【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】光の受光により高効率に電子を発光する受光層を備える受光素子、かかる受光素子を備える受発光素子、受発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 本発明の受発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、受光により電子を発生する光導電体層とを有し、該光導電体層は、下記式（１Ａ）で表されるテトラフェニルポルフィリン骨格を有する化合物を主材料として含有する。


［式（１Ａ）中、Ｂは、白金、パラジウム、マグネシウム、ニッケルまたは亜鉛を表す。
Ｒは置換基を意味し、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】従来よりも感度、応答性に優れた有機材料から構成された光電変換材料層を備えた光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、並びに、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、光電変換材料層３０は、以下の構造式（１）で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る。
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【課題】短絡電流密度と曲線因子の両立が可能な、光電変換効率の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】高光吸収率、高光電変換効率、低暗電流性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記一般式（１）で示される化合物及びｎ型半導体を含む光電変換素子。
一般式（１）



（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は、それぞれ独立に、置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。Ｒ_３〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ｍは０又は１を表し、ｎは０以上の整数を表す。Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_３とＲ_５、Ｒ_５とＲ_６、Ｒ_６とＲ_８、Ｒ_７とＲ_８、Ｒ_７とＲ_９、Ｒ_１０とＲ_１１はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。ｎが２以上である場合、複数のＲ_７、Ｒ_８のうちＲ_７どうし、Ｒ_８どうし、及びＲ_７とＲ_８は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】可視光やＵＶ−Ａの紫外線に感度の持たない安価な紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明のワイドギャップ酸化物半導体及びそれを用いた紫外線センサは、光吸収層を酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加することにより、禁制帯幅を３．６ｅＶ以上となる構成となっているので、可視光やＵＶ−Ａの紫外線などの長波長の光を吸収せず、ＵＶ−ＢやＵＶ−Ｃの紫外線のみに感度をもつ紫外線センサを安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。窒化ニオブ配線１３は、所定のバイアス電流が流れるよう、伝送線路１５を介してバイアス源に接続されて、超伝導状態において使用される。基板１０の裏面側から窒化ニオブ配線１３に光子Ｐが入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐが１個ずつ検出される。光カップリング効率Ｐｃが飽和する基板１０の厚み範囲Ｌ１opt内に、基板１０の厚みＬ１が設定されている。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】特定の電磁波波長のみを選択的に取り出す技術を、化学的に安定、低コスト、低背化構造で実現することができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子３１の画素部分においては、底面にフォトセンサ２４が配置され、その上部に４層の平滑化層２２と３層の金属配線２３とが、記載の順に交互に積層されている。最も上面の平滑化層２２の上部には、金属光学フィルタ４１Ｌ、４１Ｓ、およびオンチップ集光素子２１が記載の順に下から積層されている。金属光学フィルタ４１Ｓと金属光学フィルタ４１Ｌとを積層することにより、バンドパスフィルタが容易に実現化される。本発明は、固体撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１の製造方法においては、ＰｂＩ_２からなる光導電層１７を厚さ１００μｍ以上に結晶構造を有するように成膜した後、光導電層１７の内層部の結晶構造を維持しつつ、光導電層１７の表層部を平坦化し、平坦化された表層部上に、ＤＬＣからなる接触補助層３０を介して共通電極１８を形成する。これにより、光導電層１７の表層部における凹凸の度合いが緩和されて、共通電極１８の不連続化・電気的高抵抗化が防止されるばかりか、ＰｂＩ_２からなる光導電層１７が１００μｍ以上と十分な厚さを有し、且つ光導電層１７の内層部の結晶構造が維持されるので、Ｘ線の検出感度が向上した放射線検出器１を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がＦｅ₃Ｏ₄主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなり、このフェライト系ステンレスがその標準含有元素であるＣｒよりも強還元性元素である３族元素、４族元素、５族元素、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐのうち少なくとも１つを０．１ｍｏｌ％以上含むものとする。 （もっと読む）

【課題】温度制御や放射線損傷の問題を解決することができ、しかも従来よりも検出感度が高く、作製が容易な荷電粒子検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る荷電粒子検出器１は、ｎ型のＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の検出面５ａ側の面にバッファ層３、４を介して設けられ、バッファ層４に接していない面が検出面５ａであるアンドープのＧａＮ層５と、ＧａＮ層５の検出面５ａに設けられ、ＧａＮ層５とショットキー接触する第１金属電極６と、ＳｉＣ基板２の、バッファ層３に接していない面に設けられ、ＳｉＣ基板２とオーミック接触する第２金属電極８とを備える。また、ＧａＮ層５の厚さは、９００ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】空間解像度を維持しつつ、バンド数の増大と小型化を実現した撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像素子は、一対の第１透明電極と、前記一対の第１透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第１光電変換部とを有し、前記第１光電変換部に結像する画像を読み出す第１撮像部と、一対の第２透明電極と、前記一対の第２透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第２光電変換部とを有し、前記第２光電変換部に結像する画像を読み出す第２撮像部とを含み、前記第１撮像部と前記第２撮像部は積層されており、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部には、光感度が異なる４種類以上の光電変換膜が含まれる。 （もっと読む）