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Fターム[5F092BC02]の内容

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【課題】面積抵抗のばらつきを抑えつつ、大きなMR変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子4は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層L1,L2と、第1の磁性層L1と第2の磁性層L2との間に位置するスペーサ層16と、を有している。スペーサ層16は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含む主スペーサ層16bを有している。 (もっと読む)


【課題】低電流書き込みと外部磁場耐性を両立した磁性体記憶装置を提供することにあり、特にフリー層の磁気特性のシフトを抑制する手段を提供する。
【解決手段】書き込み配線を挟んで2つの磁性体フリー層2,3が配置され、一方の磁性体フリー層にトンネル絶縁体層4と磁性体ピン層5とが積層された磁性体記憶素子において、もう一方の磁性体フリー層近傍に第2の磁性体ピン層6を設ける。これら2つの磁性体ピン層の漏れ磁場やネールカップリング磁界を用いて、2つの磁性体フリー層の磁気特性シフトをそれぞれゼロに調整する。 (もっと読む)


【課題】従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。
【解決手段】酸化物、窒化物、酸窒化物、金属のいずれか1つからなるスペーサ層を上下方向から挟み込むようにして形成した、磁化方向が実質的に固着された第1の磁性層及び第2の磁性層を含む磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層に隣接して配置された電流バイアス発生部からのバイアス磁界、あるいは前記スペーサ層の主面上において、再生感磁部を除いた両端部に接触するようにして設けた交換結合層からの交換結合によって、前記スペーサ層の磁区制御を行い、磁気ノイズの発生を低減した磁気抵抗効果素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することを可能にする。
【解決手段】第1面およびこの第1面と反対側の第2面を有し磁化の向きが可変の磁化自由層10と、磁化自由層の第1面および第2面のうち第1面側に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層6と、磁化自由層と磁化固着層との間に設けられた第1トンネルバリア層8と、磁化自由層の第2面に設けられた第2トンネルバリア層12と、第2トンネルバリア層の磁化自由層と反対側の面に接するように設けられた非磁性層14とを備え、磁化自由層の磁化の向きは、磁化固着層と非磁性層との間で通電することにより変化可能であり、第1トンネルバリア層と第2トンネルバリア層の抵抗比が1:0.25〜1:4の範囲にある。 (もっと読む)


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