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Fターム[5F092BC06]の内容

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【課題】読み出し時の誤書き込みを抑制する磁気素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1導電層と、第2導電層と、中間配線と、第1積層部と、第2積層部と、を備えた磁気素子が提供される。中間配線は、第1導電層と第2導電層との間に設けられる。第1積層部は、第1導電層と中間配線との間に設けられる。第1積層部は、第1方向に磁化が固定された第1強磁性層と、第1強磁性層と積層され、磁化の方向が可変である第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含む。第2積層部は、第2導電層と中間配線との間に設けられる。第2積層部は、磁化の方向が可変である第3強磁性層と、第3強磁性層と積層され、第2方向に磁化が固定された第4強磁性層と、第3強磁性層と第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 MAMR用途において、低電流密度下で磁界生成層(FGL)を発振させ得るスピントランスファー発振器(STO)構造を得る。
【解決手段】
主磁極20とライトシールド26との間に形成されるSTO構造に、垂直磁気異方性(PMA)を有する2つのアシスト層27a,32を設ける。このSTO構造は、シード層21/スピン注入層(SIL)22/第1のスペーサ層23/第1のPMAアシスト層27a/複合FGL40/第2のスペーサ31/第2のPMAアシスト層32/キャップ層25なる構成を有する。複合FGL40は、下部FGL27bと、上部FGL29と、これらの間の中間結合層28とからなるシンセティック反強磁性構造を有する。SIL22および2つのPMAアシスト層27a,32は、それぞれ、(CoFe/Ni)x 等からなる積層体である。 (もっと読む)


スピン注入型ランダムアクセスメモリ(STRAM)等の不揮発性メモリセル(140,154)にデータを書込むための装置および関連する方法。いくつかの実施例に従うと、抵抗性検知素子(RSE)(140)は、ヒートアシスト領域(150)、磁気トンネル接合(MTJ)(142)およびピン止め領域(152)を有する。スピン分極された電流を用いてMTJに第1論理状態が書込まれるとき、ピン止め領域およびヒートアシスト領域は、各々、実質的にゼロの正味磁気モーメントを有する。静磁場を用いてMTJに第2論理状態が書込まれるとき、ピン止め領域は実質的にゼロの正味磁気モーメントを有し、ヒートアシスト領域は非ゼロの正味磁気モーメントを有する。
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【課題】磁気メモリ素子及びその情報の書き込み及び読み取り方法を提供する。
【解決手段】反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、SAF構造で形成される磁気メモリ素子である。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果の再現性を向上させた磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置を提供する。
【解決手段】磁気デバイスの製造装置は、磁気回路37を用いてターゲットTの表面に漏洩磁場を形成し、ターゲットTの表面における水平磁場の強度を2000(Oe)〜3000(Oe)にする。そして、基板11にトンネルバリア層を積層するとき、表面における水平磁場が2000(Oe)〜3000(Oe)の下で酸化マグネシウムを主成分とするターゲットTをスパッタさせる。 (もっと読む)


【課題】 高い動作特性を有するMTJ素子を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも第1強磁性層2と、第2強磁性層4と、第1強磁性層と第2強磁性層とに挟まれた絶縁材料からなるトンネルバリア層3と、を含む磁気抵抗効果素子の製造方法は、磁気抵抗効果素子の一部を構成する第1層を形成する工程を含む。第1層での最大昇温速度が+10℃/s以上となる条件で第1層が加熱される。第1層上に第2層が形成される。第1層を形成する工程と第1層を加熱する工程と第2層を形成する工程とは、背圧2×10-6Pa以下の雰囲気下で行われる。 (もっと読む)


【課題】 書き込み電流の大きさを低減可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】 読み出し時のスピンフィルタを構成する読み出し用強磁性体5の磁化の向きは、固定層1の磁化の向きと同一である。この場合、スピン分極電流によってフリー層3のスピンに働くトルクが「零」となる。磁気メモリの集積度を向上させるように、素子寸法を小さくすると、スケーリング則に従って、書き込み電流を小さくすることができる。本発明では、読み出し電流によるスピン注入磁化反転に対する耐性が高くなっているため、書き込み電流の大きさを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び及び反強磁性結合エネルギー(J)を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 非磁性中間層4bは下からRu層11、Rh層12、及びRu層13の順に積層形成されている。これにより、前記非磁性中間層4bの膜厚を特に変更することなく(従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても)、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び反強磁性結合エネルギー(J)を、前記非磁性中間層4bをRhだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。 (もっと読む)


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