本発明は、ホールセンサ素子に関する。当該基板は、主要表面を備えた基板と、前記主要表面から前記基板内まで延在している、導電性のアクティブ領域と、前記アクティブ領域と、第１の下方のコンタクト面で接触している、基板内の導電性の第１埋設層とを有している。別の観点では、本発明は、上記のホールセンサ素子を用いた磁界の測定方法を実現する。ここでは、電気的な測定電流は主要表面での第１の上方コンタクト電極と第１の下方コンタクト面との間で、アクティブ領域を通って導かれる。第１の下方コンタクト面と第１の上方コンタクト電極との間の接続線に対して傾斜して延在する区間に沿って、アクティブ領域でホール電圧が検出される。択一的に、測定電流が上記の区間に亘って、アクティブ領域を通って導かれ、ホール電圧が第１の上方コンタクト電極と第１の下方コンタクト面との間で検出される。
（もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧のスピン注入電流により高抵抗状態から低抵抗状態へ書き換えることができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐウエル２にはソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。ソース領域３上には強磁性体層６が形成され、ドレイン領域４上には強磁性体層９が形成されている。強磁性体層９上には、非磁性体層１０、第３強磁性体層１１が形成されている。ｐウエル２上にはオーミック電極１３が形成されている。強磁性体層６と強磁性体層１１は磁化が不変とされ、強磁性体層９は磁化が可変とされる。さらに、強磁性体層１１とオーミック電極１３との間には、強磁性体層９を介して電流が流される。 （もっと読む）

【課題】より大きな巨大磁気抵抗現象を持つとともに複数の端子の出力能力を備えた磁気トランジスタが必要となる。
【解決手段】第１の磁性領域と、第２の磁性領域と、導電領域と、第１の金属端子と、第２の金属端子とを備えた磁気トランジスタである。導電領域は第１の磁性領域と第２の磁性領域との間に配設されるとともに、第１の磁性領域および第２の磁性領域に直接接触している。第１の金属端子は第１の磁性領域における導電領域に対向する表面の一端に配設されている。第２の金属端子は第２の磁性領域における導電領域に対向する表面の一端に配設されるとともに、第２の金属端子と第１の金属端子とはほぼ対角関係となっている。磁気トランジスタが作動すると、電流は導電領域から第１の磁性領域および第２の磁性領域に流れる。 （もっと読む）

本発明は、磁性多層膜、その製造方法及び磁性メモリにおける応用に関するものであり、当該磁性多層膜の各層が閉鎖の円環形または楕円環形であり、その磁性セルには、強磁性を有する薄膜層の磁気モーメントまたは磁束が、時計方向または反時計方向の閉鎖状態に形成される。本発明は、また前記の閉鎖形状磁性多層膜の幾何中心位置に1つの金属芯が設けられる磁性多層膜に関するものであり、当該金属芯の横断面が対応的に円形または楕円形状である。本発明は、さらに前記閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）磁性多層膜により製造される磁性メモリ。本発明は、微細加工方法によって前記閉鎖形状磁性多層膜を製造する。本発明に係る閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）形状の磁性多層膜は、磁気ランダムアクセスメモリ、コンピュータ磁気読み出しヘッド、磁気センサー、磁気論理デバイス、スピントランジスタなどのような磁性多層膜を核とする各種のデバイスに広く用いられる。
（もっと読む）