【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。
【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される１つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小さい書込み電流を用いてフリー磁性層の磁気モーメントの方向を変えるように適合された構造体、デバイス、メモリ及びそれらを形成するための方法を提供することである。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成するための方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、第１の強磁性層と、第１の強磁性層に近接した第１の非磁性スペーサ層と、第１の非磁性スペーサ層に近接した第２の強磁性層と、第２の強磁性層に近接した第１の反強磁性層とを含む。例えば、第１の強磁性層は第１の固定強磁性層を含むことができ、第２の強磁性層はフリー強磁性層を含むことができ、第１の反強磁性層はフリー反強磁性層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複合材料体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の巨大磁気抵抗複合材料体は、高分子材料で形成したポリマー基材と、複数のカーボンナノチューブと、を備えている。前記複数のカーボンナノチューブは、前記ポリマー基材に埋め込まれ、前記ポリマー基材における複数のカーボンナノチューブが前記ポリマー基材に間隔を置いて設置される。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供す
る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記
第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからな
る薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層
と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変
化する。 （もっと読む）

【課題】負のＭＲ比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層１３を挟む配置に磁性層１２、１４ａが形成されたトンネル磁気抵抗効果膜３０であって、前記トンネルバリア層１３の一方の側の磁性層１２がFeN層であることを特徴とする。前記トンネルバリア層１３を挟む他方の側の磁性層１４ａは、磁化の向きが固定された固定磁性層として設けられている。 （もっと読む）

【課題】 動作マージンの大きな磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。第１書き込み線４ａは、第１方向に沿って延び、第１方向に向かう電流のみが供給される。第２書き込み線４ｂは、第１方向に沿って延び、第１方向とは逆向きの第２方向に向かう電流のみが供給される。第３書き込み線３ａは、第１方向と直交する第３方向に沿って延びる。第１電極５４ａは、第１、第３書き込み線間に設けられる。第１プラグ５５ａは第１電極に接続され、第１書き込み線より第３方向に沿って下側に設けられる。第２電極５４ｂは、第２、第３書き込み線間に設けられる。第２プラグ５５ｂは、第２電極に接続され、第２書き込み線より第３方向に沿って上側に設けられる。磁気抵抗効果素子は、第１書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置、第２書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 電界制御磁気素子及び電界制御磁気メモリ素子に関し、常磁性元素の強磁性化或いは強磁性元素の常磁性化を室温において電気的に制御する。
【解決手段】 電極１／絶縁膜２／遷移金属からなる導電体層３の積層構造を有するとともに、導電体層３に絶縁膜２を介して電圧を印加してフェルミ準位の位置を移動させることによって、常磁性−強磁性遷移或いは強磁性−常磁性遷移を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ショートの発生を防止可能なＭＴＪ積層構造を有する磁気メモリセルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。その後、ＣＭＰプロセスにより全面を平坦化研磨してＭＴＪ積層構造２０領域以外のシリコン酸化物層５３を選択的に除去した後、エッチングにより、ＭＴＪ積層構造２０の真上にある保護層５２を選択的に除去する。ＭＴＪショートが少なく、しかも、ビット線とフリー層との距離が制御されたＭＲＡＭセル構造を得ることができる。さらに、従来に比べて耐熱性に優れたＭＲＡＭセル構造を得ることもできる。さらに、製造工程において、ＣＭＰプロセスのマージンが大きくなるので、製造が容易となる。 （もっと読む）

【課題】垂直通電型の磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 その結果として、素子抵抗を上昇させることなく、室温あるいはそれよりも昇温した温度範囲において、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、微孔性またはメソ細孔性マトリックスおよび金属または金属酸化物ナノ粒子からなる複合材料に関する。該材料は、マトリックス材料が、不規則的、または規則的であり、任意に配向しており、ならびに、ナノ粒子が、i)マトリックス材料が、規則的であり、任意に配向している場合、サイズにおいて単分散であり、ii)または前記マトリックス材料が、不規則的である場合、サイズにおいて単分散であるか、またはマトリックス材料の空隙率のサイズと同一のサイズであることを特徴とする。該材料を調製するための方法は、微孔性またはメソ細孔性固体材料にナノ粒子前駆体溶液を含浸させ、次いでマトリックスを形成する材料内で前駆体を還元する工程を含む。含浸は、飽和蒸気圧下および前駆体溶液の還流下で行い、還元は、放射線分解法によって行う。
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