【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の３つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第１の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第２の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第３の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら３つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高いシフトレジスタ型記憶装置及びデータ記憶方法を提供する。
【解決手段】一態様によれば、一方向に沿って連なり、その特徴方向が前記一方向に延びる回転軸についてそれぞれ回転可能な複数の回転子を備えたシフトレジスタが提供される。前記複数の回転子には一軸異方性が付与され、前記複数の回転子は、隣り合う２つの前記回転子毎に複数の対に組分けされており、同一の前記対に属する２つの前記回転子には、前記特徴方向を反平行とするような第１の力が作用し、隣り合う前記対に属する隣り合う２つの前記回転子には、前記第１の力よりも弱く、前記特徴方向を反平行とするような第２の力が作用する。 （もっと読む）

【課題】磁気情報の記録される強磁性半導体層（magnetic Semiconductors、MS）自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果（Planar Hall Effect）または磁気抵抗（Magnetoresistance）を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】基板１１０と、前記基板１１０上に形成され、多重ドメイン状態を用いて多重の状態を平面ホール効果または磁気抵抗値を通じて貯蔵しセンシングする強磁性半導体層１２０と、前記強磁性半導体層上に形成された絶縁膜１３０と、前記絶縁膜上に形成された第１電流ライン１４０と、前記第１電流ライン上に形成された絶縁膜１５０と、前記絶縁膜上に形成された第２電流ライン１６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 耐久性に優れたスピンメモリの実現。
【解決手段】 強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。書き込み動作時には、強磁性ワード線と前記非磁性ビット線との間に電流を流し、強磁性ワード線から非磁性ビット線にスピンを蓄積させることで磁気抵抗効果素子の自由層の磁化方向を反転させる。読み出し動作時には、非磁性ビット線と配線との間に電流を流し、磁気抵抗効果素子の膜厚方向に電流を流す。 （もっと読む）