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Fターム[5F092BE23]の内容

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【課題】書き込み電流の低減を図る。
【解決手段】実施形態による磁気抵抗素子は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層13と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層15と、記録層及び参照層間に設けられた中間層14と、記録層の中間層が設けられた面と反対面に設けられ、AlTiNを含有する下地層12と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層12と固定層13とが積層され、前記反強磁性層12により前記固定層13の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜10、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層12をMn-X(X=Ir,Rh,Ru)で構成するとともに、前記固定層13の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 (もっと読む)


【課題】 特に、抵抗変化率(ΔR/R)を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第1軟磁性層13と第2軟磁性層15との間に、Ti、Mg、Ir−Mn、RuあるいはPtのうち少なくともいずれか1種で形成された金属挿入層14が挿入されている。前記第1軟磁性層13と前記第2軟磁性層15は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第1軟磁性層13と絶縁障壁層5との間にはエンハンス層12が形成されている。これにより、絶縁障壁層5がMg−Oで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率(ΔR/R)を増大させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】 フリー磁性層の両側に位置するハードバイアス層のPt量を組成変調させて、フリー磁性層に対してバイアス磁界を効率良く印加できるようにした磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ハードバイアス層26はCoPt、あるいは、CoPtCrの単層構造で形成されている。前記ハードバイアス層26には、素子部30のトラック幅方向の側面近傍にPt量が少ない低Pt領域26a1と、低Pt領域26a1の外側に前記低Pt領域26a1に比べてPt量が多い高Pt領域26b1が形成されている。したがって、フリー磁性層5の側面近傍でのMr×t(tは膜厚)を大きくできる。その結果、フリー磁性層5へのバイアス磁界の印加効率を高めることができる。また保磁力Hcが大きい高Pt領域26b1を備えることで、ハードバイアス層26自体の磁化安定性を向上させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、配線数および消費電力の増大を防ぎ、高い出力が得られる多値記憶磁気メモリを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも下部電極、反強磁性層、強磁性ピン層、第一中間層、第一強磁性フリー層、第二中間層、第二強磁性フリー層および上部電極をこの順で下部電極上に設けたスピン注入型磁化反転素子であって、前記第一および第二強磁性フリー層がbcc構造を有し、且つ、第一強磁性フリー層と第二強磁性フリー層の磁化反転臨界電流密度が異なることを特徴とするスピン注入型磁化反転素子に関する。 (もっと読む)


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