【課題】ＢＷを使用せず、良好な高周波特性を実現するとともに、受光部における光信号の強度の低下を防止することができる変換ユニットを得る。
【解決手段】光信号を受光する受光部５１を有し、光信号を電気信号に変換して出力するＰＤ５と、電気信号を増幅するＴＩＡ６と、ＴＩＡ６と電気的に接続されるハンダ付けパッド２４とが、基板２に実装された変換ユニットであって、受光部５１と基板２の実装面とが互いに対向し、受光部５１と対応する位置に光信号が通過するビア２８が設けられ、ＰＤ５とＴＩＡ６との間、およびＴＩＡ６とハンダ付けパッド２４との間の電気信号経路が、基板２の実装面のパターンのみで形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】光電素子を複数備えると共に、レンズを備えない構成であっても通信精度を向上することができる光通信モジュール及びこの光通信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】コネクタ部品が装着される装着凹部１１、及び、導電板３０が底部に設けられた凹所１２が形成されたベース１０を備え、装着凹部１１に装着されたコネクタ部品が有する光ファイバの端部に受光部２２及び発光部２７がそれぞれ対向するように、フォトダイオード２０及びレーザダイオード２５を凹所１２内に配設し、凹所１２内に透光性の合成樹脂を充填した封止部１４を設けて、透光性の合成樹脂により受光部２２及び発光部２７を覆う。封止部１４は、ベース１０の凹所１２内に透光性の合成樹脂をポッティングにより充填して設ける。 （もっと読む）

【課題】外力に対する耐久性に優れ、かつ小型化および低コスト化を実現できる光モジュールの提供。
【解決手段】光ファイバ２と抗張力体３とを有する光ファイバケーブル４の端部に組み立てられる光モジュール１。光ファイバ２が接続される光電変換部９が設けられた回路基板８と、回路基板８に固定される金属製の接続筒体１５と、抗張力体３を接続筒体１５の外面との間に挟み込んで固定するカシメリング１６とを備えている。光ファイバ２は接続筒体１５を挿通して光電変換部９を介して回路基板８に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】タルボ干渉計を利用した放射線位相画像撮影装置において、より製造を容易化するとともに、装置を簡略化してコストの削減を図る。
【解決手段】放射線源１１と、回折格子３０と、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層とその電荷を収集する電荷収集電極とを備えた放射線画像検出器あって、電荷収集電極が、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続した線状電極群が互いに位相が異なるように配置されたものである放射線画像検出器４０とから放射線位相画像撮影装置を構成し、従来の振幅型回折格子を設けないようにする。 （もっと読む）

【課題】光配線と受発光素子との光接続を効率的に行うことができる光基板を、容易かつ低コストで製造する。
【解決手段】第１面に電気配線がパターニングされた絶縁樹脂層と、受発光面を絶縁樹脂層の縁端から突出させた受発光素子と、光入出力面が少なくとも一部で受発光面と接触するように対向配置された光配線とを有する光基板の製造方法は、第１面に銅箔が配置された絶縁樹脂層をパターニングする工程Ｓ１と、絶縁樹脂層の第２面にキャリアフィルムを貼りつける工程Ｓ２と、銅箔に電気配線をパターニングする工程Ｓ３と、銅箔及び絶縁樹脂が除去された絶縁樹脂層の所定の部位にダミーフィルムを配置する工程Ｓ４と、第１面に受発光素子を実装する工程Ｓ５と、キャリアフィルム及びダミーフィルムを剥離する工程Ｓ７と、ダミーフィルムが配置されていた部位に光導波路フィルムを実装する工程Ｓ８とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、環境の温度変化による変形や破壊を防止する。
【解決手段】放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、その光導電層の熱膨張係数ａ１より小さい熱膨張係数を有する基板とがこの順に積層された放射線画像検出器において、基板の光導電層が設けられた側とは反対側に、基板の熱膨張係数より大きい熱膨張係数ａ２を有する変形抑制層を基板に固定して備え、光導電層の膜厚がｄ１であり、変形抑制層の膜厚がｄ２であるとき、下記式（１）を充足するように構成する。
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【課題】基板の取り外しが容易な光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン形成されるパターン本数の違いがあることを利用して、絶縁基板３６に電気的に接続されたフレキシブル基板４０にマルチプレクサ３８を少なくとも搭載し、フレキシブル基板４０の絶縁基板３６側の一端を異方導電性接着剤４０ａによって絶縁基板３６に電気的に接続するとともに、フレキシブル基板４０の絶縁基板３６側とは逆側（信号処理基板４１側）の他端をコネクタ４０ｂによって電気的に接続し、フレキシブル基板４０にパターン形成されるピッチの幅ｄを、マルチプレクサ３８よりも絶縁基板３６側では狭くして、マルチプレクサ３８よりも信号処理基板４１側では広くすることで、マルチプレクサ３８を境界にしてピッチ変換する。その結果、コネクタ４０ｂによって信号処理基板４１の取り外しが容易になる。 （もっと読む）

【課題】良好な接続が可能で、かつ高光結合効率を実現する、光素子の接合構造と、これを用いた光配線装置を提供する。
【解決手段】表面にバンプ等の電極が形成された光素子と、表面に該光素子を接合する電極が形成された基板を具備してなる光素子の搭載構造において、該基板の電極の構造が、略リング状もしくは略リング状の一部を切り欠いた形状であり、光素子と基板が、バンプ等の接合材が該開口部に挿入される形状で接合された構造とする。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ材料の放射線感応膜で構成される二次元放射線検出器において、基板に接する側と膜露出側の膜質を均一化し、電荷収集効率を上げ感度向上を図る。
【解決手段】第一の基板２上に放射線感応膜として機能する積層膜を成膜したあと、前記積層膜が露出している膜面に導電性接着層として機能するカーボン厚膜４を介して第二の基板５を貼り付けた後、前記第一の基板２と前記積層膜の内膜質が思わしくない積層膜３１を研磨除去して、良好な膜質の積層膜３２の膜面を露出させ、該膜面にアクティブマトリクス基板を貼り付けた構造とする。したがって、基板に接する側と膜露出側の膜質を良好で均一なものとすることが可能であり、電荷収集効率を上げ感度向上が期待できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン系フォトダイオードを用いた人工網膜用RGBセンサ素子には、応答速度が速すぎたり、カラーフィルタを付加する必要があったり、基板が剛直すぎたり、コストが掛かるといった種々の問題があった。
【解決手段】人工網膜用RGBセンサ素子として色素増感光電変換素子を用いる。色素を適切に選択することにより、R、G、Bの各波長域の光を吸収し、吸収した光の強度に応じた電気信号を出力するセンサを得ることができる。色素増感光電変換素子は、応答速度がミリ秒オーダーであるため、生体にそのまま使用することができる。また、プラスチック等の可撓性を有する基板上に素子を形成することも可能であり、コストも低廉である。 （もっと読む）

【課題】画像の品質向上または放射線感度の向上を図ることができる放射線検出器およびそれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シンチレータ３１のＸ線入射面側に読み出しパターンＰを積層形成している。したがって、入射されたＸ線は読み出しパターンＰを透過した後にシンチレータ３１の入射面側で大部分が停止して可視光フォトンｐｈに変換される。このとき、シンチレータ３１の入射面側の近傍に読み出しパターンＰがあるので、可視光フォトンｐｈが散乱することなく、あるいは散乱しても可視光フォトンｐｈがさほどに拡がらずに済んで読み出しパターンＰでキャリアとして変換されて読み出される。その結果、画像の品質向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】湾曲した撮像素子を用い且つ安価に製造することが可能なＸ線撮像装置及びＸ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】被検体に対して照射され該被検体を透過したＸ線が入射することで蛍光を発するシンチレータと、該シンチレータが発する蛍光を受光して電気信号に変換する撮像素子とを組み合わせたＸ線撮像装置１３において、前記シンチレータが湾曲して形成されており、前記撮像素子を構成する基板は可撓性を有するとともに前記撮像素子は前記シンチレータと対向する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】検出した画像の画質を向上し、製造歩留まりの高い放射線検出器を提供する。
【解決手段】放射線検出器は、ＴＦＴ回路基板５の上部に画素電極５７を置き、下部光電変換膜３７、導電性中間膜３５、上部光電変換膜３３とを含む光導電層３を形成する。下部光電変換膜３７は、実質的にはＴＦＴ６３および画素電極５７の全域を覆う。下部光電変換膜３７は上部光電変換膜３３を形成する種結晶膜として機能するとともに、画素電極５７との界面で生じるショットキー障壁の大きさを小さくし、また、画素電極５７の表面の凹凸を埋めている。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールと実装基板の接着面に充填された接着剤の残留厚さを接着面で均一とすることができ、実装基板に対する光モジュールの傾きの防止及び光伝送路の破断防止をはかる。
【解決手段】 光伝送路２が挿入されて保持される保持穴９を有し、且つ実装基板８に接着される実装面７を有する光伝送路保持部材１であって、保持穴９の一方の開口端を含む光半導体素子搭載面１ａに電気配線４が形成され、電気配線４は光半導体素子搭載面１ａに隣接する面で且つ実装面７とは異なる面まで延長され、実装面７に規則的な凹凸形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット型赤外線検知器に関し、光電流を低減することなく暗電流を低減する。
【解決手段】 中間層６と格子定数が異なり且つ中間層６より電子エネルギーポテンシャルが低い第１の量子ドット１と、中間層６と格子定数が異なり且つ中間層６より電子エネルギーポテンシャルが高い第２の量子ドット４とを互いに異なる部位になるように中間層６中に設けるとともに、第１の量子ドット１と中間層６の格子定数の大小関係を、第２の量子ドット４と前記中間層６の格子定数の大小関係と逆にする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体に形成された配線層に熱的影響を与えずに支持基板を貼り合わせることができ、また貼り合わせた後の歪の発生を抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基体４内に光電変換素子ＰＤを形成する工程と、半導体基体４の表面側に、絶縁層７中に配線層８を有する配線部を形成する工程と、この配線部のさらに表面側に接着剤層９を形成し、熱処理を行うことにより、接着剤層９を介して支持基板３０を貼り合わせる工程と、半導体基体４を裏面側から薄くする工程とを有し、接着剤層９として、有機ケイ素系材料を原料として用いた炭素添加ＳｉＯ_２膜を形成して固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよＸ線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとＴＦＴを組み合わせて構成する。Ｘ線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりＴＦＴを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は１０＾１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 （もっと読む）

光検出器が、基板上面に形成された入口面と反射面とを備えた半導体基板を含む。反射面は基板表面と鋭角を成しており、そして入口面を通って基板内に透過される光ビームが、反射面から半導体上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。基板上面上には光検出器活性領域が形成され、そして光検出器活性領域は、反射された光ビームが活性領域上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第2基板上に載置することにより、第2基板上に形成されたプレーナー型導波路、又は第2基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを受容することができる。
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