【課題】性能を落とすことなく小型化が可能なセンサ、太陽電池等の電気素子と、電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態の半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、設計とシミュレーションの作業が容易になる。また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス中は強固に接着されており、製造プロセス後には容易に分離することが可能な積層体、分離方法、及び製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性のサポートプレート１２、サポートプレート１２によって支持される、有機物を含む有機物材料層１１と、サポートプレート１２と有機物材料層１１との間に設けられており、サポートプレート１２を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。 （もっと読む）

【課題】支持部材との接触面に凹部を設け、該支持部材上に載置しても、異物、傷が付かない構造を有するデバイスを提供する。また、凹部を形成する位置を光学的機能部の位置に対して高い精度で調整して製造することが可能な、デバイスの製造方法を提供する。また、第一基板に備えられた光学的機能部に対して、凹部の加工の影響が及ぶのを回避して製造することが可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１０１の一方の主面１０１Ｓと第二基板１０５の一方の主面１０５Ｓとが、接着層１０４を介して接合され、第一基板１０１の一方の主面１０１Ｓに内在する光学的機能部１０２と、第二基板１０５の他方の主面１０５Ｔ側に配され、光学的機能部１０２を含み重なる領域に位置する凹部１０７とを有する、ことを特徴とするデバイス。 （もっと読む）

【課題】小型および低コストを確保しながら、熱膨張率の差に起因して起こる、バンプの接合不良や、絶縁不良を防止することができる、検出装置、受光素子アレイ、これらの製造方法および光学センサ装置、を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０とが、バンプ９，３９同士接合され、少なくとも受光素子アレイおよび読み出し回路の一方において、相手側に対面する表面が凹状曲面であり、かつ接合されたバンプ９，３９について、配列された領域の、外周寄り範囲Ｋに位置する接合されたバンプは、中央範囲Ｃに位置する接合されたバンプに比べて、太径で、高さが低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】接合バンプを用いたフリップチップ実装する製品において、配線基板等に反り等があっても、接続不良をなくし、かつ容易にアラインメントをとることができる、実装製品の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】青色及び紫外線領域において高感度で暗電流が極小である新規な光検出器を得る。
【解決手段】光検知デバイスは以下の構成要素を有している。（ａ）絶縁層に覆われたＳｉ基板、（ｂ）前記絶縁層上に置かれた単結晶ＺｎＳｅナノベルト、及び（ｃ）前記ＺｎＳｅナノベルトの上に形成された２つの分離された金属電極。前記絶縁層は、ＳｉＯ_２又はＡｌ_２Ｏ_３で、厚さは、２００ｎｍから６００ｎｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】光応答速度が極めて速く、しかも製造が容易な多層透明受光素子およびこの多層透明受光素子を用いた高性能の電子機器を提供する。
【解決手段】電子伝達タンパク質を用いたタンパク質透明受光素子１を複数積層して多層透明受光素子を構成する。タンパク質透明受光素子１は、透明基板、透明電極、電子伝達タンパク質層、電解質層および透明対極を順次積層した構造を有する。この多層透明受光素子をカメラ、光ディスクシステムなどの受光素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】光照射に対する安定性が極めて高く、光電変換機能を長期にわたって維持することができる新規なタンパク質およびこれを用いた長期安定利用可能なタンパク質光電変換素子を提供する。
【解決手段】ウマ心筋シトクロムｃのヘムの中心金属の鉄をスズに置換してスズ置換ウマ心筋シトクロムｃを得る。ウシ心筋シトクロムｃのヘムの中心金属の鉄をスズに置換してスズ置換ウシ心筋シトクロムｃを得る。スズ置換ウマ心筋シトクロムｃまたはスズ置換ウシ心筋シトクロムｃからなるタンパク質２２を電極２１上に固定化してタンパク質固定化電極とする。このタンパク質固定化電極を用いてタンパク質光電変換素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】収集電荷を向上させることが可能な放射線光導電体を製造するのに好適なＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粉子（ただし、ＸはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種である）を提供する。
【解決手段】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粒子を製造する際に、Ｆｅを実質的に含まない原料、反応装置を用いることにより、Ｆｅ含有量を５ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＣａ、Ｂｉからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８１〜９０％、Ｔｉ：９〜１０％、Ｍ：０．１〜１０％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、酸素からなり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｎの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８９〜９２％、Ｔｉ：１〜１０％、Ｚｎ：０．１〜１０％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＬａ、Ｓｒからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：８５〜９７％、Ｔｉ：１〜１０％、Ｍ：０．１〜７％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の主な目的は、暗電流を抑制する有機感光性の光電装置を提供することである。
【解決手段】陽極と、前記陽極の上に形成され、アクセプター部とドナー部を含む有機感光層と、前記有機感光層の上に形成され、前記陽極との間に前記有機感光層を介在させる正孔ブロッキング層と、前記正孔ブロッキング層の上に形成され、前記有機感光層との間に前記正孔ブロッキング層を介在させる陰極と、を有する有機感光性の光電装置を提供する。又、必要に応じて、前記正孔ブロッキング層の最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は前記ドナー部の最高被占有分子軌道よりも少なくとも０．３ｅＶ大きい。本発明に係る光電装置は暗電流を有効に抑制し、検出器に適用する際の感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を検出することが可能な二次元アレイＸ線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディテクタに対してＸ線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定と、この暗電流値測定で測定した各画素の暗電流値が、予め記憶部に記憶した正常な画像の画素値の４．５倍以上となる画素を欠陥画素と判定する判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線検出におけるノイズ光の検出の影響を抑制することが可能なＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】 入射したＸ線を検出する複数の検出画素が配列されたＸ線検出部が一方の面１１側に設けられ、他方の面１２がＸ線入射面となっている裏面入射型の固体撮像素子１０と、撮像素子１０の入射面１２上に設けられ、検出対象となるＸ線よりも長波長の光の遮蔽に用いられる遮蔽層２０とによってＸ線撮像装置１を構成する。遮蔽層２０は、入射面１２上に直接に設けられる第１アルミニウム層２１と、第１アルミニウム層２１上に設けられる第２アルミニウム層２２と、第１、第２アルミニウム層２１、２２の間に設けられ、紫外光の遮蔽に用いられる紫外光遮蔽層２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の機械的方法に基づく曲面制御の困難という欠点を解消し、mmサイズの点集光を可能とし、低コストで高輝度中性子ビームを創成することができる中性子線の単色集光装置を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeの半導体結晶バルクウェハーに、その半導体結晶の任意の塑性変形を可能とする塑性変形能を有する温度範囲内で高温加圧加工法により湾曲加工を施して作成されている。中性子ビームの単色化と高輝度化とを同時に行うことができる中性子線のモノクロメータまたはアナライザーとして利用される。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）