【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】光検知器において、輸送効率を低下させずに、量子ドットの束縛準位へのキャリア供給を十分に行なえるようにして、十分に高い検知効率が得られるようにする。
【解決手段】光検知器を、量子ドット１と、量子ドット１を挟む障壁層２，３とを備える複数の量子ドット層４を含む光検知素子５と、光検知素子５を駆動する駆動回路６とを備えるものとし、駆動回路６を、入射する光に応じて光検知素子５に流れる電流を検知する検知期間以外の期間に、電流とは異なる電流を光検知素子５に流すためのキャリア供給回路を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】
性能、量産性ともに優れた光電気複合配線モジュールおよびこれを用いた伝送装置を提供する。
【解決手段】
光素子２ａ、２ｂを、回路基板１に形成された光導波路１１と光結合できるように、回路基板上１に配置し、光素子の側面または／およびその上部に形成されたバンプの側面にフィレット状に樹脂を形成し、その上層から樹脂フィルムを圧着して絶縁層３１を形成し、電気配線層３を光素子２の電極と電気配線層３の配線が電気的に接続されるように積層し、さらにその上に半導体素子４を実装した構造とすることで、チャネル当たりの伝送速度を高しかつ消費電力の増大を防ぐ。また、水分の影響で光素子の劣化を起こさない構造とし、高い信頼性を実現する。さらに、伝送装置への接続方式が簡便で高い生産性を生み出す。 （もっと読む）

ＰＥＴスキャナ（１０）は、イメージング範囲（１８）を取り囲む検出器モジュール（１６）のリングを有する。各検出器モジュールは、ガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられる１又はそれ以上のセンサ・アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）（３４）を有する。センサＡＰＤ（３４）は、入射光子に対応するシンチレーターからの光に応答してパルスを出力する。同じくガイガーモードでブレイクダウン領域においてバイアスをかけられている基準ＡＰＤ（３６）は、任意に、光を遮られ、アナログ−デジタル・コンバータ（４４）によって測定される電圧を出力する。測定に基づき、バイアス制御フィードバックループ（４２）は、ブレイクダウンパルス（６８）の電圧と予め選択された論理電圧レベル（７０）との間の差が最小とされるように、可変電圧発生器（４８）にＡＰＤ（３４，３６）へ印加されるバイアス電圧を調整するよう指示する。
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【課題】画像の画質を向上させかつ放射線の検出素子の実装及び組み立てを容易にする放射線検出モジュール、並びに放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線検出モジュール２０は、複数の画素Ｐｎを含む半導体部材１と、第１電極３１ｎが半導体部材１の一方側に複数配列されるとともに、他方側に複数の画素Ｐｎにまたがって一つの第２電極３２ｍが設けられ、検出画素Ｐｎに放射線が入射すると検出信号を出力する放射線検出素子３０と、放射線の入射方向に沿って立設するとともに複数の放射線検出素子３０を支持する支持基板２１と、を備える。支持基板２１は、外部の連結部と着脱自在に連結する接続部２１ａを有する。支持基板２１において各放射線検出素子３０を接続することで擬似的に直行する信号読み出し回路を形成し、検出信号の同時判定により放射線の入射位置を特定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上で大きなスペースを占有することなく、光ファイバの端部の位置合わせが容易で、接続及び接続解除を自在にできる光学接続構造を提供する。
【解決手段】カソード極とアノード極が交互に形成されたくし型電極と、電気絶縁性樹脂層と、導電性膜と、受発光素子とがこの順に積層され、くし型電極の各電極と受発光素子の電極パッドがボンディングワイヤで接続されている受発光素子チップ。また、この受発光素子チップの製造方法であって、前記くし型電極は、電極連結部およびくし部からなり、くし型電極と、電気絶縁性樹脂層と、導電性膜と、受発光素子とをこの順に積層し、電極連結部を切断して除去し、くし部のみを単体の電極とする。さらに、この受発光素子チップと、光ファイバと、受発光素子チップ及び光ファイバを実装する支持基板とから構成される光学接続構造。 （もっと読む）

【課題】アクティブ調芯を短時間で行うことができると共に、部品点数の削減と小型化を図ることができる光モジュールおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】光モジュール１０は、基板１１と、基板上に整列して実装されたレーザーダイオードアレイ１４と、基板上に実装されレーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子と電気的に接続されたドライバＩＣ１５と、複数の光ファイバ１６を整列させて保持し、複数の光ファイバの各一端部の中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部の中心とがそれぞれ一致する位置で基板１１に固定される光コネクタ部１２と、カバー１３とを備える。光コネクタ部１２は、複数のファイバ保持孔１２ａの両側に、２つのガイドピン孔１２ｂを有する。基板１１の表面１１ａには、各ガイドピン孔１２ｂを通して視認可能で、光コネクタ部１２の位置決め基準となる２つのアライメントマーク５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。 （もっと読む）

【課題】光スイッチをアレイ化してもスクリーニング効果により、十分なテラヘルツ波の出力が得られない。
【解決手段】テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波エミッタ装置であって、半導体テンプレート１４と、その上に形成されたアンテナパターンとを備え、前記アンテナパターンは、ダイポールアンテナを構成する第１のアンテナ電極と第２のアンテナ電極とからなる光スイッチ１２が複数並べられた光スイッチアレイと、複数の光スイッチ１２の第１のアンテナ電極同士を接続する第１の伝送線路１１と、複数の光スイッチの第２のアンテナ電極同士を接続する第２の伝送線路１１とを有し、複数の光スイッチ１２は、前記第１のアンテナ電極の先端部と前記第２のアンテナ電極の先端部とがギャップ１３を介して対向し、それぞれのアンテナ電極の先端部が、ギャップ１３に向けて漸次幅狭に形成されている。 （もっと読む）

ＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅ放射線イメージング検出器、及び該検出器の安定した性能を保証するために連続的な電極に高電圧を印加する高電圧バイアス部。該高電圧バイアス部は、直径３０μｍより大きく、望ましくは、容易に酸化されない、又はアルミニウムより酸化されにくい物質群から選択された、複数の導体を含む。 （もっと読む）

【課題】伝送速度が高いと共にコストが低い光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光モジュールは、配線部を表面に有する搭載基板と光素子と、搭載基板の表面に水平な部分を含んで湾曲して形成される接続端子部を含むと共に光素子を搭載する素子搭載部とを有する光デバイスとを備え、接続端子の平行な部分と配線部とが接続部材を介して接続される。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜８と、上部電極６、下部電極２、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜４を有し、該光電変換膜が、前記蛍光体膜が発する光を吸収する有機光電変換材料を含む光電変換部１３と、非晶質酸化物により形成された活性層２４を有する電界効果型薄膜トランジスタ１０を有し、前記光電変換部により発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部１４と、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜が順次積層した基板１と、を備え、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜により構成される画素部が前記基板上に複数配列されており、各画素部における前記信号出力部と前記光電変換部とが重なりを有している放射線撮像素子１２。 （もっと読む）

【課題】製造工数を削減した光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法を提供する。
【解決手段】光モジュールに記憶手段を実装することにより、光モジュールが搭載されたホストボードで発光素子および受光素子の特性データに対応した制御を自動的に実現できるので、従来型のホストボードのような光トランシーバモジュールという形態をとる必要がなくなる。この結果、製造工数を削減した光モジュール、ホストボード、およびホストボードの製造方法の提供を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】光を検出する半導体デバイスのバイアス電圧を制御する。
【解決手段】ガンマ線から得られるエネルギーの大きさに対応したチャンネル（波高値）について、複数のチャンネルと各チャンネルの頻度を示す計数とを対応付けた波高分布が形成される。そして、基準線源のガンマ線の全吸収ピークに対応した互いに隣接する二つのチャンネルの計数、つまり、チャンネルc_i-1とc_iの計数n_i-1とn_iが比較される。そして計数n_i-1が計数n_iよりも大きい場合には半導体デバイスのバイアス電圧を増加させ、計数n_i-1が計数n_iよりも小さい場合にはバイアス電圧を減少させる。つまり、n_i-1／n_i＝１となるようにバイアス電圧がフィードバック制御され、波形８０の全吸収ピークＰ_Bがチャンネルc_i-1とc_iの間に維持される。 （もっと読む）

【課題】放射線検出装置を暗電流を低く、残像を低減することができるものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過する正バイアスを印加した第１電極１と、電磁波の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層３と、第１電極１と記録用光導電層３の間に積層された有機高分子層４と、記録用光導電層３に対して第１電極１が設けられている側とは反対側に設けられた第２電極２とからなる放射線検出装置において、有機高分子層４が正孔ブロック性材料を含有するものとする。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、成形・加工性に優れた光情報入出力記録素子、とくに誘電体層に光スイッチ機能として利用できる光導電性を示す有機材料を用い、メモリ性を発現させる電極界面障壁を形成させた光情報入出力記録素子を提供するものである。
【解決手段】 本願発明によれば、有機半導体により構成される半導体活性層と、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート誘電層、ゲート絶縁層からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート誘電層が光導電性を有する有機材料で構成され、入力光の照射により、情報が書き込まれるとともに、その情報が保持記録され、入力光とは異なる波長の光の照射により、記録された情報が消去されることを特徴とする光情報入出力記録素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子を用いる光空間伝送において、小型の波形等化回路を実現する。
【解決手段】入射される光信号を電気信号に変換するＮ個のアバランシェフォトダイオードと、前記Ｎ個のアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を与えるＮ個の電源部と、前記Ｎ個のアバランシェフォトダイオードから出力される電気信号のうち、（Ｎ−１）個の電気信号を遅延させる遅延部と、前記Ｎ個のアバランシェフォトダイオードから出力された電気信号を合成する合成部と、前記合成部から出力される電気信号波形をモニタする波形モニタ部と前記波形モニタ部での波形情報を元に、前記Ｎ個の電源部の出力電圧を制御し、前記Ｎ個のアバランシェフォトダイオードの増倍率を制御する。 （もっと読む）

【課題】ノイズを低減して信頼性を向上させた半導体装置が提供可能であるとともに量産性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板材１１に発光素子、受光素子およびＩＣチップを複数個搭載する搭載工程と、ＩＣチップをシールドする金属ケース１２を発光素子、受光素子およびＩＣチップの上方に配置する配置工程と、金属ケース１２を含めて発光素子、受光素子およびＩＣチップを樹脂封止して樹脂パッケージ８を形成する封止工程と、樹脂封止された金属ケース１２を含めて基板材１１を切断する切断工程とを含む光通信モジュールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の検出基板を高密度に積層可能な放射線検出ユニット、およびこれを用いた放射線検査装置を提供する。
【解決手段】半導体検出ユニット２０は、支持台２１上に、複数の検出基板２２が積層された積層体からなり、検出基板２２は、配線基板２４、２つの半導体検出素子２５、コネクタ２６、スペーサ２８、およびバイアス電圧印加用配線部２９等から構成されている。上下の検出基板２２は、各々のスペーサ２８が互いに接触して積層されている。バイアス電圧印加用配線部２９は、ベースフィルム３０とその下面に形成されたパッド電極３１ａ，３１ｃおよびパッド電極３１ａと３１ｃとを接続する配線３１ｂからなる配線層３１から構成される。バイアス電圧印加用配線部２９は、スペーサ２８とその上側の検出基板２２との間に配置され、スペーサ２８の段差部２８ｂ上で、上側の配線基板２４の下面との間の空間に収容される。 （もっと読む）