【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第１波長の光に感度を有する第１受光部を形成する工程と、前記第１受光部の上に紫外線を吸収する第１紫外線吸収部を形成する工程と、前記第１紫外線吸収部の上に第２波長の光に感度を有する第２受光部を形成する工程と、前記第２受光部の上に紫外線を吸収する第２紫外線吸収部を形成する工程と、前記第２紫外線吸収部の上に第３波長の光に感度を有する第３受光部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


（式中、Ｘは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、ＹはＣ−Ｒ_２または窒素原子を表す。Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子もしくは置換基を表す。Ｚ_１、Ｚ_２は炭素原子もしくは窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】放射線による閾値電圧の変化を増幅することができ、また、温度補償を行うことができる二種類の金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を有する放射線量計およびその操作方法を提供する。
【解決手段】放射線量計は、同じ基板に集積された二つの放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）および二つのＭＯＳＦＥＴを含む放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）、または、同じ基板に集積された二つのＲＡＤＦＥＴ、および二つの抵抗器を含むものである。閾値電圧の変化の増幅は、ＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用い、いずれも、第一のＲＡＤＦＥＴのゲートには順方向のバイアスがかけられ、第二のＲＡＤＦＥＴのゲートはバイアスが外される。増幅された差分閾値電圧の変化は、示度モードで測定される。放射線感度が高められたため、ミリラッドの線量測定が可能となり、温度効果およびドリフトは、ほぼ除去される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを利用した放射線の検出において検出感度を良好にする。
【解決手段】放射線がダイヤモンド層１０に入射すると、ダイヤモンドと放射線の相互作用により二次電子等が発生する。また、放射線が重金属層２０に入射すると、重金属層２０内には、重金属と放射線の相互作用により二次電子等が発生する。そして、重金属内２０で発生した二次電子等が、バイアスを加えられたダイヤモンド層１０に入り、検出用の電子等となる。また、重金属内２０で発生した二次電子等がダイヤモンド層１０内でさらに二次電子等を発生させ、発生した二次電子等も検出用の電子等として利用される。こうして、ダイヤモンドと放射線の相互作用により発生する二次電子等に加えて、重金属から得られる電子等の影響により発生する二次電子等が放射線の検出に利用され、放射線の検出感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

本発明は、電離放射線（116）検出用の検出器（110）に関する。検出器（110）は、電離放射線（116）を電磁線（118）、特には、可視光、紫外光または赤外光に変換するように適合された、少なくとも1つのシンチレーター（112）を含む。検出器（110）はさらに、電磁線（118）を少なくとも1つの電気信号（120）に変換するように適合された、少なくとも1つの有機光起電力要素（114）を含む。

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【課題】短絡などを生じた欠陥画素が存在したとしても、その周囲に異常な出力電流が出力される領域が拡がらないようにして、イメージセンサの生産性を向上させる。
【解決手段】イメージセンサを、第１光伝導体型素子６と第２光伝導体型素子８とを含む複数の画素１と、第１光導電体型素子６及び第２光導電体型素子８に接続された出力電極１２Ｂと、複数の画素１のそれぞれに含まれる第１光導電体型素子６に接続された共通電極１２Ｃと、出力電極１２Ｂと共通電極１２Ｃとの間に設けられ、動作時に流れる電流の方向と逆向きの電流が流れるのを阻止する整流素子７Ａ，７Ｂとを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層によって光電変換層が形成された量子ドット型赤外線検知素子の量子効率を大きくすること。
【解決手段】半導体基板と、同一平面上に形成された複数の量子ドットと前記量子ドットを覆う中間層を有する複数の量子ドット層が、前記半導体基板上に積層された複数の光電変換層と、前記半導体基板に整合した、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が積層された歪緩衝層を具備し、前記歪緩衝層を介して複数の前記光電変換層が積層されていること。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】基板１の表面及び裏面に、照射されたＸ線に応じた電荷を発生するＸ線検出部２２Ａ、２２Ｂを設けて、Ｘ線の照射方向に対して各画素２０毎にＸ線検出部２２Ａ、２２Ｂを積層配置する。 （もっと読む）

本発明はＸ線を電荷に変換するＸ線用の光検出器に関する。光検出器の活性有機層内にナノ粒子が加えられる。 （もっと読む）

【課題】空間解像度を維持しつつ、バンド数の増大と小型化を実現した撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像素子は、一対の第１透明電極と、前記一対の第１透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第１光電変換部とを有し、前記第１光電変換部に結像する画像を読み出す第１撮像部と、一対の第２透明電極と、前記一対の第２透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第２光電変換部とを有し、前記第２光電変換部に結像する画像を読み出す第２撮像部とを含み、前記第１撮像部と前記第２撮像部は積層されており、前記第１光電変換部及び前記第２光電変換部には、光感度が異なる４種類以上の光電変換膜が含まれる。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が絶縁性材料と導電性材料を含む。 （もっと読む）

放射の検出に使用される第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０を有する半導体ボディ２を備えている放射受光器１を開示する。第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０は、垂直方向に互いに隔置されている。第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間にはトンネル領域２４が配置されている。トンネル領域２４は接続面３１に導電接続されており、接続面３１は、第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間で半導体ボディ２に外部から電気的に接触する目的で使用される。さらに、放射受光器を製造する方法も開示する。
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【課題】製造が容易で、高いＳ／Ｎの画像を得ることができる光電変換膜積層型撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された読出回路部１と、読出回路部１の上に積層された複数の光電変換層１２ｒ，１２ｇ，１２ｂとを備え複数の光電変換層がそれぞれ、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂと、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂの上に形成された対向電極と、光電変換膜１４ｒ，１４ｇ，１４ｂを対向電極１９と挟む位置に形成された画素電極１６ｒ，１６ｇ，１６ｂとを備え、複数の光電変換層１２ｒ，１２ｇ，１２ｂの積層方向に貫通するように充填された長尺形状の複数のプラグ部材Ｐを有し、複数のプラグ部材Ｐがそれぞれ、異なる画素電極１６ｒ，１６ｇ，１６ｂに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を従来例に比較して低減し、かつ光電変換効率を従来の有機光電変換膜と同様、あるいは向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の有機光電変換素子は、陽極と、陰極と、これら電極間に介挿された有機半導体層からなる有機光電変換膜であり、有機半導体層が、光電変換層と、この光電変換層の間に形成された注入電荷輸送抑制層とから構成され、注入電荷輸送抑制層のＨＯＭＯ準位・ＬＵＭＯ準位が、光電変換層に用いられている有機材料のＨＯＭＯ準位・ＬＵＭＯ準位に比較し、いずれも大きい、またはいずれも小さい有機材料にて形成されている。 （もっと読む）

【課題】高解像度及び高感度で撮像することができるとともに、画像ボケを効果的に抑制することができ、小型化にも対応可能なイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、該基板の面方向に複数配置された一次受光画素４とを有し、一次受光画素は、前記基板の片面において、それぞれ異なる波長域の光を感知する複数の二次受光画素１０，２０，３０が、厚さ方向に隣接する二次受光画素の間に少なくとも封止絶縁膜１８，２８を介して積層して構成されており、各二次受光画素は、それぞれ、光を光電変換する光電変換部１４，２４，３４と、該光電変換部により生じた電荷に基づいて薄膜トランジスタ４０により信号を出力する信号出力部１２，２２，３２とを含み、前記薄膜トランジスタの活性層４８が酸化物半導体又は有機半導体により形成されていることを特徴とするイメージセンサ１。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜８と、上部電極６、下部電極２、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜４を有し、該光電変換膜が、前記蛍光体膜が発する光を吸収する有機光電変換材料を含む光電変換部１３と、非晶質酸化物により形成された活性層２４を有する電界効果型薄膜トランジスタ１０を有し、前記光電変換部により発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部１４と、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜が順次積層した基板１と、を備え、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜により構成される画素部が前記基板上に複数配列されており、各画素部における前記信号出力部と前記光電変換部とが重なりを有している放射線撮像素子１２。 （もっと読む）

【課題】 入射するＸ線を電気信号に変換する効率が高く、高い精度で検出することができる検出素子、検出器、及び検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 積層検出器セル１５は、板状に形成され、入射したＸ線を光に変換するシンチレータ素子１６と、シンチレータ素子１６の主面上に形成され、シンチレータ素子で発生した光を電気信号に変換するフォトダイオード１７と、を有する単位検出素子部１８が、前記主面と交差する方向に複数層積層されて構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）