【課題】データの高速伝送において、データの波形品質の劣化を抑制する。
【解決手段】表示装置モジュール２では、光受信部２９は、ＦＰＣ３０により表示パネル用基板２２と接続され、光受信部２９とＦＰＣ３０とは、表示パネル用基板２２の上面の上の領域外および下面の下の領域外の領域であって、表示パネル用基板２２のＦＰＣ３０の接続側端面に対して表示パネル用基板２２側とは反対側の領域において互いに接続される。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、グランド配線３２及びグランド接続端子３４と一体的に形成されており、グランド接続端子３４を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。導電膜３０をグランド接続端子３４を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板６０の表面に表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】 電気信号の高周波化が進んでも、高周波信号の入出力時における反射損失を小さくすることにより、電子部品の高周波での作動性を良好なものとすること。
【解決手段】 上面に電子部品７が搭載される基体１と、該基体１の上面の載置部１ａに載置された載置用基台５と、上面に信号線路導体４ａが形成され、下面に接地導体４ｂが形成されているとともに載置用基台５の上面に載置された回路基板４と、載置部１ａを囲繞するように基体１の上面に取着されているとともに側部に貫通孔２ａが形成された枠体２と、貫通孔２ａに嵌着されて回路基板４に電気的に接続された同軸コネクタ３とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、枠体２の同軸コネクタ３の直下部と載置用基台５の側面側の上面とが導電性接合材６を介して接合されている。インピーダンスの不整合が小さくなり、高周波信号の反射損失が小さく伝送効率が良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】高速応答が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層を備え、前記一対の電極の一方の電極を透過し前記光電変換層に入射した光によって当該光電変換層で発生する信号電荷を、前記一対の電極間に印加する電圧によって前記一対の電極に移動させる光電変換素子を有する固体撮像素子であって、前記光電変換層が、少なくとも１つの有機化合物半導体で構成され（ただし、光電変換層がＤＣＭ１からなるものを除く）、該光電変換層の正孔移動度をｈ１とし、電子移動度をｅ１としたとき、０．１＜ｈ１／ｅ１＜１０を満たし、正孔移動度ｈ１が８．５×１０Ｅ−６ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上３．８×１０Ｅ−５ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以下であって、かつ、電子移動度ｅ１が９．３×１０Ｅ−７ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上７．６×１０Ｅ−５ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールにおいて、同一設計の受光素子を用いながら入力インピーダンスの異なるプリアンプを用いた場合にでも良好な周波数通過特性(Ｓ２１)を実現する。
【解決手段】受光素子を搭載した半導体チップ６と、受光素子の出力信号を増幅するプリアンプ２と、受光素子を搭載する絶縁性キャリア基板３と、受光素子の出力信号がキャリア基板上の電極５を介してプリアンプに入力されるように接続し、受光素子を搭載しない状態でキャリア基板上の２電極間の容量値を４０ｆＦ以上とした２電極４、５を有することより解決できる。 （もっと読む）

【課題】高い降伏電圧及び低い寄生インダクタンスを有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１２上に第１のパッシベーション層２２が施工され、ベース誘電体積層体４２が、半導体デバイスの第１の表面１８に付加され、第１のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。第１のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する第２のパッシベーション層３０が、第１のパッシベーション層及び半導体デバイスの上に施工されて、半導体デバイスの第２の表面２０及びエッジ２４を覆い、金属相互接続が接続パッドに結合され、金属相互接続が、第１及び第２のパッシベーション層並びにベース誘電体積層シートを通って形成されたビア３４を貫通して延びて、接続パッドとの接続部を形成する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー高分解能でかつ放射線の撮像を可能とすると同時に高検出効率で高速の超伝導体放射線センサーを提供することである。
【解決手段】超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーにおいて、単結晶基板上に共通の不感領域を取り囲まない７個以上の超伝導直列接合で検出素子を構成する、あるいは中心にエネルギー測定用の超伝導直列接合を設け、その外側に入射位置測定用の４つ以上の超伝導直列接合を設けて検出素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】安定な高周波特性を有する受光装置を提供すること。
【解決手段】一端に電源電圧が供給される受光素子５０と、前記受光素子を搭載する誘電体からなるキャリア３０と、前記キャリアを搭載する導電体からなるベース２０と、前記受光素子の他端から出力される出力信号が第１ボンディングワイヤを介し入力するトランスインピーダンスアンプ４０と、前記キャリアの表面に形成され、前記受光素子の前記一端が接続され、前記トランスインピーダンスアンプのグランドが第２ボンディングワイヤを介し接続され、前記ベースとの間に第１キャパシタを形成する第１金属膜３４と、前記キャリアの表面に形成され、前記ベースとの間に第２キャパシタを形成する第２金属膜３６と、前記第１金属膜と第２金属膜との間に接続された第１抵抗７２と、を具備する受光装置。 （もっと読む）

【課題】光素子とＩＣ基板との間の電気的に接続する距離を短くすることで、高周波に対する損失を抑えることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１５と、内部導波路２１と、ミラー部２０と、光素子３３（３３ａ，３３ｂ）と、外部導波路２５とを備えた光モジュールである。光素子３３の発光面若しくは受光面が基板１５の表面と所定の隙間を隔てるように、裏面で保持する保持部材３０を設けている。保持部材３０の表面で、かつ光素子３３の近傍にＩＣ基板３４ａを実装する。保持部材３０の光素子３３の貫通穴配線３０ｂとＩＣ基板３４ａとを電気的に接続するメタル回路３５ａを設けている。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性が向上した電子部品搭載用パッケージおよび通信用モジュールを提供する。
【解決手段】 電子部品搭載用パッケージ１０は、基体１、誘電体２、信号リード３、搭載基板４、接地リード７および蓋体８を備える。基体１は、金属円板状部材からなり、厚み方向に貫通する貫通孔１ａが設けられる。また、基体１は、電子部品６を搭載する一方主面である搭載面１ｂを基準とする厚みが異なる２つの部分である薄層部１ｃと厚層部１ｄとからなる。 （もっと読む）

【課題】ＢＷを使用せず、良好な高周波特性を実現するとともに、受光部における光信号の強度の低下を防止することができる変換ユニットを得る。
【解決手段】光信号を受光する受光部５１を有し、光信号を電気信号に変換して出力するＰＤ５と、電気信号を増幅するＴＩＡ６と、ＴＩＡ６と電気的に接続されるハンダ付けパッド２４とが、基板２に実装された変換ユニットであって、受光部５１と基板２の実装面とが互いに対向し、受光部５１と対応する位置に光信号が通過するビア２８が設けられ、ＰＤ５とＴＩＡ６との間、およびＴＩＡ６とハンダ付けパッド２４との間の電気信号経路が、基板２の実装面のパターンのみで形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】周波数特性を安定的に改善するためにキャパシタを集積したミラーを用いたフォトダイオードモジュールを提供する。
【解決手段】光源と、所定の角度を有するミラーと，該ミラーに固定された裏面入射型フォトダイオードと，キャパシタを備え、
前記光源からの光を前記ミラーに反射させて前記裏面入射型フォトダイオードの受光面に入射させるように構成した裏面入射型フォトダイオードモジュールにおいて、前記キャパシタを前記ミラーに形成した。 （もっと読む）

【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、並びに、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、光電変換材料層３０は、以下の構造式（１）で表されるチアゾール系アゾ部位を有する化合物から成る。
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【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減し、設計の自由度を向上させ、特性の劣化を防ぐことができる光受信モジュールを得る。
【解決手段】導電性のステム１０の主面に、導電性のサブマウント１２が接続されている。サブマウント１２は、ステム１０の主面に対して傾いた傾斜面１２ａと、実装面１２ｂと、実装面１２ｂから突出した突出部１２ｃとを有する。サブマウント１２の傾斜面１２ａ上に受光素子１６が実装されている。サブマウント１２の実装面１２ｂ上にプリアンプ１８が実装されている。プリアンプ１８は、入力端子１８ａと、出力端子１８ｂと、ＧＮＤ端子１８ｃとを有する。そして、プリアンプ１８は、入力端子１８ａから入力した受光素子１６の出力信号を増幅して出力端子１８ｂから出力する。サブマウント１２の突出部１２ｃとプリアンプ１８のＧＮＤ端子１８ｃはワイヤ２０ｃにより接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超伝導転移温度の低下を抑えることが可能であり、単一光子検出素子の高速動作が可能な超伝導光検出素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 光子の入射に応じて抵抗が変化する単体の超伝導細線及び該超伝導細線上に形成された酸化防止層を有する超伝導光検出素子。 （もっと読む）

【課題】高速、大容量通信を実現する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランシーバモジュール１は、光通信路１７が結合される複数の光コネクタ２ａ、２ｂと、バックプレーンへ結合される電気コネクタ３と、光コネクタ２ａ、２ｂで受信した光信号を電気コネクタ３へ送信する電気信号へ変換し、電気コネクタ３で受信した電気信号を光コネクタ２ａ、２ｂへ送信する光信号へ変換する受発光素子９、１０、１１、１２が搭載された回路基板６と、光コネクタ２ａ、２ｂと受発光素子９、１０、１１、１２とを光学的に結合する導波路を有する導波路アレイ７、８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性が改善された光レシーバ装置を提供する。
【解決手段】 光レシーバ装置は、出力端子となる第１電極と接地電位とは異なる電源が接続される第２電極とを有する受光素子と、アンプ素子を搭載するとともに上面に信号電極および接地電極からなる接続端子が設けられてなるアンプ回路と、信号電極に対し上面側から受光素子の第１電極の電位を接続する第１導体と、接地電極に対し上面側から受光素子の第２電極の電位を、第１コンデンサを介して接続する第２導体と、を備える。 （もっと読む）

【課題】受光素子キャリアにおいて、３次元的に配置される素子等を接続可能であり、高周波特性に優れた高周波伝送路をもつ受光素子キャリアを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる受光素子キャリアは、シート状の誘電体を積層しブロック状に形成した多層基板と、素子実装面４ａ上に備えられた受光素子１と、素子実装面４ａ上に形成され多層基板の層と平行に延在する部分を有し、受光素子１と接続された伝送路６ａと、素子実装面４ａ上の伝送路６ａを除く領域に形成されたＧＮＤパターン７ａと、多層基板の層間である境界面に形成され素子実装面４ａにおいて伝送路６ａと接続された伝送路６ｂと、伝送路６ｂが形成された境界面の上下の境界面に形成され素子実装面４ａにおいてＧＮＤパターン７ａと接続された複数のＧＮＤパターン７ｂと、伝送路６ａに隣接して配置され各ＧＮＤパターン７ｂを互いに接続するスルーホール８とを備える。 （もっと読む）