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Fターム[5F092BE05]の内容

Fターム[5F092BE05]に分類される特許

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【課題】優れた平滑性を有する磁化自由層を備えたトップピン型の磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、トップピン型の磁気抵抗素子30が提供される。その磁気抵抗素子30は、下地層32と、下地層32上に形成された磁化自由層33と、磁化自由層33上に非磁性層34を介して形成された磁化固定層35とを備える。下地層32は、結晶性の金属材料で形成される。下地層32の結晶は、複数種類の結晶配向成分を有する。その複数種類の結晶配向成分のうち2種類以上が、磁化自由層33に接触する。 (もっと読む)


【課題】磁化反転電流密度を低減する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層13と、磁化の方向が固着された磁化参照層11と、磁化記録層13および磁化参照層11間に設けられた非磁性層12とを具備する。磁化記録層13は、非磁性層12に接するように設けられかつ第1の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、第1の磁気異方性エネルギーより大きい第2の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層15とを含む。 (もっと読む)


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