【課題】環境温度によらず、熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、記憶層は正の磁歪定数を持つ磁性層を有するようにし、上記層構造に加えてさらに、負熱膨張材料層が設けられるようにする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層と、少なくとも１つの非磁性層を有し、酸化物層、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも２層の強磁性層とＣｒを含む非磁性層とを有する積層フェリピン構造とする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Ｌｉを含むＬｉ系酸化物層とされている。 （もっと読む）

【課題】短パルス幅領域での反転電流の増加を防ぎ、熱安定性を確保して高速動作が可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも２層の強磁性層と非磁性層とを有する積層フェリピン構造とし、かつ、いずれかの上記強磁性層に接して反強磁性酸化物層が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第１の交流ドライブ電流を第１のストラップに適用し、第１のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第１のストラップが、第１の方向Ｘに延びる大きさを有することを特徴とし、第２の交流ドライブ電流を第２のストラップに同時に適用し、第２のストラップの少なくとも一部が第１のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第２のストラップが第２の方向Ｙに延びる大きさを有し、第２の方向が、第１の方向と並行ではなく、第２の交流ドライブ電流が、第１の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。
【解決手段】 磁気メモリ素子は、磁化が可変の第１の強磁性層と、第１のバンド及び第２のバンドを有する第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第１、第２埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第１、第２配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第１、第２配線層と電気的に接続され、第１磁性層を含む。第１、第２埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第１、第２配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】実施形態による、磁壁制御が容易な磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子１００は、第１方向に延在し、磁壁により隔てられた複数の磁区を有する磁性細線２０と、前記磁性細線２０に対して前記第１の方向又は前記第１の方向と逆方向に通電可能な一対の第１の電極３０と、前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記磁性細線２０上に設けられた第１の絶縁層４０と、前記第２の方向であって前記第１の絶縁層４０上に離間して設けられた複数の第２の電極５０と、複数の前記第２の電極５０と電気的に接続された第３の電極６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｉ_Ｄ^Ｐ／Ｉ_Ｄ^ＡＰ比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース／ドレインの一方となる第１磁性層と、前記第１磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース／ドレインの他方となる第２磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２積層部を含む磁気記憶素子が提供される。第１積層部は、第１強磁性層／第１非磁性層／第２強磁性層を含む。第１強磁性層の磁化は面直に固定され、第２強磁性層の磁化方向は面直に可変である。第２積層部は、第３強磁性層／第２非磁性層／第４強磁性層を含む。第３強磁性層の磁化方向は面内方向に可変であり、第４強磁性層の磁化は面直に固定されている。第３強磁性層の位置での第１、第２、第４強磁性層からの漏れ磁界Ｈｓ、第３強磁性層の磁気異方性Ｋｕ、ダンピング定数α、磁化Ｍｓ及び反磁界係数Ｎｚは、Ｋｕ≦αＭｓ（８πＮｚＭｓ−Ｈｓ）を満たす。電流によりスピン偏極した電子と、第３強磁性層で発生する回転磁界と、を第２強磁性層に作用させ、第２強磁性層の磁化方向を決定できる。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリの動作不良を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、垂直磁気異方性を有し、磁化の向きが可変な記憶層と、垂直磁気異方性を有し、磁化の向きが不変な参照層と、記憶層と参照層との間の非磁性層１１と、磁化の向きが不変なシフト調整層と、を含む。参照層は第１の磁化温度依存性ＬＭ１を有し、シフト調整層は参照層と異なる第２の磁化温度依存性ＬＭ２を有する。メモリ動作温度下において、参照層の漏れ磁場とシフト調整層の漏れ磁場とは互いにキャンセルされ、実装温度下において、参照層の漏れ磁場及びシフト調整層のうち一方に起因するシフト磁界が、記憶層の磁化に印加される。 （もっと読む）

【課題】高密度化が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記憶素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間の第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間の２非磁性層と、を含む。積層方向を法線とする平面で切断したとき、第３強磁性層の断面積は前記第１積層部よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第１の磁性体３０と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第２の磁性体１０と、磁性層１０，３０の間の非磁性体２０とを、含む。第１及び第２の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン（Ｂ）及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層３０１を備え、磁性層３０１において、希土類金属の含有量は、２０ａｔ．％以上であり、遷移金属の含有量は、３０ａｔ．％以上であり、ボロンの含有量が、１ａｔ．％以上、５０ａｔ．％以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリの動作不良を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、第１領域内の第１の磁気抵抗効果素子１Ａと、第２の領域の磁気抵抗効果素子１Ｘとを含む。第１の磁気抵抗効果素子１Ａは、磁化の向きが可変な第１の記憶層１０と、磁化の向きが不変な第１の参照層１２と、非磁性層１１と、第１のシフト調整層１３と、を含む。第２の磁気抵抗効果素子１Ｘは、磁化の向きが可変な第２の記憶層１０と、磁化の向きが不変な第２の参照層１２と、第２の非磁性層１１と、第２のシフト調整層１３Ｘと、を含む。第２のシフト調整層１３Ｘの膜厚ｔ２は、第１のシフト調整層１３の膜厚ｔ１以下である。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶素子と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。磁気記憶素子は積層体を含む。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、通電される電流によって磁化が回転して発振が生じる第３強磁性層と、磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。制御部は、第２強磁性層の磁化の向きに応じた第３強磁性層の発振の周波数の変化を検出することで、第２強磁性層の磁化の向きを読み出す読み出し部を含む。 （もっと読む）