【課題】
本発明は磁気抵抗効果素子を用いて乗算信号を生成する混合器に関し、受信帯域幅を調整するため、複数の混合器を有した周波数変換装置を提供する。
【解決手段】
磁化固定層、磁化自由層、および前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備え、第１高周波信号およびローカル用の第２高周波信号を入力したときに磁気抵抗効果によって当該両高周波信号を乗算して乗算信号を生成する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層に磁場を印加する磁場印加部とを有する混合器を複数備え、これら複数の混合器に対して、前記第１高周波信号と、前記複数の混合器毎にそれぞれ異なるローカル用の前記第２高周波信号とを入力したときに生成する複数の乗算信号を加算して出力することで、周波数変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の第一の強磁性膜３０６と第二の強磁性膜３０８と第一の非磁性膜３０７で構成される自由層を持ち、自由層に（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５を介して固定層３０２１を積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層３と、半導体層３上に第１トンネル障壁層５Ａを介して設けられた第１強磁性層１と、半導体層３上に、第１強磁性層１から離間し、且つ、第２トンネル障壁層５Ｂを介して設けられた第２強磁性層２と、を備え、半導体層３は、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第１強磁性層１から離れる方向へ広がる第１領域Ｒ１と、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第２強磁性層２に向かう方向に延びており、第１領域Ｒ１の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第２領域Ｒ１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】大きなスピン偏極電流を得る。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に単結晶のＭｇＯ層が成長し、格子整合している。更にこの上に強磁性金属層が形成されている。Ｓｉ単結晶基板の（１００）面上に形成されたＭｇＯ層の成長面は（１００）面である。ここで、Ｓｉ単結晶基板とＭｇＯ層の界面において、Ｓｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。図２（ａ）はＳｉ（１００）面、（ｂ）はＭｇＯ（１００）面、（ｃ）はこれらの２つの面が格子整合した状態を示す。Ｓｉ（１００）面（ａ）はＳｉ原子１１１だけで構成され、ＭｇＯ（１００）面（ｂ）はＭｇ原子１２１と酸素（Ｏ）原子１２２で構成される。ここでは、Ｓｉ（１００）面上においてＭｇＯ（１００）面が成長し、図２（ｃ）に示されるように、界面においてＳｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、磁化方向が互いに同じ方向となるＶ_ｌｏｗノード２２と出力ノード２３を有する第１のスピントランジスタ２と、磁化方向が互いに相反する方向となるＶ_ｈｉｇｈノード３２と出力ノード３３を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、第１のチャネル長Ｌ_１を有する第１のスピントランジスタ２と、第１のチャネル長Ｌ_１とは異なる第２のチャネル長Ｌ_２を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】スピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う電流−スピン流変換素子であって、変換効率の高い電流−スピン流変換素子及び該素子を用いた装置を提供する。
【解決手段】本発明の電流−スピン流変換素子は、５ｄ遷移金属酸化物のスピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う。また、本発明のスピン蓄積装置は、注入されるスピンを蓄積する非磁性体と、前記非磁性体内にスピンを注入する注入手段と、を有するスピン蓄積装置であって、前記注入手段は、前記非磁性体上に設けられた、請求項１または２に記載の電流−スピン流変換素子と、前記電流−スピン流変換素子に、スピンホール効果によって前記非磁性体に向かうスピン流が生成されるように、電流を流す電源と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって（００１）結晶面が優先配向した単結晶または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第１の強磁性体層と、ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって（００１）結晶面が優先配向した単結晶または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に位置するトンネル障壁層とを有し、前記トンネル障壁層が、（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯを含み、前記（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯのトンネル障壁の高さφが０．２〜０．５ｅＶであることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】大きな出力信号強度を得られるEMRデバイスに、既存のスライダ形成技術を利用して磁気ヘッドスライダが形成できるような、デバイス構造とデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】磁気抵抗デバイスは、基板（４；６４）と、第一方向（１４）に伸びた細長半導体チャネル（１１）素子と、チャネルへの接点の組（２７）を提供する少なくとも２つの導電性リード（２６）とを含んでいる。デバイスは、チャネルと接続したオプションの半導体シャント（８）を含んでいる。オプションのシャント、チャネル及び接点の組は、第一方向及び基板の表面に対して垂直な第二方向（１５）に向かって、基板に対して積重ねられる。デバイスは、チャネルに沿って伸びる側面（３０）を有している。デバイスは、側面に対して一般的に垂直な方向の磁場（３１）に対して反応する。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】低周波成分カットフィルターにより低周波成分をカットした高周波電力印加の下で、酸化マグネシウムを有するターゲットをスパッタリングすることによって酸化マグネシウムの薄膜結晶膜１２２を成膜し、そして磁性金属（好ましくは強磁性体）のターゲットをスパッタリングすることによって磁性金属薄膜１２３を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止しながら、高い磁気シールド効果を有するヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板２０、半導体基板２０の主面上に形成され、かつ多層配線層１１Ｂを含む半導体素子１２、および半導体素子１２を被覆するヘテロ構造磁気シールド１７０を含む。ヘテロ構造磁気シールド１７０は、第一の磁気シールド積層構造１６Ａと磁気シールド積層構造１６Ａを覆う第二の磁気シールド積層構造１６Ｂを含む。第一および第二の磁気シールド積層構造１６Ａおよび１６Ｂは、いずれも、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜および半導体素子１２と磁気シールド膜との間に介在し磁性体の拡散を防止するバッファ膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のスピン注入構造において、ＭｇＯはＳｉ上にエピタキシャル成長しないため、格子不整合によりそこを通過する偏極したスピンが乱されて、偏極スピンが減少するため、良好な特性を維持可能なスピン注入構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなるチャンネル層７と、チャンネル層７上に形成された強磁性体からなる磁化固定層１２Ｂと、チャンネル層７と磁化固定層１２Ｂとの間に介在する第１トンネル障壁８Ｂとを備えている。さらに、第１トンネル障壁８Ｂは、チャンネル層７側の領域に位置する非晶質ＭｇＯ層と、磁化固定層１２Ｂ側の領域に位置する単結晶ＭｇＯ層とを有している。第２トンネル障壁８Ｃも同様に、チャンネル層７側の領域に位置する非晶質ＭｇＯ層と、磁化固定層１２Ｃ側の領域に位置する単結晶ＭｇＯ層とを有している。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 交流磁場で電流を誘起でき、または電気分極の強度と方向を制御できるマルチフェロイック電子装置を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】特性劣化が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、基板上に形成されたメサ構造を有する化合物半導体膜１と、化合物半導体膜１上に形成された短絡電極２と、外部との電気的接続を行うための取り出し電極３とを備える。短絡電極２および取り出し電極３は、化合物半導体膜１のメサ部分に接合する。取り出し電極３と化合物半導体膜１のメサ構造の長辺端部との接合面は、（１１１）面、（１−１−１）面、（−１１−１）面、および（−１−１１）面に平行な面のうち、少なくとも１つの面に対して−１５°〜＋１５°の範囲であり、（１１−１）面、（１−１１）面、（−１１１）面、および（−１−１−１）面に平行な面に対して−１５°〜＋１５°の範囲では、接合部が無いように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶性を有し磁化方向が変化可能な第１自由磁化層と、前記第１自由磁化層上に設けられ、磁化方向が変化可能であるとともに前記第１自由磁化層と強磁性交換結合する第２自由磁化層と、前記第２自由磁化層上に設けられ、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有するトンネルバリア層と、前記第１自由磁化層と前記第２自由磁化層との間に設けられ、前記第１自由磁化層が前記トンネルバリア層の結晶配向性に及ぼす影響を抑制する緩和層と、前記トンネルバリア層上に設けられ、磁化方向が固定可能な固定磁化層とを備えることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。 （もっと読む）