【課題】電気的雑音の影響による無信号状態での誤検知の発生を十分抑圧することができる光検出半導体装置を提供する。
【解決手段】遮光されていないフォトダイオード１０３が有する第１の半導体接合面の重心位置と駆動回路１０１の重心位置の間の距離を、D1₁とし、遮光されたフォトダイオード１０２が有する第２の半導体接合面の重心位置と駆動回路１０１の重心位置の間の距離を、D2₁とし、第１の半導体接合面の面積をS1₁とし、第２の半導体接合面の面積をS2₁とすると、（S1₁／D1₁）＞（S2₁／D2₁）が満たされるように、第１の半導体接合面と第２の半導体接合面は、配置されている。 （もっと読む）

【課題】光の受光により高効率に電子を発光する受光層を備える受光素子、かかる受光素子を備える受発光素子、受発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 本発明の受発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、受光により電子を発生する光導電体層とを有し、該光導電体層は、下記式（１Ａ）で表されるテトラフェニルポルフィリン骨格を有する化合物を主材料として含有する。


［式（１Ａ）中、Ｂは、白金、パラジウム、マグネシウム、ニッケルまたは亜鉛を表す。
Ｒは置換基を意味し、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には複数の検出ユニット１が配され、それぞれの検出ユニット１は変換部３と回路部４とを含む。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば第１導電型（Ｎチャネル型）の増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。隣接する変換部３の間には第１導電型のトランジスタが配されない。あるいは、隣接する検出ユニットに含まれるトランジスタが、互いに近接して配される。 （もっと読む）

【課題】放射線に起因する特性劣化を抑制して信頼性を向上させることが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、フォトダイオードとトランジスタとを含む画素回路を有する。トランジスタは、基板上の選択的な領域に配設されたゲート電極と、ゲート電極上に第２ゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられると共にゲート電極に対向するゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第１層間絶縁膜と、半導体層に電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極と、一部がゲート電極の端部に対向して設けられたシールド電極層とを備える。第２ゲート絶縁膜、第１ゲート絶縁膜および第１層間絶縁膜のうちの少なくとも１つはシリコン酸化膜を含む。シールド電極層により、放射線の入射によって生じる正電荷の影響による閾値電圧のシフトが抑制される。 （もっと読む）

【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第１波長の光に感度を有する第１受光部を形成する工程と、前記第１受光部の上に紫外線を吸収する第１紫外線吸収部を形成する工程と、前記第１紫外線吸収部の上に第２波長の光に感度を有する第２受光部を形成する工程と、前記第２受光部の上に紫外線を吸収する第２紫外線吸収部を形成する工程と、前記第２紫外線吸収部の上に第３波長の光に感度を有する第３受光部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置に関し、量子ドット層の層数が制限される制約のなかで光電流を増加させる。
【解決手段】 複数の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広い中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と上下の電極形成層との間にスペーサ層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ガラスを適正な温度に加熱して亀裂を安定して形成し、大版基板から所定サイズの光電変換基板を適正に切り出すこと。
【解決手段】大版基板Ｇ上において、光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側に、所定サイズの光電変換基板を切り出すためのカット溝を形成し、カット溝に対して光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側からレーザーを照射して大版基板Ｇをカットし、所定サイズの光電変換基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】 光結合部における光損失を抑制された光電気混載基板、および光電気混載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 光電気混載基板は、ハンダにより第１基板上に実装された第２基板と、第２基板に実装された電子回路および光電変換素子と、第１基板と第２基板との間において、第１基板に設けられた光導波路と光電変換素子とを光結合させる光結合部とハンダとの間に配置された壁部材と、を備えている。光電気混載基板の製造方法は、光導波路が設けられた第１基板と、電子回路および光電変換素子が実装された第２基板と、の間にハンダを配置するとともに、第１基板の光導波路と光電変換素子とを結合させる光結合部とハンダとの間に壁部材を配置する配置工程と、ハンダにリフロー処理を施すリフロー工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 光伝送損失を低減させる光伝送路を提供する。
【解決手段】 光伝送路は、光の進行方向を変換させる光路変換面を有するコアと、前記コアの周囲を覆い、前記コアの屈折率よりも低い屈折率を有するクラッドと、透過平面視にて前記光路変換面を含む含前記クラッドの表面が凹部の底面として露出するように、前記クラッド上に設けられた樹脂層と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】プレナー型のＰＩＮ−ＰＤを有する受光モジュールの製造に際して、調芯を短時間で行う。
【解決手段】レセプタクルとＣＡＮとの相対位置を調節する調芯工程により調節された位置でレセプタクルをＣＡＮパッケージに固定する。調芯工程は、受光素子による受光電流がピークとなる位置をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向でサーチする工程を含む。サーチ工程では、サーチ範囲（第１所定範囲）内において受光電流がピーク値となる位置を基準としてサーチ方向における両側のそれぞれで、受光電流がピーク値に比して所定の減衰を呈する第１及び第２減衰位置が存在するか否かを判定する。存在する場合、それら位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置とし、レセプタクルとＣＡＮの相対位置をそのピーク位置に調節する。存在しない場合、光ファイバの光強度を大きくするか、或いは、逆バイアス電圧を小さくして、再びサーチする。 （もっと読む）

【課題】透光性基板の外周端面における反射光によるノイズの発生を防止し、且つ、透光性基板の光学的な有効領域の占有率を高くすることが可能な光学デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２が形成された半導体基板１と、半導体基板１の上方に受光素子２を覆うようにして配けられ、接着剤層５を介して半導体基板１に固定された透光性基板４とを備え、透光性基板４は、その外周端面に、上面から下面に向けて広がるように傾斜する湾曲面を有する。 （もっと読む）

本発明は、光の特性を測定する光センサに関する。具体的には、本発明は、光の方向、光のコリメーション、及び光の分布といった光の特性を測定する能力を有する光指向性センサに関する。本発明の第1態様によると、複数の感光性素子(3)を有するフォトセンサ(2)及び該フォトセンサ(2)上に配置される複数の吸光性光選択構造(1)を有する光指向性センサが供される。前記吸光性光選択構造(1)は前記フォトセンサ(2)上に配置されることで、吸光性光選択構造のアレイを形成する。前記吸光性光選択構造のアレイでは、前記吸光性光選択構造の少なくとも一部からなる連続体は、様々な構造特性を有する。前記連続体の個々の構造が、前記アレイに対して各異なる角度の範囲内の光を検知できるように形成されることによって、前記様々な構造特性は実現される。さらに本発明の第2態様によると、本発明の第1態様による光センサの作製方法が供される。
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【課題】低い印加電圧で高い増倍率があげられる光電流倍増素子を得る。
【解決手段】対向する一対の電極２，５と、一対の電極２，５間に設けられる光導電性半導体層３と、光導電性半導体層３と一対の電極の少なくとも一方５との間に設けられる、弁作用のある遷移金属の酸化物からなる薄膜層４とを備え、薄膜層４の厚みが２ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光配線部品又は光電気複合配線部品に光素子が搭載されない簡易な形態とし、かつ、光素子と光配線部品（光導波路）又は光電気複合配線部品（光電気混載基板）の光導波路のコアとを、高い位置精度で結合可能とし得る光導波路及び光電気混載基板、並びに光導波路又は光電気混載基板とコネクタからなる光モジュールを提供すること。
【解決手段】下部クラッド層、パターン化されたコア層、及び上部クラッド層からなる光導波路であって、その一端部に位置合わせ用突き当て部を有し、かつ該コア層の該突き当て部形成端部とは異なる位置に光路変換ミラー面が形成されることを特徴とする光導波路である。 （もっと読む）

【課題】基板上で大きなスペースを占有することなく、光ファイバの端部の位置合わせが容易で、接続及び接続解除を自在にでき、接続完了後は光ファイバが浮き上がることなく固定することができる光学接続構造を提供する。
【解決手段】少なくとも先端屈曲光ファイバと、支持基板と、受発光素子と、支持基板と受発光素子を支持する基板と、光ファイバ位置合わせ溝または貫通孔を有する光ファイバ位置合わせ部材とからなり、基板上に、支持基板および受発光素子が固定され、支持基板上に、光ファイバ位置合わせ部材が固定され、先端屈曲光ファイバは、位置合わせ溝に装着されるかまたは貫通孔を貫通し、先端屈曲光ファイバの先端部が受発光素子の受発光部に位置合わせされ固定されていることを特徴とする光学接続構造。 （もっと読む）

【課題】簡単に製造でき、市販入手可能なＳＯＩ ＳＲＡＭを利用したニュートロン検出構造を提供する。
【解決手段】シリコン-オン-絶縁体メモリセルから作られた中性子検出構造体は、入射中性子を放射帯電粒子に変換するための変換層と、放射帯電粒子を受けるデバイス層と、該デバイス層および変換層に直接隣接して、該デバイス層から変換層を隔てる埋設された酸化物層と、絶縁層と、埋設された酸化物層およびデバイス層に対向して絶縁層上に形成されたパッシベーション層と、デバイス層に電気的な接触を提供する複数の伝導コンタクトとを有する。 （もっと読む）

【課題】レンズを形成しようとする箇所の面積の大小にかかわらず、光学設計上で必要となるレンズ高さ、レンズ曲率およびレンズ径を実現することができる光学半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法では、シリコン基板１１の一方の主面上に絶縁膜１８を積層し、その上に、第１レンズ材料膜１９０を積層する。そして、第１レンズ材料膜１９０に対し、エッチングを施し、絶縁膜１８の上に立設された柱状のレンズ土台部１９を形成する。レンズ土台部１９における露出面を被覆する状態に、第２レンズ材料膜２００を積層し、第２レンズ材料膜２００に対し、その厚み方向内方に向けた途中までエッチバックを実行することにより、レンズ皮膜部２０を形成する。ＣＣＤ型固体撮像装置におけるレンズ２１は、レンズ土台部１９とレンズ皮膜部２０との組み合わせを以って構成されることになる。 （もっと読む）

【課題】直接変換方式のＸ線検出器において、その空間分解能を向上させる。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板のＸ線照射面側にマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記半導体基板の前記Ｘ線照射面と相対向する面上に設けられた平板状の電極とを具えるようにしてＸ線検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】基板と、基板の一方の面に設けられた半導体集積回路部と、基板の他方の面、側面、及び半導体集積回路部の側面を連続的に覆う樹脂層とを有する。複数の半導体集積回路部が形成された基板の半導体集積回路部形成面と、固定基板とをワックスにより固定し、半導体集積回路部ごとに基板を分断する。個々に分断された半導体集積回路部が形成された基板を覆うように樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。 （もっと読む）