【課題】低電流書き込みと外部磁場耐性を両立した磁性体記憶装置を提供することにあり、特にフリー層の磁気特性のシフトを抑制する手段を提供する。
【解決手段】書き込み配線を挟んで２つの磁性体フリー層２，３が配置され、一方の磁性体フリー層にトンネル絶縁体層４と磁性体ピン層５とが積層された磁性体記憶素子において、もう一方の磁性体フリー層近傍に第２の磁性体ピン層６を設ける。これら２つの磁性体ピン層の漏れ磁場やネールカップリング磁界を用いて、２つの磁性体フリー層の磁気特性シフトをそれぞれゼロに調整する。 （もっと読む）

【課題】飽和磁化の低い材料を記憶層に用いた場合においても、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７を構成する強磁性層の上面に、もしくはこの強磁性層よりも下層に、一軸異方性を持つテクスチャー構造１１Ａ，１７Ａが形成されている記憶素子を構成する。 （もっと読む）