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所定の温度係数を有する抵抗器
記憶素子、記憶装置
【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層との間に配された非磁性体による中間層とを含む層構造を有する記憶素子を構成する。そして上記磁化固定層が、少なくとも2つの強磁性層が結合層を介して積層され、上記2つの強磁性層が上記結合層を介して磁気的に結合し、上記2つの強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。このような構成により、上記記憶層及び上記磁化固定層のそれぞれの磁化の向きがほぼ平行又は反平行とされてしまうことによる磁化反転時間の発散を効果的に抑えることができ、書き込みエラーを低減し、より短い時間で書き込みができる。
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電力検知センサ
【課題】電力検知を精度良く行う。
【解決手段】磁気抵抗素子11を備えた電力検知センサ10であって、測定対象となる負荷Aに印加される電圧を、磁気抵抗素子11の抵抗成分に基づいて検知し、負荷Aに流れる電流を、磁気抵抗素子11の近傍に配置される電気配線waより発生する磁界に基づく磁気抵抗素子の出力変化、および磁気抵抗素子11の磁気抵抗変化に基づいて検知し、電力検知を行う。
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記憶素子、記憶装置
【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともCo−Fe−B磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Liを含むLi系酸化物層とされている。
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記憶素子、記憶装置
【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層14と、磁化の向きが固定された磁化固定層12と、上記記憶層14と上記磁化固定層12との間に配された非磁性体による中間層13と、垂直磁気異方性誘起層15とを含む層構造を有する記憶素子3を構成する。そして、上記記憶層14が、第1の強磁性層14aと第1の結合層14bと第2の強磁性層14cと第2の結合層14dと第3の強磁性層14eとが同順に積層されて、上記第1の強磁性層14aが上記中間層13に接し、上記第3の強磁性層14eが上記垂直磁気異方性誘起層15に接し、上記結合層14b,14dを介して隣接する上記強磁性層14a,14c,14eの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。
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電流検知装置、電流検知素子および電流検知方法
【課題】より広い電流レンジの測定を可能とする。
【解決手段】電流を検知するための素子として、磁界の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子を用いる。磁気抵抗素子の近傍に配置した配線に測定対象の電流が流れた際に発生する磁界に応じた当該磁気抵抗素子の抵抗に基づき、当該測定対象電流の電流値を測定する。また、磁気抵抗素子を、IV特性の直線領域において純抵抗として用いて、当該磁気抵抗素子に測定対象電流を直接流して電流値の測定を行う。これらの、磁気抵抗素子の磁気抵抗効果を利用した電流測定と、磁気抵抗素子を純抵抗として用いた電流測定とを、測定対象電流の電流値に応じて切り替える。
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記憶素子、記憶装置
【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。
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半導体装置、および、その製造方法
【課題】電流により発生する磁場を化合物半導体回路で集約して検出することができる小型で、高感度かつ高精度な電流センサを実現すること。
【解決手段】半導体回路(LSI回路)と化合物半導体回路(ホール素子を有する化合物半導体素子)とが形成された基板に、さらに、化合物半導体素子の直上に、該直下の化合物半導回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状からなる電気配線(コ字型または馬蹄型の形状を呈した金属配線)を形成し、この電気配線に被検出電流を流すようにした。
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三次元磁界センサおよびその製造方法
【課題】構成が簡単で、製造コストを低減できる三次元磁界センサを実現する。
【解決手段】三次元磁界センサ1は、平面である素子配置面40aを有する基板40と、基板40の素子配置面40a側に配置されて基板40と一体化されたMR素子10,20,30を備えている。MR素子10は、磁化固定層11、非磁性層12および自由層13を有し、MR素子20は、磁化固定層21、非磁性層22および自由層23を有し、MR素子30は、磁化固定層31、非磁性層32および自由層33を有している。自由層13,23,33の磁化の方向は、外部磁界Hの方向に応じて変化する。磁化固定層11の磁化の方向は、素子配置面40aに平行なX方向に固定されている。磁化固定層21の磁化の方向は、素子配置面40aに平行であってX方向に直交するY方向に固定されている。磁化固定層31の磁化の方向は、素子配置面40aに垂直なZ方向に固定されている。
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電流センサ
【課題】電流値を精度良く検知する。
【解決手段】磁気抵抗素子11を備えた電流センサ10であって、該磁気抵抗素子11の、磁気抵抗素子11自体に流すセンス電流に応じた出力変化(センス電流部12による出力変化)と、磁気抵抗素子の近傍に配置される電気配線(電気配線wd2等の影響による出力変化)への電流に応じた出力変化と、の2つの出力変化に基づいて測定対象である負荷Aへの電流を測定する。
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生体磁気センサー及びその製造方法
【課題】トンネル磁気抵抗素子を利用した生体磁気センサーにおいて、トンネル磁気抵抗素子の高感度を達成し、高精度に生体磁気を計測する。
【解決手段】ゼロ磁界での強磁性金属磁化自由層4の容易磁化軸4aは、強磁性金属磁化固定層6の容易磁化軸6aに対してねじれの位置にある。好ましくはねじれの角が45度から135度である。また、当該固定層が自由層より上層に積層され、固定層の面積は自由層の面積に対して小さくされる。当該固定層及び自由層がそれぞれ3層とされ、極薄非磁性体金属層を介して第1の強磁性体の磁化の向きと前記第2の強磁性体の磁化の向きとが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体とされる。絶縁層としてはMgO、極薄非磁性体金属層としてはRuが適用される。
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磁気抵抗素子構造の製造方法
【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。
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感知向上層(senseenhancinglayer)を含む磁気感知デバイス
【課題】第1の磁性部分と、第2の磁性部分と、第1の磁性部分と第2の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第1の磁性部分及び第2の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第1の磁性層と、第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積(RA)積が約1.0Ω・μm2であるとき、少なくとも約80%のMR比を有する。
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単一の磁気抵抗センサを使用して磁場の平面方向の磁場コンポーネントを決定するのための装置および方法
【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第1の交流ドライブ電流を第1のストラップに適用し、第1のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第1のストラップが、第1の方向Xに延びる大きさを有することを特徴とし、第2の交流ドライブ電流を第2のストラップに同時に適用し、第2のストラップの少なくとも一部が第1のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第2のストラップが第2の方向Yに延びる大きさを有し、第2の方向が、第1の方向と並行ではなく、第2の交流ドライブ電流が、第1の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。
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磁気センサ
【課題】ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との成す角度に対して検出精度が異なることを簡素な構成で抑制することができると共に、応答速度を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化方向が所定方向に固定されたピン層11および外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層13を有し、ピン層11の磁化方向とフリー層13の磁化方向との成す角度に応じて抵抗値が変化する第1、第2磁気抵抗素子R1、R2を有する検出部10を備える。そして、第1、第2磁気抵抗素子R1、R2をピン層11の磁化方向が互いに直交する状態で直列接続し、検出部10から第1、第2磁気抵抗素子R1、R2の中点電圧を検出信号として出力する。
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半導体装置
【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路BLDU,BLDD,BLBDU,BLBDDは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子TMR,TMRBを第1の磁化状態に初期設定するために、制御信号線BL,BLBに直流電流を流す。電源配線DLは、トンネル磁気抵抗素子TMR,TMRBに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子TMR,TMRBは、電源配線DLに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第2の磁化状態に変化する。センスアンプ10は、トンネル磁気抵抗素子TMR,TMRBが第1の磁化状態から第2の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線BL,BLBを介してトンネル磁気抵抗素子TMR,TMRBに流れる電流を検出する。
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電流センサ
【課題】所望のS/Nとなる電流センサを提供する。
【解決手段】被測定電線21が挿通される磁気コア2と、磁気コア2に配置されたホール素子3と、磁気コア2に巻回された負帰還コイル4と、ホール素子3の電流入力端子3a,3aに直流定電流I2を供給する電源部5と、ホール素子3の電圧出力端子3b,3b間に発生する出力電圧V1に基づいて負帰還コイル4に負帰還電流I3を供給する電流生成部6と、負帰還コイル4に接続されて負帰還電流I3を検出電圧V2に変換して出力する終端抵抗7とを備え、測定電流I1の非検出時における検出電圧V2に含まれる予め規定された周波数でのノイズのパワースペクトル密度を算出しつつ、電源部5に対する制御を実行して直流定電流I2の電流値を変更することにより、算出しているパワースペクトル密度を予め規定された基準密度DErefに一致させる補正処理を実行する処理部9を備えている。
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ホール素子
【課題】特性ばらつきの少ないホール素子を提供する。
【解決手段】P型基板7に、平面図で正方形になるN型ウェル6を設ける。ホール素子10の四隅以外には、N型ウェル6の上部にP型拡散層5を設け、ホール素子10の四隅には、N型ウェル6の上部にN型拡散層1〜4を設ける。そして、P型拡散層5とP型拡散層5の下のN型ウェル6との間に空乏層が発生する電圧をP型拡散層5に印加する。
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スピン伝導素子
【課題】外部磁場が半導体チャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗を利用したスピン伝導素子1は、スピンを半導体チャンネルに注入するための第一強磁性体12Aと、スピンを半導体チャンネルから抽出するための第二強磁性体12Bと、第一強磁性体12Aから第二強磁性体12Bまで延びる半導体チャンネル7と、第二強磁性体12B、及びあるいは、半導体チャンネル7を覆う磁気シールドS1と、第二強磁性体12B、及びあるいは、半導体チャンネル7と磁気シールドS1との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。
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歪検知装置及びその製造方法
【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第1、第2埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第1、第2配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第1、第2配線層と電気的に接続され、第1磁性層を含む。第1、第2埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第1、第2配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。
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