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Fターム[5F088FA02]の内容

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【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第1透明電極に積層される第1層間絶縁膜と、第1層間絶縁膜の上に配設される第2の信号読み出し部と、第2の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第2の波長の光に感度を有する第2光電変換膜と、第2光電変換膜に積層される第2透明電極と、第2透明電極に積層される第2層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜の上に配設される第3の信号読み出し部と、第3の信号読み出し部の上に配設され、光の3原色のうち第3の波長の光に感度を有する第3光電変換膜と、第3光電変換膜に積層される第3透明電極と、第1光電変換膜、第2光電変換膜、及び第3光電変換膜を画素毎に隔離する第1隔壁とを備え、前記第1の信号読み出し部、前記第2の信号読み出し部、及び前記第3の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が2次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 (もっと読む)


【課題】光の受光により高効率に電子を発光する受光層を備える受光素子、かかる受光素子を備える受発光素子、受発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 本発明の受発光素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、受光により電子を発生する光導電体層とを有し、該光導電体層は、下記式(1A)で表されるテトラフェニルポルフィリン骨格を有する化合物を主材料として含有する。


[式(1A)中、Bは、白金、パラジウム、マグネシウム、ニッケルまたは亜鉛を表す。
Rは置換基を意味し、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。] (もっと読む)


【課題】回路層に対するIa族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層20は、基板10の面上に形成されてトランジスター12を含む。光電変換素子14は、第1電極41および第2電極42との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層43を含む。供給層34は、回路層20と光電変換層43との間に形成されてIa族元素を含む。光電変換層43に対するIa族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層32は、供給層34と回路層20との間に形成されて回路層20に対するIa族元素の拡散を防止する。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子が備える薄膜の平坦性を高くする。
【解決手段】基板20と、該基板上に設けられた一対の電極32、34と、該一対の電極の間に設けられた少なくとも1層の機能層44、70とを有する光電変換素子10の製造方法であって、光電変換素子の部材を形成する材料を含む液滴を該基板、該電極又は該機能層上に噴霧して電極又は機能層を形成する工程を有し、該工程において、第1のキャリアガスと第2のキャリアガスとを用いる光電変換素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】光触媒作用が向上した光触媒体及び光電極を提供する。
【解決手段】第1半導体層10と、第1半導体層10の伝導帯最下部のエネルギー準位より真空準位に近いエネルギー準位に伝導帯最下部のエネルギー準位を有する第2半導体14と、硫化物12と、を含み、硫化物12が第1半導体層10と第2半導体層14の両方に接触した構成とする。 (もっと読む)


【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第1波長の光に感度を有する第1受光部を形成する工程と、前記第1受光部の上に紫外線を吸収する第1紫外線吸収部を形成する工程と、前記第1紫外線吸収部の上に第2波長の光に感度を有する第2受光部を形成する工程と、前記第2受光部の上に紫外線を吸収する第2紫外線吸収部を形成する工程と、前記第2紫外線吸収部の上に第3波長の光に感度を有する第3受光部を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができ、数画素に亘る感度低下を抑えることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方で二次元状に配列された複数の下部電極104と、各下部電極104と対向して配置された上部電極108と、複数の下部電極104と上部電極108との間に配された光電変換層と、上部電極108の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜110と、上部電極108と封止膜110との間に配置された封止補助層109と、を備える撮像素子であって、封止膜110が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力を緩和する応力緩和層を含み、封止補助層109は、真空蒸着法又はCVDで形成された膜であり、厚さが5nm以上で、内部応力が100MPa以下である。 (もっと読む)


【課題】CZTS等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、Cdを含む材料を必要とすることなく、更に高い発電効率を得ること。
【解決手段】p型半導体層である光吸収層16と、バッファ層18と、窓層20と、を備える光電素子10。光吸収層16が、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層18が、In及びIn(OH)を含む。 (もっと読む)


【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびp型半導体材料とn型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


(式中、Xは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、YはC−Rまたは窒素原子を表す。R、Rは水素原子もしくは置換基を表す。Z、Zは炭素原子もしくは窒素原子を表す。) (もっと読む)


【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電荷変換層の劣化を抑制すると共に、放射線検出器の製造最終工程まで、電荷変換層へバイアス電圧を印加するための電線が邪魔にならないようにする。
【解決手段】延長電極部431は、ガラス基板408上の光導電層の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されており、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧が印加される。このため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、高電圧線432と延長電極部431との接続が、ピン456及びプラグ446により行われるので、放射線検出器400の製造最終工程で、高電圧線432と延長電極部431とを接続することができ、放射線検出器400の製造最終工程まで、光導電層404へバイアス電圧を印加するための高電圧線432が邪魔とならない。 (もっと読む)


【課題】300℃以上の高温での熱処理することなく、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適したIGZO系酸化物薄膜を製造する。
【解決手段】In,Ga,Zn,Oを主たる構成元素とし、組成比が11/20≦Ga/(In+Ga+Zn)≦9/10、且つ3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10、且つZn/(In+Ga+Zn)≦1/3を満たす酸化物半導体薄膜をスパッタリング法により、アルアゴンガス雰囲気下で酸素ガスを導入することなく成膜し、成膜された酸化物半導体薄膜に対して、酸化性雰囲気中で100℃以上、300℃未満の熱処理を施す。 (もっと読む)


【課題】生産性、組成均一性を向上させることができ、かつ低温アニール時に低抵抗化が起こらず、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。
【解決手段】In、GaおよびOを主たる構成元素とする酸化物半導体薄膜であって、In,Gaの組成比が3/4≦Ga/(In+Ga)≦9/10であり、かつ、抵抗率が1Ωcm以上、1×106Ωcm以下を満たすものとする。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式(Y1)で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式(Y1)


(式中、R〜R、R’〜R’、及びR’’〜R’’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。) (もっと読む)


【課題】撮影前の待機タイミングと連動しないタイミングで撮像用の電磁波を照射しても、安定した電磁波情報が得られるようにする。
【解決手段】第1の電極346と複数の第2の電極336と光電変換層340とを有する複数の光電変換器304と、複数の第2の電極に接続された複数のノーマリーオントランジスタ320と、複数のトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段242と、第1の電極に所定の電位を供与する電位供与手段246と、ゲート電圧制御手段と電位供与手段を制御する制御手段210と、電磁波を検知して電磁波検知信号を送信する電磁波検知手段280を備え、第1の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧を0Vとし、電磁波検知信号を受信すると、第1の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲートにオフ電圧を供給するように制御する。 (もっと読む)


【課題】製造時に用いた仮支持体を分離する際に、薄膜素子への損傷を防止しつつ、且つ分離に掛かる手間とコストを低減する。
【解決手段】仮支持体200に分離層202を形成する工程と、前記分離層202上に薄膜素子を含む素子層300を形成する工程と、前記素子層300上に、前記仮支持体200よりも熱収縮率が大きい基板30を接合する工程と、前記基板30を接合した後加熱して、前記基板30を熱収縮させることにより、前記分離層202を介して前記仮支持体200と前記素子層300とを分離する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有する有機光電変換層を含む放射線センサおよびそれを使用した放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線センサは、入射する放射線を、少なくとも該放射線とは異なる波長域の電磁波に変換する蛍光体層50が設けられた第一の可撓性基板18と、電荷発生剤および55質量%〜75質量%のポリマーバインダを含有する電荷発生層44並びに電荷輸送層42を含み、前記電磁波を光電変換する有機光電変換層40と、前記有機光電変換層40で発生した電荷を読み出すための、蓄積容量30および薄膜トランジスタ20を含む電荷検出層60が設けられた第二の可撓性基板10と、前記有機光電変換層40と前記電荷検出層60との間に配置された高分子下引き層12と、を有する。 (もっと読む)


【課題】欠陥画素を分離してリペアしつつ、欠陥画素を分離するための切断箇所を保護した放射線検出素子を提供する。
【解決手段】欠陥画素7AのTFTスイッチ4に接続された走査配線101と信号配線3の少なくとも一方を検出領域S外でかつ保護部32で覆われた部分で切断する。 (もっと読む)


装置は、光送信機;光ファイバから光学信号を受信する光検知器;第1のポートと、光ファイバにより光検知器に連結された第2のポートと、光送信機に連結された第3のポートとを有する光学スプリッタ;並びに光検知器の出力に接続された二段増幅器システムを備える。光検知器の入力表面の直径は、光ファイバの芯の直径に略等しい。このような光検知器の入力表面の直径により、静電容量及び信号歪が低減する。光学スプリッタは、第1のポートで第1の光学信号を受信する。この光学スプリッタは、第1の光学信号を第2のポートに送信し、第3のポートで受信した第2の光学信号を第1のポートに送信するように構成することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、耐衝撃性に優れ、画像欠陥の発生を防止した高画質の放射線画像検出装置を提供することにある。
【解決手段】2次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層を有し、前記下引層にガラス転移温度が−30℃〜90℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。 (もっと読む)


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