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Fターム[5F092BD14]の内容

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Fターム[5F092BD14]に分類される特許

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【課題】I/IAP比を高めることのできるスピントランジスタおよびメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるスピントランジスタは、基板上に形成されたソース/ドレインの一方となる第1磁性層と、前記第1磁性層上に設けられチャネルとなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ前記ソース/ドレインの他方となる第2磁性層と、前記絶縁膜の側面に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記絶縁膜の前記側面との間に設けられたゲート絶縁膜と、備えている。 (もっと読む)


【課題】外部磁場が半導体チャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗を利用したスピン伝導素子1は、スピンを半導体チャンネルに注入するための第一強磁性体12Aと、スピンを半導体チャンネルから抽出するための第二強磁性体12Bと、第一強磁性体12Aから第二強磁性体12Bまで延びる半導体チャンネル7と、第二強磁性体12B、及びあるいは、半導体チャンネル7を覆う磁気シールドS1と、第二強磁性体12B、及びあるいは、半導体チャンネル7と磁気シールドS1との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電界を駆動力とする低消費電力な電界駆動型強磁性共鳴励起方法を実現し、この方法を用いたスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子、及びこれらを用いた論理素子、また、この方法を用いた高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子を提供する。
【解決手段】伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層2と、磁気異方性制御層1とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層3及び電極層4を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する。そして、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより、効率的に超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起する。 (もっと読む)


【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する第1半導体層12と、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2半導体層16と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層14と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層20と、を具備する光不揮発性メモリ。 (もっと読む)


【課題】磁壁の移動が可能となる閾値電流密度を、従来技術であるスピントルクを利用して電流で磁壁移動を行った場合と比較して低減する磁壁移動型の磁気記録素子構造及び閾値電流密度を低減化させる磁気記録方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁壁移動型の磁気記録素子は、金属層/磁性層/非伝導層の3層膜から構成される実効磁場発生構造を持ち、前記磁性層に電流を流したときに発生する実効磁場とスピントルクを用いて前記磁性層中の磁壁の位置を制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高い信号出力を有するスピン蓄積型磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 第1の電極層の一端上に、第1の絶縁層を介して積層された第1の強磁性体層と、第1の電極層の他端上に、第1の絶縁層よりも大きな接合面積を持つ第2の絶縁層を介して積層された第2の強磁性体層と、第1の強磁性体層に接続されている検出電極と、第2の強磁性体層に接続されている第2の電極層とを備え、第1の電極層の幅lbが、第1の絶縁層から第2の絶縁層方向に向かうにつれ大きくなり、かつ第1の絶縁層と第2の絶縁層の間で一定の幅を持つ部分laを備えている。 (もっと読む)


【課題】ソース及びドレインにハーフメタルを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】一方のスピンに対し金属的スピンバンド構造を、他方のスピンに対し半導体的スピンバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられた半導体層と、強磁性ソースと半導体層との間及び強磁性ドレインと半導体層との間に設けられた金属層と、半導体層に対して形成されるゲート電極と、ソース及びドレインに対して形成された非磁性コンタクトと、を有し、金属層は、半導体層との界面において、ショットキー接合を形成し、非磁性コンタクトのフェルミエネルギーは、それぞれ強磁性ソース及び強磁性ドレインの半導体的スピンバンドのバンドギャップ中を横切るトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】半導体層と強磁性金属層との間のショットキー障壁による接触抵抗を低減し、かつ高効率のスピン注入を実現するための界面抵抗の最適化を可能とすること。
【解決手段】半導体層10と、前記半導体層にスピン偏極した電子を注入、または前記半導体層からスピン偏極した電子を受ける強磁性金属層12と、前記半導体層と前記強磁性金属層との間に設けられ、前記強磁性金属層より小さな仕事関数を有する金属膜16と、前記金属膜と前記半導体層との間に設けられた絶縁膜14と、を具備する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層3と、半導体層3上に第1トンネル障壁層5Aを介して設けられた第1強磁性層1と、半導体層3上に、第1強磁性層1から離間し、且つ、第2トンネル障壁層5Bを介して設けられた第2強磁性層2と、を備え、半導体層3は、第1強磁性層1からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第1強磁性層1から離れる方向へ広がる第1領域R1と、第1強磁性層1からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第2強磁性層2に向かう方向に延びており、第1領域R1の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第2領域R12と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 トンネル層における面抵抗の低減が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子(磁気センサー1)は、半導体で構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成されたトンネル層22A、22Bとを備え、トンネル層22A、22Bが、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、MgOのMgの一部をZnで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層22A、22Bを、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成することにより、トンネル層22A、22Bの面積抵抗の低減が図られる。 (もっと読む)


【課題】 スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
発明者らは、Siで構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成されたトンネル層22A、22Bとを備え、トンネル層22A、22Bが、NaCl構造のアルカリ土類酸化物(たとえばBaO)で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオン(たとえばBaイオン)の一部が、異なる種類のアルカリ土類イオン(たとえばMgイオン)に置換された磁気センサー1を新たに見いだした。 (もっと読む)


【課題】高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制されたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】Siで構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成され、BaOで構成されるトンネル層22A、22Bとを備える構造のスピン伝導素子。シリコンの格子定数は5.4309Åであり、BaOの格子定数は5.5263Åである。シリコンの格子定数に対して、BaOの格子定数は1.8%の差(不整合率)があり、この値は、シリコンとMgOの格子定数の差と比較して1/5程度である。トンネル材料としてBaOを採用し、シリコンとトンネル材料との間の格子定数の差を従来材料に比べて低減することで、高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制される。 (もっと読む)


【課題】 分極率を向上可能なスピン素子、及びこれを用いた磁気センサ及びスピンFETを提供する。
【解決手段】
このスピン素子は、単結晶のSiからなる半導体層3と、半導体層3の表面上に形成された第1トンネル絶縁層T1と、第1トンネル絶縁層T1上に形成された第1強磁性金属層1とを備えている。半導体層3と第1トンネル絶縁層T1との間の界面におけるダングリングボンドの面密度が3×1014/cm以下である。この際の分極率は、著しく向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 低消費電力で、高速に動作可能な連想メモリを提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態によれば、記憶データに応じて第1の磁化状態に設定される第1のスピンMOSFETと前記記憶データに応じて第2の磁化状態に設定される第2のスピンMOSFETとが並列に接続されたスピンMOSFET対と、検索データに応じて、前記第1のスピンMOSFETおよび第2のスピンMOSFETのいずれか一方が導通するようゲート電圧を印加する第1の配線と、前記スピンMOSFET対に対して電流を印加する第2の配線とを有する。 (もっと読む)


【課題】 スピン伝導特性を改善可能なスピン伝導型磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 この磁気センサは、磁気シールド層10Bを有するベース基板10と、ベース基板10の磁気シールド層10B上の絶縁膜4を介して貼り付けられた単一ドメインからなる半導体の結晶層3と、半導体の結晶層3における絶縁膜4とは反対側の表面上に、第1トンネル障壁層を介して形成された第1強磁性層1と、半導体の結晶層3における絶縁膜4とは反対側の表面上に、第1強磁性層1から離間し、第2トンネル障壁層を介して形成された第2強磁性層2とを備えている。 (もっと読む)


【課題】磁化の相対角度で出力電流が制御可能で、かつ、ゲート層に電圧を印加することでも出力電流が制御可能なスピントランジスタを提供する。また、このスピントランジスタを集積化した磁気メモリや不揮発性論理回路などの磁気デバイスを提供する。
【解決手段】ソース層14、ゲート層13およびドレイン層15が、ハーフメタルホイスラー合金から成る。ソース層14とゲート層13との間に介在する第1の絶縁層16、および、ゲート層13とドレイン層15との間に介在する第2の絶縁層17が、酸化マグネシウム(MgO)から成る。ゲート層13を含み、ゲート層13に静電容量を介してゲート電圧を印加可能なゲート構造が、クロム/酸化マグネシウム/ハーフメタルホイスラー合金から成る。 (もっと読む)


【課題】 Hanle効果を利用可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 電子流源Eにより、第1強磁性層1と第1電極4との間に電子流が供給されると、半導体層3内を電子が流れると共に、スピンが拡散する。このスピン流は、第2強磁性層2方向にも流れ、スピンの磁化方向に依存して、第2強磁性層2内に吸収される。スピン伝導素子における第1配線8aに電流を供給すると、その周囲に磁場Bが発生するが、半導体層3Cをスピンが走行する領域内において、磁場Bが印加されると、磁場Bの影響を受けて、スピンの方向が変わる。したがって、この磁場Bを制御することで、第2強磁性層2内に吸収されるスピン量を制御することができる。 (もっと読む)


【課題】スピンエレクトロニクスを用いて擬似的にダイオード特性を有するスピン流回路を提供する。
【解決手段】 このスピン流回路は、半導体層10C内に形成された主導電領域3Aと、半導体層内に形成され主導電領域から分岐した第1副導電領域3Bと、半導体層内に形成され主導電領域から分岐した第2副導電領域3Cと、主導電領域3A上に形成され主導電領域内にトンネル障壁層5を介して電子を注入する主強磁性体1と、主導電領域3A上に形成された収集電極4と、第1副導電領域3B上に形成され、主強磁性体1と同じ方向に磁化方向が固定された第1副強磁性体2’と、第2副導電領域3C上に形成され、第1副強磁性体2’とは磁化方向が異なる方向に固定された第2副強磁性体2”と、第1副強磁性体2’と第2副強磁性体2”との間の電圧を検出する電圧検出回路とを備えている。 (もっと読む)


【課題】大きなスピン偏極電流を得る。
【解決手段】Si単結晶基板上に単結晶のMgO層が成長し、格子整合している。更にこの上に強磁性金属層が形成されている。Si単結晶基板の(100)面上に形成されたMgO層の成長面は(100)面である。ここで、Si単結晶基板とMgO層の界面において、Si(100)[110]方向とMgO(100)[100]方向とが平行となっている。図2(a)はSi(100)面、(b)はMgO(100)面、(c)はこれらの2つの面が格子整合した状態を示す。Si(100)面(a)はSi原子111だけで構成され、MgO(100)面(b)はMg原子121と酸素(O)原子122で構成される。ここでは、Si(100)面上においてMgO(100)面が成長し、図2(c)に示されるように、界面においてSi(100)[110]方向とMgO(100)[100]方向とが平行となっている。 (もっと読む)


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