【課題】ＭＲＡＭセルに比べてより高い温度で確実に書き込まれ得る熱アシストされた書き込み操作と自己参照読み出し操作とに適した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。
【解決手段】メモリセルは、第１部分２’と第２部分２”とを有する磁気トンネル接合部分から構成され、各部分が、記憶層２３，２４とセンス層２１，２２とトンネル障壁層２５，２６とから構成され、この磁気トンネル接合が、当該２つの記憶層との間に反強磁性層２０をさらに有し、これらの記憶層の各々の記憶磁化方向を臨界温度未満でピン止めし、これらの記憶磁化方向を臨界温度以上で自由にする。 （もっと読む）

【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が１０ｎｍ以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、第１の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第２の保護膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１００と非磁性絶縁層１１０と磁化自由層１２０を有する強磁性トンネル接合素子１０において、磁化自由層１２０は非磁性金属層２２１を挟んで強磁性層２２０、２２２を有し、２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の方向が互いに平行である。２つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気抵抗材料と集積回路とを巧みに統合することのできる、磁気抵抗素子構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する工程と、上記基板の上に金属ダマシン構造を形成する工程と、該金属ダマシン構造に電気的に接続するように該金属ダマシン構造の上にパターン化磁気抵抗ユニットを形成する工程とを含む、磁気抵抗素子構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合を有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合２は、シンセティック記憶層２３、可逆性であるセンス磁化方向２１１を呈するセンス層２１、及びこのセンス層とこの記憶層との間のトンネル障壁層２２から構成される。正味の漂遊局所磁界が、前記記憶層を前記センス層に結合させる。前記正味の漂遊局所磁界は、センス層に結合する前記正味の漂遊局所磁界が５０エルステッド未満であるような漂遊局所磁界である。また、ＭＲＡＭセルに書き込み、ＭＲＡＭセルを読み出すための方法に関する。当該開示されたＭＲＡＭセルは、従来のＭＲＡＭセルに比べてより低い消費電力で書き込まれ且つ読み出され得る。 （もっと読む）

【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路ＢＬＤＵ，ＢＬＤＤ，ＢＬＢＤＵ，ＢＬＢＤＤは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢを第１の磁化状態に初期設定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢに直流電流を流す。電源配線ＤＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢは、電源配線ＤＬに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第２の磁化状態に変化する。センスアンプ１０は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢが第１の磁化状態から第２の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢを介してトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに流れる電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】低コストで広帯域の読出方式の、磁壁で区切られた磁区毎に情報が記録された磁
性配線を有する磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁区、及び前記磁区を仕切る磁壁を有する第１磁性細線と、前記第１磁性細
線の両端部に配置される電流導入用電極と、前記第１磁性配線に隣接して設けられる書き
込み部と、前記第１磁性配線に交差するように設けられる第２磁性細線と、前記第２磁性
配線の一端部に設けられるスピン波発生部と、前記第２磁性配線の他端部に設けられるス
ピン波検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】小さい書き込み磁界及び読み出し磁界をそれぞれ使用して書き込みされ得て読み出しされ得るＭＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】ＭＲＡＭセル１は、磁気トンネル接合２が高温閾値で加熱されるときに第１方向から第２方向に調整可能であり且つ低温閾値でピン止めされる正味の記憶磁化方向を有する記憶層２３と、可逆性である正味のセンス磁化方向を有するセンス層２１と、このセンス層をこの記憶層から分離するトンネル障壁層２２とから構成された磁気トンネル接合を有する。記憶層２３とセンス層２１とのうちの少なくとも１つの層の補償温度で、その第１磁化方向とその第２磁化方向とがほぼ等しいように、記憶層２３とセンス層２１とのうちの少なくとも１つの層が、３ｄ−４ｆアモルファスフェリ磁性合金材料から成り、その材料が、第１磁化方向を提供する３ｄ遷移金属原子の副格子と、第２磁化方向を提供する４ｆ希土類原子の副格子とを有する。 （もっと読む）

【課題】実施形態による、磁壁制御が容易な磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子１００は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線２０と、前記磁性細線２０に対して前記第１の方向又は前記第１の方向と逆方向に通電可能な一対の第１の電極３０と、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記磁性細線２０上に設けられた第１の絶縁層４０と、前記第２の方向であって前記第１の絶縁層４０上に離間して設けられた複数の第２の電極５０と、複数の前記第２の電極５０と電気的に接続された第３の電極６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外部磁場が半導体チャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗を利用したスピン伝導素子１は、スピンを半導体チャンネルに注入するための第一強磁性体１２Ａと、スピンを半導体チャンネルから抽出するための第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びる半導体チャンネル７と、第二強磁性体１２Ｂ、及びあるいは、半導体チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、第二強磁性体１２Ｂ、及びあるいは、半導体チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気転移温度より高い温度でも電気磁気効果を発現する電気磁気効果材料を提供する。
【解決手段】 磁性イオンを含むオケルマナイト構造を有する電気磁気効果材料を用いた電気磁気効果素子であって、前記電気磁気効果材料はＡ_２ＭＸ_２Ｏ_７であって、ＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａであり、ＸはＧｅ，Ｓｉであり、Ｍは磁性イオンである電気磁気効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】出力値を変化させる不揮発性抵抗変化素子の状態を、出力動作を止めることなく変化させることができる集積回路を提供する。
【解決手段】不揮発性抵抗変化素子（１０）の抵抗を変化させるための書き込み端子（１１）と、該抵抗を読み出すための読み出し端子（１２）とを別々に有し、電気的にカップリングしていない該書き込み端子と読み出し端子とを用いて書き込み動作と読み出し動作を同時にできる不揮発性抵抗変化素子を有する回路を含む集積回路（５０）である。該回路には該不揮発性抵抗変化素子の抵抗値に応じた出力値を出力する出力端子（２２）と、該抵抗値を変化させる入力端子（１１）を少なくとも有する。該出力端子からの出力の一部を、該入力端子に帰還させることができる。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】導電性非磁性体からなるマトリックス中に、硬磁性体および軟磁性体からなる群から選択される少なくとも１種の磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル用に適し且つ第１強磁性層とトンネル障壁層と第２強磁性層とから成る磁気トンネル接合を製作する方法を提供する。
【解決手段】第１強磁性層を形成すること、トンネル障壁層２２を形成すること及び第２強磁性層を形成することから成る。当該トンネル障壁層２２を形成することは、金属製のＭｇ層を蒸着すること及び当該金属のＭｇをＭｇＯ層２２ａに変えるために当該蒸着された金属製のＭｇ層を酸化することから成る。当該トンネル障壁層が、少なくとも２つのＭｇＯ層２２ａから成るように、当該トンネル障壁層を形成するステップが、少なくとも２回実施される。 （もっと読む）

【課題】４個のトランジスタと２個のＭＴＪ素子からなり、電源を印加しないでも不揮発性メモリとして動作するＳＲＡＭからなる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２のインバータ２，４と第１及び第２の転送用ＭＯＳＦＥＴ３，５とを含むメモリセル１からなるＳＲＡＭにおいて、第１及び第２のインバータ２，４はスピン注入型のＭＴＪ素子６，８と駆動用ＭＯＳＦＥＴ７，９とからなり、これらのインバータ２，４からフリップフロップ回路が構成され、第１及び第２のインバータ２，４の出力端子は、それぞれ第１及び第２の転送用ＭＯＳＦＥＴ３，５を介してビットライン及びビットラインバーに接続され、第１及び第２の転送用ＭＯＳＦＥＴ３，５のゲートは、同一のワードラインに接続される。従来のＳＲＡＭに比較してメモリセルの面積が小さく、高速で低消費電力の不揮発性メモリが得られる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の３つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第１の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第２の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第３の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら３つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜を、真空容器８０１内に導入されたＣとＯの元素を含むＣＯ含有ガスにソース電力を印加することでＣＯ含有ガスをプラズマ化し、生成したＣＯ含有プラズマを用い加工する際に、該ＣＯ含有プラズマにて被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力８０６を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後ＣＯ含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 （もっと読む）