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Fターム[5F092BD01]の内容

Fターム[5F092BD01]の下位に属するFターム

磁性体 (453)
非磁性体 (381)

Fターム[5F092BD01]に分類される特許

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【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置1は、半導体基板22上に形成された下部電極55と、下部電極55上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層53と、電気磁気効果層53上に形成された上部電極51と、上部/下部電極51、55間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層53の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層57とを有している。 (もっと読む)


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