【課題】複数の受光部間での高周波特性のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光受信モジュール１は、多芯ファイバ８１からの複数の信号光を同時に受光可能な光受信モジュールであって、信号光を受光するアレイ状に配列された複数の受光部１１ａ〜１１ｄを有し、複数の受光部１１ａ〜１１ｄで受光した信号光に基づいて電気信号を出力する受光素子１０と、複数の第１導電部材４１ａ〜４１ｄと、チップコンデンサ３０ａ〜３０ｄとを備える。各受光部１１ａ〜１１ｄの受光面積は、受光部１１ａ〜１１ｄと接続された第１導電部材４１ａ〜４１ｄの寄生インダクタンスに対応している。 （もっと読む）

【課題】 所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードＮに接続されたフォトダイオード１を備える。バイアス回路３は、逆バイアスである第１の状態とフローティングである第２の状態との間にフォトダイオード１をバイアスすることを可能にする。読み出し回路４は、結合ノードＮに接続され、フォトダイオード１により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド５は結合ノードＮの周りに配置される。金属シールド５は、読み出し回路４の出力に接続され、結合ノードＮの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】回路層に対するＩａ族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層２０は、基板１０の面上に形成されてトランジスター１２を含む。光電変換素子１４は、第１電極４１および第２電極４２との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層４３を含む。供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。光電変換層４３に対するＩａ族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層３２は、供給層３４と回路層２０との間に形成されて回路層２０に対するＩａ族元素の拡散を防止する。 （もっと読む）

【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード１２Ａと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード１２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ったとしても、光ファイバーの先端部の接続強度が確保されて信頼性が高い光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュール(24)は、透光性及び可撓性を有する回路基板(26)の一方の面に実装されたＩＣチップ(34)及び光電変換素子(32)と、回路基板(26)の他方の面に設けられた樹脂層(40)に形成された保持溝(42)内に配置された先端部を有する光ファイバー(23)と、保持溝(42)を覆う補強部材(46)と、光ファイバー(23)の先端と光電変換素子(32)とを回路基板(26)を通して光学的に結合する光学要素とを備える。保持溝(42)は、ＩＣチップ(34)及び光電変換素子(32)の配列方向でみて、ＩＣチップ(34)側に位置する樹脂層(40)の端に開口端を有し、光ファイバー(23)の先端部の少なくとも一部は、ＩＣチップ(34)に沿って延びている。 （もっと読む）

【課題】信号の広帯域化を満足する広帯域特性を得ること。
【解決手段】基板１１０には、光伝送路１７１〜１７４が配列された光伝送路アレイ１７０が接続される。ＰＤアレイ１２０は基板１１０に搭載される。ＰＤアレイ１２０には複数のＰＤ１２１〜１２４が配列される。ＰＤ１２１〜１２４は光伝送路１７１〜１７４からの光をそれぞれ受光する。ＴＩＡ１３１〜１３４は、ＰＤ１２１〜１２４のカソードにバイアス電圧を印加する。ＴＩＡ１３１〜１３４は、ＰＤ１２１〜１２４のアノードに流れる電流信号を電圧信号に変換して出力する。キャパシタ１４１〜１４４は、一端がＰＤ１２１〜１２４のカソードに接続され他端が接地されている。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールにおいて、同一設計の受光素子を用いながら入力インピーダンスの異なるプリアンプを用いた場合にでも良好な周波数通過特性(Ｓ２１)を実現する。
【解決手段】受光素子を搭載した半導体チップ６と、受光素子の出力信号を増幅するプリアンプ２と、受光素子を搭載する絶縁性キャリア基板３と、受光素子の出力信号がキャリア基板上の電極５を介してプリアンプに入力されるように接続し、受光素子を搭載しない状態でキャリア基板上の２電極間の容量値を４０ｆＦ以上とした２電極４、５を有することより解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線による閾値電圧の変化を増幅することができ、また、温度補償を行うことができる二種類の金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を有する放射線量計およびその操作方法を提供する。
【解決手段】放射線量計は、同じ基板に集積された二つの放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）および二つのＭＯＳＦＥＴを含む放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）、または、同じ基板に集積された二つのＲＡＤＦＥＴ、および二つの抵抗器を含むものである。閾値電圧の変化の増幅は、ＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用い、いずれも、第一のＲＡＤＦＥＴのゲートには順方向のバイアスがかけられ、第二のＲＡＤＦＥＴのゲートはバイアスが外される。増幅された差分閾値電圧の変化は、示度モードで測定される。放射線感度が高められたため、ミリラッドの線量測定が可能となり、温度効果およびドリフトは、ほぼ除去される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減し、設計の自由度を向上させ、特性の劣化を防ぐことができる光受信モジュールを得る。
【解決手段】導電性のステム１０の主面に、導電性のサブマウント１２が接続されている。サブマウント１２は、ステム１０の主面に対して傾いた傾斜面１２ａと、実装面１２ｂと、実装面１２ｂから突出した突出部１２ｃとを有する。サブマウント１２の傾斜面１２ａ上に受光素子１６が実装されている。サブマウント１２の実装面１２ｂ上にプリアンプ１８が実装されている。プリアンプ１８は、入力端子１８ａと、出力端子１８ｂと、ＧＮＤ端子１８ｃとを有する。そして、プリアンプ１８は、入力端子１８ａから入力した受光素子１６の出力信号を増幅して出力端子１８ｂから出力する。サブマウント１２の突出部１２ｃとプリアンプ１８のＧＮＤ端子１８ｃはワイヤ２０ｃにより接続されている。 （もっと読む）

【課題】光電素子を複数備えると共に、レンズを備えない構成であっても通信精度を向上することができる光通信モジュール及びこの光通信モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】コネクタ部品が装着される装着凹部１１、及び、導電板３０が底部に設けられた凹所１２が形成されたベース１０を備え、装着凹部１１に装着されたコネクタ部品が有する光ファイバの端部に受光部２２及び発光部２７がそれぞれ対向するように、フォトダイオード２０及びレーザダイオード２５を凹所１２内に配設し、凹所１２内に透光性の合成樹脂を充填した封止部１４を設けて、透光性の合成樹脂により受光部２２及び発光部２７を覆う。封止部１４は、ベース１０の凹所１２内に透光性の合成樹脂をポッティングにより充填して設ける。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性が改善された光レシーバ装置を提供する。
【解決手段】 光レシーバ装置は、出力端子となる第１電極と接地電位とは異なる電源が接続される第２電極とを有する受光素子と、アンプ素子を搭載するとともに上面に信号電極および接地電極からなる接続端子が設けられてなるアンプ回路と、信号電極に対し上面側から受光素子の第１電極の電位を接続する第１導体と、接地電極に対し上面側から受光素子の第２電極の電位を、第１コンデンサを介して接続する第２導体と、を備える。 （もっと読む）

【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第１の電極（１２２）及び第２電極（１０２）の間に配置され、及び光子及び／または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層（１０４）の一部と、
−前記電気信号を増幅及び／または読出すための電子回路（１１０）であって、少なくとも前記第１の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層（１０６）を含むＳＯＤ型基板の表面層を形成し、おおよそ１μｍに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層（１０８）の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールにおいて、組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る技術の提供。
【解決手段】光受信モジュールの基台部は、下段面と立ち上がり面と上段面とがこの順に連なる階段状の部分を有しており、光受信素子を配置するキャリアは、下面の幅よりも上面の幅が短くなっており、上面と前面に渡って配置される基準電圧用膜状配線及び信号電圧用配線が位置し、前記下段面と前記立ち上がり面に沿って配置され、前置増幅回路は、前記上段面に配置される。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】効率よく光電変換ができる光吸収体を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、および当該半導体基板を含む光センサを提供する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上方に設けられたシード体と、シード体に格子整合または擬格子整合し、光または熱を吸収してキャリアを生成する３−５族化合物半導体からなる光熱吸収体とを備え、光熱吸収体が、光熱吸収体に入射する入射光または光熱吸収体に加わる熱に応じて電気信号を出力するセンサを提供する。また、シリコンを含むベース基板と、ベース基板の上方に形成され、ベース基板の表面を露出する開口を有し、結晶成長を阻害する阻害体と、開口の内部に設けられたシード体と、シード体に格子整合または擬格子整合し、光または熱を吸収してキャリアを生成する３−５族化合物半導体からなる光熱吸収体とを備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）