【課題】磁気抵抗効果を利用した相変化メモリ素子とその動作及び製造方法を提供する。
【解決手段】基板に備えられたスイッチング素子及びスイッチング素子に連結されたストレージノードを備え、ストレージノードは、スイッチング素子に連結された下部電極、下部電極上に形成された第１相変化層、第１相変化層上に形成された磁気抵抗層、磁気抵抗層上に形成された第２相変化層、及び第２相変化層上に形成された上部電極を備えることを特徴とする相変化メモリ素子である。 （もっと読む）