【課題】ナノ構造を有し、大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】導電性非磁性体からなるマトリックス中に、硬磁性体および軟磁性体からなる群から選択される少なくとも１種の磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】電池の磁気計測装置において、磁気雑音の強い環境においても磁気センサの出力を飽和させることなく、充放電時における電池内部の電流によって発生する磁気信号を正確に計測でき、リチウムイオン電池内部の電流分布を可視化する。
【解決手段】充放電前に、個々の磁気センサで測定される磁気と逆相の磁気を、個々の磁気センサの周囲に配置したキャンセルコイルに発生させ、その後、充放電時の磁気データから充放電前に記録した磁気データ（補正用磁気データ）を差し引くことによって磁気雑音を低減し、充放電時におけるリチウムイオン電池から生じる磁気信号を正確に計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの集積度が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１領域において上面に第１方向に延びる複数本のフィンが形成された半導体基板と、前記第１方向に対して交差した第２方向に延び、前記フィンを跨ぐ第１ゲート電極と、前記フィンと前記第１ゲート電極との間に設けられた第１ゲート絶縁膜と、前記第２領域において前記半導体基板上に設けられた第２ゲート電極と、前記半導体基板と前記第２ゲート電極との間に設けられた第２ゲート絶縁膜と、を備える。そして、前記第１ゲート電極の層構造は、前記第２ゲート電極の層構造とは異なる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、部品の搭載、及び部品間の電気的な接続を容易に行うことができる筐体を提供する。
【解決手段】筐体１は、電子部品が搭載される搭載領域２７の周囲の高さが搭載領域２７の高さ以下であり、配置されたリードフレーム４ａ及びリードフレーム４ｂの表面が露出する基部２ａ、及びリードフレーム４ａ及びリードフレーム４ｂの表面の一部が覆われる被覆部２ｂ、を有する第１の筐体２と、第１の筐体２の形状に応じて形成され、第１の筐体２と溶着される溶着部３６を有する第２の筐体３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及び小さな静電容量を用いた回路により、検出素子の出力信号を直流成分を除いて増幅する小型な信号処理装置を得る。
【解決手段】 入力信号が第１のインピーダンスを介して反転入力端子に入力される第１のオペアンプと、第１のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第２のインピーダンスと、基準電圧が非反転入力端子に入力され、出力端子が第１のオペアンプの非反転入力端子に接続された第２のオペアンプと、第２のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第１の静電容量と第１のスイッチと、第２のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と前記第２のオペアンプの反転端子とに接続された第３の抵抗と、第３のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と第２のオペアンプの反転端子とに接続された第４の抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図ること。
【解決手段】半導体に磁界を加えると抵抗が変化する磁気抵抗体１０を備えている磁気抵抗素子で、磁気抵抗体１０が、基板１１上に設けられた薄膜状の半導体層１２ａからなる感磁部１２と、感磁部１２上に配置された複数の短絡電極１３，１３とを備え、半導体層１２ａの厚みが、０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。半導体層１２ａの延在方向に対して垂直方向の半導体層の幅をＷ、複数の短絡電極間の一定間隔の距離をＬとしたときに、距離Ｌと幅Ｗの比であるＬ／Ｗが、０．１８以上０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子に対するバイアス磁界の強さを確保しつつバイアス磁界の強さのばらつきを抑制して、センサの検出精度を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗素子を備えるセンサチップ３を基板２にベアチップ実装することにより、モールドＩＣを用いる従来の磁気センサにおけるモールド成形工程を廃止し、モールド成形に基づくセンサチップ３と磁石５との相対位置のばらつき要因を排除する。また、磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石５を基板２に接合することにより、センサチップ３を磁石５に実装する従来の磁気センサと比較して、高導電率の磁石５を用いることが可能になり、磁気抵抗素子に対して強いバイアス磁界を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】センシング精度を向上させることのできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】このセンサ装置は、リードフレーム３０のチップ搭載部３１に実装された半導体チップ１０を封止した第１の樹脂部材２０からリードフレーム３０のリード部３２ａ〜３２ｃが導出された半導体パッケージ１を有する。そして、このセンサ装置では、半導体パッケージ１が第２の樹脂部材２１によって覆われている。ここでは、リード部３２ａ，３２ｃの第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１のそれぞれの位置決めに利用される貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、シリコン基板２４と、シリコン基板２４上に少なくともＮｉＣｏパターン３１とアルミ電極３０とを含んで形成される回路部３と、シリコン基板２４上に回路部３のＮｉＣｏパターン３１と同工程において形成される低反射パターンとしてのＮｉＣｏパターン２２と、ＮｉＣｏパターン２２上に形成され、回路部３のアルミ電極３０と同工程において形成される高反射パターンとしてのアルミパターン２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】組立時や落下時に衝撃が加わっても壊れることが無く、簡素な構成で性能を維持できる小型の位置検出装置およびこれを用いたレンズ鏡筒を提供する。
【解決手段】固定部材１と、加圧部材１９、配線部材１７、及び磁気抵抗素子からなり、固定部材に取り付けられる位置検出装置と、位置検出装置に重畳して設けられ、加圧部材よりも大きい保護部材７と、固定部材に対して回転する回転部材３と、回転部材に取り付けられ、所定のピッチでＮ，Ｓ極が着磁された磁気記録媒体９とを有し、磁気抵抗素子が磁気記録媒体の移動量を検出することで、固定部材に対する回転部材の位置を検出するレンズ鏡筒１であって、磁気抵抗素子の感受面は磁気記録媒体に対向して設けられ、保護部材は加圧部材の輪郭を覆うように配置される構成とした。 （もっと読む）

【課題】増幅率が予め定められた増幅率であるかを判定することができる検出装置および電流センサを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る検出装置１は、主に、検出対象の変化を検出して検出信号を出力するホールセンサ２と、ホールセンサ２から出力された検出信号を増幅して第１の増幅信号を出力する増幅部３と、増幅部３に入力して第２の増幅信号として出力される基準電圧を増幅部３に供給する基準電圧供給部４と、入力する制御信号に基づいてホールセンサ２と増幅部３との接続、または増幅部３と基準電圧供給部４との接続を切り替える切替部５と、増幅部３に予め定められた増幅率と、第２の増幅信号から得られる増幅率と、を比較した結果を比較信号として出力する比較部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。
【解決手段】実施形態による磁気記憶素子は、第１電極１１と、第２電極１２と、前記第１電極１１と前記第２電極１２との間に設けられ、複数の第１磁性層１４１および、この第１磁性層１４１の間に設けられ、第１磁性層１４１とは構成元素の組成が異なる第２磁性層１４２を含む積層構造と、前記第１電極１１の前記積層構造側の面の反対の面に設けられる圧電体１５と、前記圧電体１５の前記第１電極１１が設けられる位置と異なる位置に設けられ、前記圧電体１５に電圧を印加する第３電極１３を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図る。
【解決手段】ＧａＡｓ単結晶基板（１１）上に、ＳｎドープＩｎＳｂ薄膜（１２ａ）をエピタキシャル成長させ（図２（ａ））、ＩｎＳｂ薄膜（１２ａ）をメサエッチングして感磁部１２を形成し、さらに、感磁部１２の上に、保護膜１６として窒化シリコン薄膜を形成する（図２（ｂ））。短絡電極１３、取り出し電極１４および接続電極１５を形成する部分の窒化シリコン薄膜（１２ａ）を除去し（図２（ｃ））、真空蒸着法により、各電極１３〜１５を蒸着し、リフトオフ法で短絡電極１３、取り出し電極１４および接続電極１５を形成した。これら電極は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造とし、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ＝１００ｎｍ／２０ｎｍ／４５０ｎｍとした。そして、感磁部（１２）および短絡電極１３を含む全面に軟樹脂層１７としてゴム系樹脂を形成した（図２（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】磁壁が静止した状態から移動状態に遷移させるために必要な電流密度を低減化することができるとともに、磁壁の移動を安定に行うことができる磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気記憶素子は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線と、前記磁性細線に前記第１方向の電流および前記第１方向と逆方向の電流を流すことが可能な電極と、電気的な入力を受け、前記磁性細線の全体または一部の領域の磁壁の移動をアシストするアシスト部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価ができる磁気センサを提供すること
【解決手段】 磁気センサ１０は、外径１２５μｍの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材１１の外周面に磁気抵抗薄膜１２を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜１２の軸方向両端に導体膜１３を成膜して形成される。導体膜が電極部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の空き領域が少ない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭの各メモリセルＭＣは、磁気抵抗素子１８と２つのアクセストランジスタ１９ａ，１９ｂを含み、トランジスタ１９ａ，１９ｂのドレインを磁気抵抗素子１８を介して対応のビット線ＢＬに接続し、それらのゲートを対応のワード線ＷＬに接続し、それらのソースをそれぞれソース線ＳＬおよび補助配線ＡＬに接続する。したがって、アクセストランジスタ１９ｂのソースとＤＬドライバ１４に含まれるドライバトランジスタ２３のソースとを共通化することができ、シリコン基板３１の表面の空き領域を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】誘導磁気の影響を抑えて高精度に位置を検出する。
【解決手段】本発明に係る位置検出ユニット１００は、磁気コイル１０６ｃを有し、磁力により駆動力を発生させるボイスコイルモータ１０６と、ボイスコイルモータ１０６により駆動されるレンズ移動枠１０２と、レンズ移動枠１０２の位置を検出するＭＲセンサ１１０と、磁気コイル１０６ｃに流れる電流に基づいて、ＭＲセンサ１１０の出力を補正する補正部（検出アンプ１２２、減算部１２６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気検出装置に比べて、配置による製造精度のばらつきを抑制した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０上に放射状に区分けされた領域のうち少なくとも対向する領域に配置され、第１の方向に長手方向を有する第１の磁気抵抗素子群と、放射状に区分けされた領域のうち、少なくとも対向する領域であって、第１の磁気抵抗素子と隣り合う領域に、第１の方向と直交する第２の方向に長手方向を有する第２の磁気抵抗素子群と、第１の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子を複数組み合わせて、当該組み合わせた複数の磁気抵抗素子を直列に接続したもので抵抗部分を構成し、複数の当該抵抗部分でブリッジ回路を構成する配線部とを有する。 （もっと読む）