【課題】書き換え特性の劣化が抑制される半導体装置を提供する。
【解決手段】メモリセル領域ＲＭでは、半導体磁気記憶装置における磁気抵抗素子１８は、一方向に延在するディジット線３と、これと略直交する方向に延在するビット線３２とが交差する部分に配置される態様で、アレイ状に形成されている。ディジット線３とビット線３２は、配線本体となる銅膜３ｂ、３１ａにクラッド層３ａ、３６ａを被覆した配線構造とされる。磁気抵抗素子１８の一端側は、非磁性材料から形成されたトップヴィア２５ａを介してビット線３２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】Ｍｎを含有する反強磁性層と、前記反強磁性層上に形成された、下部強磁性層、非磁性層、および上部強磁性層を含み下部および上部強磁性層が反強磁性結合している積層型の磁化固着層であって、さらに下部および上部強磁性層のうち前記反強磁性層に近い下部強磁性層は第１および第２の２つの強磁性層の間にＭｎ拡散防止層として機能する、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、ＥｕおよびＳｃからなる群より選択される少なくとも１種の元素の酸化物、窒化物または炭化物を含む絶縁層を挟んだ構造を有する磁化固着層と、前記磁化固着層上に形成されたトンネルバリア層と、前記トンネルバリア層上に形成された磁化自由層とを具備したことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 （もっと読む）

【課題】 動作マージンの大きな磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。第１書き込み線４ａは、第１方向に沿って延び、第１方向に向かう電流のみが供給される。第２書き込み線４ｂは、第１方向に沿って延び、第１方向とは逆向きの第２方向に向かう電流のみが供給される。第３書き込み線３ａは、第１方向と直交する第３方向に沿って延びる。第１電極５４ａは、第１、第３書き込み線間に設けられる。第１プラグ５５ａは第１電極に接続され、第１書き込み線より第３方向に沿って下側に設けられる。第２電極５４ｂは、第２、第３書き込み線間に設けられる。第２プラグ５５ｂは、第２電極に接続され、第２書き込み線より第３方向に沿って上側に設けられる。磁気抵抗効果素子は、第１書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置、第２書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 ショートの発生を防止可能なＭＴＪ積層構造を有する磁気メモリセルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。その後、ＣＭＰプロセスにより全面を平坦化研磨してＭＴＪ積層構造２０領域以外のシリコン酸化物層５３を選択的に除去した後、エッチングにより、ＭＴＪ積層構造２０の真上にある保護層５２を選択的に除去する。ＭＴＪショートが少なく、しかも、ビット線とフリー層との距離が制御されたＭＲＡＭセル構造を得ることができる。さらに、従来に比べて耐熱性に優れたＭＲＡＭセル構造を得ることもできる。さらに、製造工程において、ＣＭＰプロセスのマージンが大きくなるので、製造が容易となる。 （もっと読む）

【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）