【課題】ＦｉｎＦＥＴの特性が均一な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上層部分に凹部を形成する工程と、前記凹部内に犠牲材を配置する工程と、前記半導体基板及び前記犠牲材を選択的に除去することにより、一方向に延び、周期的に配列された複数本のフィンを形成する工程と、前記フィン間の空間の下部に素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記犠牲材を除去する工程と、前記フィンの露出面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜上に、前記フィンを跨ぐように、前記一方向に対して交差した方向に延びるゲート電極を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低コスト且つ安定した品質で，一方向のリード端子を持つ磁電変換素子を実装基板に対し垂直方向に実装した電流センサを提供する。
【解決手段】 一方向のリード端子を持つ磁電変換素子のリード端子を略直角に折り曲げて素子支持部を形成し、形成した前記素子支持部の先端部を更に実装基板側へ略直角に折り曲げ、実装基板に設けた実装用リード端子挿入孔に挿入して磁電変換素子の実装位置が固定できる位置決め用曲げ部を設けた。
また，磁電変換素子を実装基板に対し垂直方向に実装するため，磁電変換素子のリード端子を略直角に折り曲げて形成した素子支持部の両端を，実装基板面上にハの字状に成形し、磁電変換素子の自立安定性を持たせた。 （もっと読む）

【課題】 室温付近かつ弱磁場の条件下で電気磁気効果を有する電気磁気効果材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気磁気効果材料は、一般式（Ｓｒ_1-αＢａ_α）₃（Ｃｏ_1-βＢ_β）₂Ｆｅ₂₄Ｏ_41+δ（但し、式中、ＢはＮｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｍｇ及びＣｕからなる群から選ばれる一種以上の元素であり、α、β、δはそれぞれ０≦α≦０．３、０≦β≦０．３、−１≦δ≦１である。）で示される酸化物セラミックスを主要成分として構成され、２５０〜３５０Ｋの温度範囲かつ０．０５テスラ以下の磁場範囲において電気磁気効果を有する。本発明の電気磁気効果材料の製造方法は、焼成を酸素又は空気雰囲気中で１１００〜１３００℃の温度範囲で行い、焼成後、酸素雰囲気中で温度を２〜１００時間で室温まで冷却する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基板への磁性原子の導入時間を短縮することができるとともに、室温でも使用可能な磁性半導体を実現する磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置を提供する。
【解決手段】レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気レーストラック・メモリ・デバイスを提供すること。
【解決手段】レーストラック・メモリ・デバイスは、レーストラックに沿った一連の磁区壁の操作を容易にする。レーストラックは、磁区壁エネルギが、隣接するピン止め部位の間で連続的な形で増減し、その結果、磁区壁が、それらの間で貼り付かなくなるように設計される。レーストラックに沿った磁区壁エネルギの変動は、レーストラックの幅の連続的変動（一定の厚さを維持しながら）、または断面積の連続的変動（レーストラック寸法がレーストラックの長さに垂直な両方の方向で変更される）、あるいはその両方によって実現することができる。代替案では、この磁区壁エネルギの変動を、それ以外の点ではレーストラックの形状およびサイズを無変更に保ちながら、レーストラックに沿ったレーストラックの磁気特性を変更することによって実現することができる。さらに、レーストラックの組成または形状あるいはその両方の変動を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】シャッタ板に付着するターゲット物質等に起因してターゲット間にクロスコンタミネーションが生じることを防止できるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に互いに相違する物質からなる第１及び第２のターゲットを載置し、スパッタ粒子を通過させる通過箇所とスパッタ粒子を遮断する遮断箇所とからなるシャッタ板を用い、第１ターゲットからのスパッタ粒子を遮断した箇所とは異なる位置で第２ターゲットからのスパッタ粒子を遮断するように、上記シャッタ板の回転角度を制御する構成とする。 （もっと読む）

非酸化物材料又は既にドーピングされた酸化物材料である半導体材料であって、前記半導体材料は、マンガン（Ｍｎ）がドーピングされ、室温と５００Ｋとの間の範囲における少なくとも１つの温度で強磁性を示す。好適には、前記マンガンがドーピングされた材料は、５ａｔ％以下のマンガン濃度を持つ。
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本発明は、半導体材料、材料の製造方法、材料の実装方法に関する。その材料は、Ｃｕ又はＣｕＯがドーピングされて、−５５℃〜１２５℃の範囲における少なくとも１つの温度において強磁性を示す。典型的には、その材料は、ＧａＰ又はＧａＮを含む。
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