄膜及び上部電極が順次積層された有機半導体光検出器において、前記光検出器から実際に得られる光電信号の対波長特性（実線）が、前記有機半導体薄膜が有する光吸収率から計算される光電信号強度（点線）の波長特性よりも波長に対する変化がより鋭い特性を有する。 （もっと読む）

本発明の態様は、赤外線（IR）検出のための方法および装置に関する。IR放射線を検出するためのフォトトランジスタを生産するために、有機層を利用することができる。IR検出器の波長範囲を、異なる波長の光子に対して感受性がある材料を組み込むことによって改変することができる。量子ドットの材料に関連する波長を有する光子の吸収を増強するために、フォトトランジスタの吸収層のホスト有機材料とは異なる波長の光子に対して感受性の材料の量子ドットを、吸収層に組み込むことができる。光伝導体構造をフォトトランジスタの代わりに用いることができる。光伝導体には、PbSe量子ドットまたはPbS量子ドットを組み込むことができる。光伝導体には有機材料およびOLED構造の一部を組み込むことができる。検出されたIR像をユーザーに表示することができる。有機材料を有機発光デバイスを作製するために用いることができる。

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