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Fターム[5F088BA11]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | 目的、効果(コストダウンは除く) (3,343) | 耐環境特性の向上(熱、水、塵、振動等) (224)

Fターム[5F088BA11]に分類される特許

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【課題】放熱経路の熱抵抗を小さくすることで良好な放熱特性を有する光モジュール等を提供する。
【解決手段】TO−CAN型パッケージ30は、光軸をレセプタクル60の中心軸に合わせた状態でレセプタクル60に結合され、レセプタクル60は筐体20に固定されている。第1金属ブロック36は、中央の穴にTO−CAN型パッケージ30のステムを嵌め込む。コの字形の第2金属ブロック37の互いに平行な面の間に第1金属ブロック36を嵌め込み、第1金属ブロック36と第2金属ブロック37とを接触させた状態で、第2金属ブロック37を筐体20に近接させる。第2金属ブロック37と筐体20は、接着剤38で固定する。この構成により、TO−CAN型パッケージ30のステムから、第1金属ブロック36、第2金属ブロック37、接着剤38を経由して筐体20に繋がる放熱経路が確保されることとなる。 (もっと読む)


【課題】 メタライズにより設けられた配線パターンの剥離強度を高め、デバイスの実装に伴う性能低下の減少と電気的導通の安定性を増した、低コストで小サイズな、高信頼性の光センサ装置を提供する。
【解決手段】 光センサ素子は、フィルター機能を有するガラス蓋基板1と、キャビティを有するガラス基板2により構成されたパッケージ内に実装されている。キャビティを有するガラス基板2は、金属を埋め込んだ貫通電極5を有し、表面と裏面にはメタライズにより設けられた配線パターン6,7を有しており、ガラス蓋基板1にメタライズにより設けられた配線パターン4とは導電性粒子8を入れた接着剤によって固着し接続される。キャビティを有する基板2の表面と裏面にメタライズにより設けられた配線パターン6,7と貫通電極に埋め込まれた金属とは構造的、電気的に一体化したものからなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式(L):
[化1]


(式中、X及びXは、同一又は異なり、H又はFである。Xは、H、F、CH又はCFである。X及びXは、夫々同一又は異なり、H、F又はCFである。Rfは、炭素数4〜40の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数5〜100のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。aは0〜3の整数である。b及びcは同一又は異なり、0又は1である。)で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 (もっと読む)


【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜23及びTFT保護層30を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド40及びデータパッド50が形成されるため、下部電極11を介さずに、データパッド50と第2信号配線層52が接続されると共に、ゲートパッド40と第1信号配線層42とが接続される。従って、保護層34の開口部には下部電極11が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極11の腐食を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】光素子を外気の水分や外力等から保護し、長期信頼性を確保した光モジュールの提供を目的とする。
【解決手段】本体部10と、封止部とを備えている。本体部10は、光素子4A、4Bと信号処理部5と第1ワイヤー13aと第2ワイヤー13bとを備えている。封止部は、光素子4A、4Bを封止した光素子封止部21と、信号処理部5を封止した信号処理封止部22と、第1ワイヤー13a及び第2ワイヤー13bを封止したワイヤー封止部23a、23bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】反りを抑制でき、しかもフレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】受光部を含む光学センサと、光学センサの受光部側を保護するためのシール材と、少なくとも受光部とシール材のこの受光部との対向面である第1面間に形成された中間層と、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、制御膜は、シール材の受光部との対向面である第1面に形成された第1の制御膜と、シール材の第1面と反対側の第2面に形成された第2の制御膜と、を含む。 (もっと読む)


【課題】光デバイス等のコネクタ接続が必要な各種デバイスの小型化を促進しつつ、振動や衝撃に強いデバイスを実現可能なコネクタのロック構造を実現する。
【解決手段】コネクタは、弾性部材によって形成されたラッチ部17aを有するオス型コネクタ17と、前記オス型コネクタを挿入するハウジング20と、前記ラッチ部に比して硬く、前記ラッチ部に対応する係止孔45が形成された金属部40とを有するメス型コネクタ3と、を備える。前記ハウジング内に前記オス型コネクタを挿入すると、前記係止孔が前記ラッチ部を係止して、前記オス型コネクタと前記メス型コネクタとの接続がロックされる。 (もっと読む)


【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする製造方法を提供する。
【解決手段】半導体紫外線受光素子は、単結晶基板1と、前記単結晶基板1上方に形成された−c極性MgZn1−xO(0.3≦x≦0.6)層14と、前記−c極性MgZn1−xO(0.3≦x≦0.6)層14と同一平面上に形成された+c極性MgZn1−yO(0≦y<0.3)層4と、前記−c極性MgZn1−xO(0.3≦x≦0.6)層14上及び前記+c極性MgZn1−yO(0≦y<0.3)層4上に形成されたショットキー電極8と、前記ショットキー電極8と対をなすオーミック電極7とを有する。 (もっと読む)


【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板10と、センサー基板上に設けられた非イオン性層20と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材30とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子111Aにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号(画像情報)が得られる。波長変換部材とセンサー基板10との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子(光電変換素子の電極等)とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層20が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 (もっと読む)


【課題】遮光機能と光フィルタ機能を備えた品質・信頼性の高い受光デバイス用ガラスパッケージ1を提供する。
【解決手段】表面に窪み6を形成し、底面部に内部配線電極8と貫通電極9と外部電極10を備え、ボンディングワイヤー5を介して受光素子4を実装している遮光機能を付加した黒色系ガラス基板2と、光フィルタ機能を付加した平板ガラス基板3を陽極接合により接合したパッケージ構成により、品質・信頼性の高いガラスパッケージ1を実現した。 (もっと読む)


【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れる硬化物を形成できる硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】有機ケイ素化合物(A)、及び、下記式(L):


(XおよびXは、H又はF;XはH、F、CH又はCF;XおよびXは、H、F又はCF;Rfは、アミド結合若しくはウレア結合を有していてもよい炭素数1〜40の含フッ素炭化水素基、又は、アミド結合、カーボネート結合、ウレタン結合若しくはウレア結合を有していてもよい炭素数2〜100のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基であって、水素原子の1〜3個が、末端に炭素数1〜30の加水分解性金属アルコキシド部位を含む1価の有機基、又は、末端にエチレン性炭素−炭素二重結合を有する炭素数2〜10の1価の有機基で置換されている有機基)で示される構造単位を有する含フッ素ポリマー(B)、からなる硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】光半導体用途において、耐熱黄変性、耐光性、ガスバリア性及び密着性に優れた、透明な硬化物を形成することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式(1)


[R1は置換若しくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Rはアクリロキシ基又はメタアクリロキシ基、Xは炭素数3〜10の二価の炭化水素基、aは1以上の整数、bは0以上の整数、a+bは3〜20の整数)で表される環状オルガノポリシロキサンを含有する熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】良好なレンズ形状のレンズを形成でき、更に腐食性ガスに対してレンズのガスバリア性を高めることができる光半導体装置用レンズ材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用レンズ材料は、下記式(1)で表され、かつ珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したアリール基を有する第1のオルガノポリシロキサン(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く)と、下記式(51)で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。上記第1,第2のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したアリール基の含有比率はそれぞれ30モル%以上、70モル%以下である。
【化1】
(もっと読む)


【課題】光学素子の光機能部に水分が結露することを防止し、光学素子の機能が損なわれることのない光学装置を提供する。
【解決手段】光学装置は、一面に光機能部12が露出した光学素子を有する第一基板11と、前記光機能部に対向して配された第二基板13と、前記光機能部を覆い、前記第一基板と前記第二基板とを接合する光透過性の第一樹脂層14と、前記第一基板の平面視において前記第一樹脂層を取り囲む空洞部15と、前記第一基板の平面視において前記空洞部を取り囲み、前記第一基板と前記第二基板とを接合する第二樹脂層16と、を備えた光学装置であって、前記第一樹脂層と前記空洞部とは、隣接している。 (もっと読む)


【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板(14)と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体(18A、18B)と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群(26)と、前記蛍光体を支持する支持体(12A,12B)と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部(13A)と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置(1,2)。 (もっと読む)


【課題】アレイ基板上の金属配線露出部での水分の関与による腐食反応を防止すると共に、アレイ基板カット面とFPCの擦れによる断線を防止し、高温高湿下や結露状態などの環境負荷が大きい状態においても高い信頼性を確保した放射線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂をアレイ基板12/FPC47の隙間に塗布形成して絶縁防湿被覆53とする。また、シリコーン樹脂をアレイ基板12/FPC47の隙間だけでなく、接着されたALハットからなる防湿層15の鍔部15a端部まで同時に塗布形成して絶縁防湿被覆55とする。 (もっと読む)


【課題】高い降伏電圧及び低い寄生インダクタンスを有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】半導体デバイス12上に第1のパッシベーション層22が施工され、ベース誘電体積層体42が、半導体デバイスの第1の表面18に付加され、第1のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。第1のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する第2のパッシベーション層30が、第1のパッシベーション層及び半導体デバイスの上に施工されて、半導体デバイスの第2の表面20及びエッジ24を覆い、金属相互接続が接続パッドに結合され、金属相互接続が、第1及び第2のパッシベーション層並びにベース誘電体積層シートを通って形成されたビア34を貫通して延びて、接続パッドとの接続部を形成する。 (もっと読む)


【課題】信頼性に優れた赤外線素子実装構造体および赤外線素子実装用基板を提供する。
【解決手段】赤外線素子3と、上面に赤外線素子3が実装される凹部Pを有するセラミック基体4と、凹部P内に設けられた、赤外線素子3が電気的に接続される電極層とを備えた赤外線素子実装構造体1であって、赤外線素子3は、平面視して凹部P内に収まらない大きさであって、赤外線素子3の下面の一部に電極層と導電体を介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】性能の低下が少なく信頼性が高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】積層フィルム5の上に設けられた有機EL素子と、積層フィルム5に対向する積層フィルム6と、有機EL素子を囲み積層フィルム5,6を貼り合わせる封止材20と、を有し、積層フィルム5,6の少なくとも一方が有する薄膜層の少なくとも1層は、炭素分布曲線が実質的に連続である条件、炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有する条件、及び炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上である条件を全て満たし、封止材20は、液晶性樹脂を含む組成物である。 (もっと読む)


【課題】素子等を含む素子領域が封止されたキャビティの気密性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】素子を含む素子領域11が形成された半導体基板10を準備し、半導体基板10上に、素子領域11を露出する貫通孔13Aを有した樹脂層13を形成する。次に、貫通孔13Aの側壁13Wを含む樹脂層13上から延びて半導体基板10上の一部を覆う金属薄膜14を形成する。そして、金属薄膜14に直接接して支持体15を接合し、半導体基板10、樹脂層13、金属薄膜14、及び支持体15に囲まれたキャビティ16内に素子領域11を封止する。その際、金属薄膜14と支持体15の接合面は、真空中で表面活性化接合法を用いて接合される。 (もっと読む)


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