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Fターム[5F092BD15]の内容

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Fターム[5F092BD15]に分類される特許

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【課題】外部磁場が半導体チャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗を利用したスピン伝導素子1は、スピンを半導体チャンネルに注入するための第一強磁性体12Aと、スピンを半導体チャンネルから抽出するための第二強磁性体12Bと、第一強磁性体12Aから第二強磁性体12Bまで延びる半導体チャンネル7と、第二強磁性体12B、及びあるいは、半導体チャンネル7を覆う磁気シールドS1と、第二強磁性体12B、及びあるいは、半導体チャンネル7と磁気シールドS1との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】素子の発振を安定化させることができる。
【解決手段】本実施形態に係る磁気記録媒体は、非磁性部、1以上の第1磁性部および第2磁性部を含む。非磁性部は、非磁性体で形成される。1以上の第1磁性部は、前記非磁性部に接続され、電流を伴わない電子スピンの流れを示す純スピン流を発生する。第2磁性部は、前記第1磁性部との間の距離が、前記非磁性部において電子スピンの偏極が保持される距離を示すスピン拡散長以下となるように前記非磁性体に接続され、前記純スピン流により発振する。 (もっと読む)


【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第1導電型を有する第1半導体層12と、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2半導体層16と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層14と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層20と、を具備する光不揮発性メモリ。 (もっと読む)


【課題】半導体中のスピン偏極キャリアの輸送距離を、より長くできるようにする。
【解決手段】半導体からなるチャネル層101と、スピン偏極キャリア生成部102と、表面弾性波発生部103と、スピン軌道相互作用調整部104とを備える。スピン偏極キャリア生成部102は、チャネル層101のキャリア生成箇所にスピン偏極キャリアを生成する。表面弾性波発生部103は、キャリア生成箇所を通過する表面弾性波131をチャネル層101の上に発生させる。スピン軌道相互作用調整部104は、チャネル層101内の伝導帯電子に働く異なる2つのスピン軌道相互作用の大きさを一致させる。 (もっと読む)


【課題】ソース及びドレインにハーフメタルを用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】一方のスピンに対し金属的スピンバンド構造を、他方のスピンに対し半導体的スピンバンド構造をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、注入されたスピン偏極した伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、強磁性ソースと強磁性ドレインとの間に設けられた半導体層と、強磁性ソースと半導体層との間及び強磁性ドレインと半導体層との間に設けられた金属層と、半導体層に対して形成されるゲート電極と、ソース及びドレインに対して形成された非磁性コンタクトと、を有し、金属層は、半導体層との界面において、ショットキー接合を形成し、非磁性コンタクトのフェルミエネルギーは、それぞれ強磁性ソース及び強磁性ドレインの半導体的スピンバンドのバンドギャップ中を横切るトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】半導体層と強磁性金属層との間のショットキー障壁による接触抵抗を低減し、かつ高効率のスピン注入を実現するための界面抵抗の最適化を可能とすること。
【解決手段】半導体層10と、前記半導体層にスピン偏極した電子を注入、または前記半導体層からスピン偏極した電子を受ける強磁性金属層12と、前記半導体層と前記強磁性金属層との間に設けられ、前記強磁性金属層より小さな仕事関数を有する金属膜16と、前記金属膜と前記半導体層との間に設けられた絶縁膜14と、を具備する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】チャネルとなるナノワイアの周囲をゲート電極が取り巻いて形成されているFETが、より容易に高い精度で製造できるようにする。
【解決手段】被覆ナノワイア103を配置した基板121のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイア103に交差して下部ゲート電極122に重なる上部ゲート電極124を形成する。上部ゲート電極124の形成は、公知のリソグラフィー技術とリフトオフとにより行えばよい。例えば、被覆ナノワイア103が下部ゲート電極122と交差して配置されている基板121の上に、電子ビーム露光により電極形成部に開口を備えるレジストパターンを形成し、この上に、電極材料を堆積する。この後、先に形成してあるレジストパターンを除去すれば、上部ゲート電極124が形成できる。 (もっと読む)


【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層3と、半導体層3上に第1トンネル障壁層5Aを介して設けられた第1強磁性層1と、半導体層3上に、第1強磁性層1から離間し、且つ、第2トンネル障壁層5Bを介して設けられた第2強磁性層2と、を備え、半導体層3は、第1強磁性層1からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第1強磁性層1から離れる方向へ広がる第1領域R1と、第1強磁性層1からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第2強磁性層2に向かう方向に延びており、第1領域R1の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第2領域R12と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光信号の情報を記憶させておくために電力を消費することがなく、光信号の情報の書込み、および読出しを高速にかつ簡単な構成で行なうことができる不揮発性光メモリを提供する。
【解決手段】本発明は、電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する半導体レーザー構造を備えた不揮発性光メモリ10である。不揮発性光メモリ10は、GaAs基板1と、GaAs基板1上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層2と、分布ブラッグ反射層2上に、量子井戸構造を有する半導体活性層3とを備えている。発光領域10aの半導体活性層3上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層4と、受光領域10bの半導体活性層3上の一部に、半導体活性層3の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 トンネル層における面抵抗の低減が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子(磁気センサー1)は、半導体で構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成されたトンネル層22A、22Bとを備え、トンネル層22A、22Bが、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、MgOのMgの一部をZnで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層22A、22Bを、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成することにより、トンネル層22A、22Bの面積抵抗の低減が図られる。 (もっと読む)


【課題】 スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
発明者らは、Siで構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成されたトンネル層22A、22Bとを備え、トンネル層22A、22Bが、NaCl構造のアルカリ土類酸化物(たとえばBaO)で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオン(たとえばBaイオン)の一部が、異なる種類のアルカリ土類イオン(たとえばMgイオン)に置換された磁気センサー1を新たに見いだした。 (もっと読む)


【課題】高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制されたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】Siで構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成され、BaOで構成されるトンネル層22A、22Bとを備える構造のスピン伝導素子。シリコンの格子定数は5.4309Åであり、BaOの格子定数は5.5263Åである。シリコンの格子定数に対して、BaOの格子定数は1.8%の差(不整合率)があり、この値は、シリコンとMgOの格子定数の差と比較して1/5程度である。トンネル材料としてBaOを採用し、シリコンとトンネル材料との間の格子定数の差を従来材料に比べて低減することで、高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制される。 (もっと読む)


【課題】 分極率を向上可能なスピン素子、及びこれを用いた磁気センサ及びスピンFETを提供する。
【解決手段】
このスピン素子は、単結晶のSiからなる半導体層3と、半導体層3の表面上に形成された第1トンネル絶縁層T1と、第1トンネル絶縁層T1上に形成された第1強磁性金属層1とを備えている。半導体層3と第1トンネル絶縁層T1との間の界面におけるダングリングボンドの面密度が3×1014/cm以下である。この際の分極率は、著しく向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 スピン伝導特性を改善可能なスピン伝導型磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 この磁気センサは、磁気シールド層10Bを有するベース基板10と、ベース基板10の磁気シールド層10B上の絶縁膜4を介して貼り付けられた単一ドメインからなる半導体の結晶層3と、半導体の結晶層3における絶縁膜4とは反対側の表面上に、第1トンネル障壁層を介して形成された第1強磁性層1と、半導体の結晶層3における絶縁膜4とは反対側の表面上に、第1強磁性層1から離間し、第2トンネル障壁層を介して形成された第2強磁性層2とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 Hanle効果を利用可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 電子流源Eにより、第1強磁性層1と第1電極4との間に電子流が供給されると、半導体層3内を電子が流れると共に、スピンが拡散する。このスピン流は、第2強磁性層2方向にも流れ、スピンの磁化方向に依存して、第2強磁性層2内に吸収される。スピン伝導素子における第1配線8aに電流を供給すると、その周囲に磁場Bが発生するが、半導体層3Cをスピンが走行する領域内において、磁場Bが印加されると、磁場Bの影響を受けて、スピンの方向が変わる。したがって、この磁場Bを制御することで、第2強磁性層2内に吸収されるスピン量を制御することができる。 (もっと読む)


【課題】スピンエレクトロニクスを用いて擬似的にダイオード特性を有するスピン流回路を提供する。
【解決手段】 このスピン流回路は、半導体層10C内に形成された主導電領域3Aと、半導体層内に形成され主導電領域から分岐した第1副導電領域3Bと、半導体層内に形成され主導電領域から分岐した第2副導電領域3Cと、主導電領域3A上に形成され主導電領域内にトンネル障壁層5を介して電子を注入する主強磁性体1と、主導電領域3A上に形成された収集電極4と、第1副導電領域3B上に形成され、主強磁性体1と同じ方向に磁化方向が固定された第1副強磁性体2’と、第2副導電領域3C上に形成され、第1副強磁性体2’とは磁化方向が異なる方向に固定された第2副強磁性体2”と、第1副強磁性体2’と第2副強磁性体2”との間の電圧を検出する電圧検出回路とを備えている。 (もっと読む)


【課題】大きなスピン偏極電流を得る。
【解決手段】Si単結晶基板上に単結晶のMgO層が成長し、格子整合している。更にこの上に強磁性金属層が形成されている。Si単結晶基板の(100)面上に形成されたMgO層の成長面は(100)面である。ここで、Si単結晶基板とMgO層の界面において、Si(100)[110]方向とMgO(100)[100]方向とが平行となっている。図2(a)はSi(100)面、(b)はMgO(100)面、(c)はこれらの2つの面が格子整合した状態を示す。Si(100)面(a)はSi原子111だけで構成され、MgO(100)面(b)はMg原子121と酸素(O)原子122で構成される。ここでは、Si(100)面上においてMgO(100)面が成長し、図2(c)に示されるように、界面においてSi(100)[110]方向とMgO(100)[100]方向とが平行となっている。 (もっと読む)


【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサ及び磁気ヘッドを提供すること。
【解決手段】磁気センサ1は、第1領域71、第2領域72、及び第3領域73を有し、第1方向に延びる主チャンネル層7aと、第1領域71上に積層された第1強磁性層12Aと、第2領域72上に積層された第2強磁性層12Bと、主チャンネル層7aにおける第1領域71と第2領域72との間の第3領域73の側面から主チャンネル層7aの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層7bと、突出チャンネル層7bの厚み方向の両側、及び突出チャンネル層7bの第1方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層7bの突出方向の端面7cを露出させる磁気シールドSとを備える。第1強磁性層12Aの磁化の方向は、第2強磁性層12Bの磁化の方向に対して反平行であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路1は、磁化方向が互いに同じ方向となるVlowノード22と出力ノード23を有する第1のスピントランジスタ2と、磁化方向が互いに相反する方向となるVhighノード32と出力ノード33を有する第2のスピントランジスタ3と、を直列に接続した回路を含む。 (もっと読む)


【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ1は、チャンネル7中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層7aと、第一領域上に積層された第一強磁性層12Aと、第二領域上に積層された第二強磁性層12Bと、主チャンネル層7aにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層7aの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層7bと、突出チャンネル層7bの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層7bの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層7bの突出方向の端面7cを露出させる磁気シールドSとを備える。 (もっと読む)


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