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Fターム[5F092BD07]の内容

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Fターム[5F092BD07]に分類される特許

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【課題】I/IAP比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース/ドレインの一方となる第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース/ドレインの他方となる第2磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 (もっと読む)


【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する第1半導体層12と、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2半導体層16と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層14と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層20と、を具備する光不揮発性メモリ。 (もっと読む)


【課題】ソース及びドレインにハーフメタルを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】一方のスピンに対し金属的スピンバンド構造を、他方のスピンに対し半導体的スピンバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられた半導体層と、強磁性ソースと半導体層との間及び強磁性ドレインと半導体層との間に設けられた金属層と、半導体層に対して形成されるゲート電極と、ソース及びドレインに対して形成された非磁性コンタクトと、を有し、金属層は、半導体層との界面において、ショットキー接合を形成し、非磁性コンタクトのフェルミエネルギーは、それぞれ強磁性ソース及び強磁性ドレインの半導体的スピンバンドのバンドギャップ中を横切るトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】スピン注入源におけるスピン注入効率を向上させる。
【解決手段】スピン注入源は、非磁性導電体、MgO膜、強磁性体から構成され、強磁性体から非磁性導電体にスピンを注入する。MgO膜が、300℃〜500℃で熱処理されたものである。熱処理時間は30〜60分間であることが好ましい。熱処理により酸素欠損等が増加し、MgO膜の電気抵抗が低下する。 (もっと読む)


【課題】スピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う電流−スピン流変換素子であって、変換効率の高い電流−スピン流変換素子及び該素子を用いた装置を提供する。
【解決手段】本発明の電流−スピン流変換素子は、5d遷移金属酸化物のスピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う。また、本発明のスピン蓄積装置は、注入されるスピンを蓄積する非磁性体と、前記非磁性体内にスピンを注入する注入手段と、を有するスピン蓄積装置であって、前記注入手段は、前記非磁性体上に設けられた、請求項1または2に記載の電流−スピン流変換素子と、前記電流−スピン流変換素子に、スピンホール効果によって前記非磁性体に向かうスピン流が生成されるように、電流を流す電源と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基板への磁性原子の導入時間を短縮することができるとともに、室温でも使用可能な磁性半導体を実現する磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置を提供する。
【解決手段】レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層103と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層102とを備える。 (もっと読む)


【課題】消費電力を抑制し、占有面積の増大を抑制したスピントランジスタ及び集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態のスピントランジスタは、第1の入力端子を有し、第1の入力端子から入力される第1の信号により第1の磁化方向に偏極する第1の磁性体領域と、第2の入力端子を有し、第2の入力端子から入力される第1の信号とは異なる第2の信号により第1の磁化方向とは逆向きの第2の磁化方向に偏極する第2の磁性体領域と、第3の入力端子と、第1の出力端子とを有し、第3の入力端子から入力される第3の信号により第1の磁化方向に偏極して第1の磁性体領域から供給される第1の信号を第1の出力端子から出力し、第3の入力端子から入力される第3の信号とは異なる第4の信号により第2の磁化方向に偏極して第2の磁性体領域から供給される第2の信号を第1の出力端子から出力する第3の磁性体領域と、を備える。 (もっと読む)


【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGe(0≦x≦1)層を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛薄膜の結晶性(品質)を維持したまま、キャリアを得るための不純物を添加せずにキャリヤ濃度を制御して、室温において飽和磁化と残留磁化が大きな値の強磁性を発現する酸化亜鉛薄膜からなる磁性半導体とその製造方法及び強磁性発現方法を提供する。
【解決手段】磁性半導体の製造方法は、遷移元素を添加した酸化亜鉛の原料ターゲット19から原料を飛散させて基板20上に薄膜を成膜する薄膜製造装置10を用い、原料ターゲット19と基板20との間にグリッド電極18を設置し、グリッド電極18に電圧を印加し、原料をグリッド電極18を通過させることで基板20上に薄膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】強磁性半導体膜への効率的なスピン注入を可能とすること。
【解決手段】本発明は、InAsを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。本発明によれば、InAsを含む強磁性半導体膜を用いることにより、強磁性金属膜に印加される電圧が小さくとも強磁性半導体膜にキャリアをスピン注入することができる。よって、強磁性金属膜から強磁性半導体膜への効率的なスピン注入が可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、磁気ノイズが低く、高いSN比を有する磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供することにある。
【解決手段】磁気再生ヘッドにおいて、第一の非磁性導電体101から固定層105を介して第二の非磁性導電体103へ電流を流しながら、第一の非磁性導電体101と第一の自由層102との間の電圧と、第二の非磁性導電体103と第二の自由層104との間の電圧との差分から記録媒体1704の漏洩磁気を検出する。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】スピン電界効果論理素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。 (もっと読む)


【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、GaAsを含む半導体膜10と、半導体膜10上に設けられた酸化ガリウム膜20と、酸化ガリウム膜20上に設けられた導電性膜30と、を具備し、酸化ガリウム膜20は、半導体膜10および導電性膜30の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。 (もっと読む)


本発明は、電子バンド構造によって特徴付けられ得る電子物性を有する新型のギャップレス半導体材料であって、電子バンド構造が、第1の電子スピン偏極についての価電子帯及び伝導帯部分であるVB1及びCB1をそれぞれ含み、並びに第2の電子スピン偏極についての価電子帯及び伝導帯部分であるVB2及びCB2をそれぞれ含む、新型のギャップレス半導体材料を提供する。価電子帯部分VB1は第1エネルギー準位を有し、CB1及びCB2のうちの1つが、VB1とCB1及びCB2のうちの1つとの間でギャップレス電子遷移が可能となるように位置する第2エネルギー準位を有し、並びにエネルギーバンドギャップがVB2とCB1及びCB2のうちのもう一方との間で規定されるように、ギャップレス半導体材料が調製されている。
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【課題】トランジスタ内に含まれる強磁性体に磁化状態によって情報を記憶し、キャリアのスピンの向きに依存するトランジスタの出力特性を用いて情報を読み出す不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】絶縁性の強磁性体からなるトンネル障壁385と該トンネル障壁385を挟み込む強磁性体からなるソース381及び非磁性体または強磁性体からなるドレイン383とにより形成されるトンネル接合構造と、前記トンネル障壁385に対して形成されるゲート電極391と、を有するトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ内に含まれる強磁性体に磁化状態によって情報を記憶し、キャリアのスピンの向きに依存するトランジスタの出力特性を用いて情報を読み出す不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】絶縁性の非磁性体からなるトンネル障壁365と該トンネル障壁365を挟み込む強磁性体からなるソース361及び強磁性体からなるドレイン363とにより形成されるトンネル接合構造と、前記トンネル障壁365に対して形成されるゲート電極371と、を有するトランジスタ。 (もっと読む)


スピントランジスタ及びその駆動方法を開示する。開示されたスピントランジスタは、特定方向のスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質で形成されたチャネルと、磁性物質で形成されたソースと、ドレインとゲート電極とを備える。該ゲート電極に所定電圧を印加すれば、該チャネルは特定方向にスピン分極された電子のみを選択的に通過させ、したがって、トランジスタは選択的にターンオンされる。
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【課題】チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。
【解決手段】スピントランジスタ10は、基板上に設けられ、かつ磁化方向が固定された第1の強磁性層14と、基板上に第1の強磁性層14から第1の方向に離間して設けられ、かつ磁化方向が可変の第2の強磁性層15と、第1の方向に延在するように基板上に設けられ、かつ第1の強磁性層14及び第2の強磁性層15に挟まれた複数のフィン12と、複数のフィン12にそれぞれ設けられた複数のチャネル領域13と、複数のチャネル領域13上に設けられたゲート電極19とを含む。 (もっと読む)


【課題】 より偏光度の高い円偏光の光を発する素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子は、p型半導体層とn型半導体層とが活性層を介して接合されており、順方向のバイアスを印加することで発光する半導体発光素子であって、p型半導体層およびn型半導体層がそれぞれ強磁性体である構成である。再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。したがって、より偏光度の高い円偏光の光を発生する発光素子を形成することができる。 (もっと読む)


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