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Fターム[5F092BE24]の内容

ホール/MR素子 (37,442) | 各素子に共通の特徴 (1,980) | 材料の組成 (591) | 数値限定を伴うもの (383)

Fターム[5F092BE24]に分類される特許

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【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造310と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層318によって互いに分離させた第1の磁性層314および第2の磁性層316を含む。磁化固定層構造の第2の磁性層はCoFeBTaの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のBCC結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のBCC粒成長をさらに促進するためのかかるCoFeBTa層を含むこともできる。 (もっと読む)


【課題】この発明のさまざまな実施例は、第1の強磁性自由層138と第2の強磁性自由層140との間に配置されたスペーサ層142とともに構築されてもよい、磁気応答積層132に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも1つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比(MR)を向上させる結合サブ層186,196を有することができる。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第1の磁性体30と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第2の磁性体10と、磁性層10,30の間の非磁性体20とを、含む。第1及び第2の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン(B)及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層301を備え、磁性層301において、希土類金属の含有量は、20at.%以上であり、遷移金属の含有量は、30at.%以上であり、ボロンの含有量が、1at.%以上、50at.%以下である。 (もっと読む)


【課題】十分に高い抵抗変化率および絶縁破壊電圧を確保しつつ、安定した製造に適した磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】この磁気メモリ構造は、基体上に、第1シード層と導電層とを順に有する下部電極と、導線としての上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され、かつ、下部電極の側から順に、下部電極と接すると共に窒化タンタルを含む第2シード層と、反強磁性ピンニング層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、上部電極と接するキャップ層とを有する磁気トンネル接合素子とを備える。窒化タンタルは、窒素プラズマをタンタルのターゲットに衝突させる反応性スパッタリング処理によって形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】耐食性スペーサ層を備え、より高い信号雑音比を有するCPP−GMRセンサを提供する。
【解決手段】膜面垂直通電(CPP)型巨大磁気抵抗効果(GMR)センサのスペーサ層を形成する材料の電気抵抗と耐食性を増大させるための方法と装置。スペーサ層および、それゆえCPP−GMRセンサの抵抗を大きくすることにより、より大きな電圧をセンサにかけることができ、信号対雑音比をより高くすることができる。スペーサ層の耐食性を高めることにより、製造中にスペーサ層を腐食性材料に曝す影響が最小限となる。たとえば、スズを銀に添加して金属合金スペーサ層を形成すれば、このスペーサ層の耐食性とCPP−GMRセンサの電気抵抗は、銀のみからなるスペーサ層の場合より増大する。Ag−Sn合金により、より大きな電流がセンサを流れ、これによって信号対雑音比が増大する。 (もっと読む)


【課題】書き込み電流の低減を図る。
【解決手段】実施形態による磁気抵抗素子は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層13と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層15と、記録層及び参照層間に設けられた中間層14と、記録層の中間層が設けられた面と反対面に設けられ、AlTiNを含有する下地層12と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】磁壁の移動が可能となる閾値電流密度を、従来技術であるスピントルクを利用して電流で磁壁移動を行った場合と比較して低減する磁壁移動型の磁気記録素子構造及び閾値電流密度を低減化させる磁気記録方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁壁移動型の磁気記録素子は、金属層/磁性層/非伝導層の3層膜から構成される実効磁場発生構造を持ち、前記磁性層に電流を流したときに発生する実効磁場とスピントルクを用いて前記磁性層中の磁壁の位置を制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】MgOを障壁層として磁化反転電流を低減したTMR素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子5は、磁化固定層11、MgOからなる障壁層12、磁化自由層13を積層してなるTMR素子構造1と、その上下に接続した上部電極3、下部電極2を備える。下部電極2は、組成がCu1-xCrx(0.07<x<0.42)である非晶質のCu−Cr合金からなり、磁化固定層11は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層12としてMgO膜が形成されるため、MgO膜が強い(001)面配向を示して、TMR素子構造1の磁化反転電流を低減できる。 (もっと読む)


【課題】CCP−CPP素子のMR変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層の層中、前記磁化自由層の層中、前記磁化固着層及び前記スペーサ層の界面、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Si、Mg、B、Alを含む機能層を設ける。 (もっと読む)


【課題】微細化に伴って増大する固定層からの漏れ磁場を低減でき、記憶層における磁化の平行と反平行の2つの状態を安定に存在できるようにした磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子1は、固定層2、記憶層3、及び非磁性層4を備える。固定層2は、非磁性層4に接する第1強磁性材料31、第2強磁性材料32、第1強磁性材料31と第2強磁性材料32との間に設けられた第1非磁性材料33を有する。第1強磁性材料31は、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wのうちの少なくとも1つの元素と、Coとを含む。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗素子の微細化に伴って増大する漏洩磁界をキャンセルする。
【解決手段】実施形態に係わる磁気抵抗素子は、垂直及び可変の磁化を持つ記憶層2と、垂直及び不変の磁化を持つ参照層4と、垂直、不変及び参照層3の磁化に対して逆向きの磁化を持つシフト調整層6と、記憶層2及び参照層4間の第1の非磁性層3と、参照層4及びシフト調整層6間の第2の非磁性層5とを備える。参照層4の反転磁界は、記憶層2の反転磁界と同じ又はそれよりも小さく、参照層4の磁気緩和定数は、記憶層2の磁気緩和定数よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】低電流で記憶層の磁化を反転させることができるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】膜面に垂直方向の磁化容易軸を有し、磁化方向が可変の記憶層3と、膜面に垂直方向の磁化容易軸を有し、磁化方向が不変の固定層2と、記憶層3と固定層2との間に設けられた非磁性層4と、記憶層3の、非磁性層4が配置された面と反対の面側に配置された配線層10を有する。記憶層3は、磁性材料31、33と非磁性材料32、34とが交互に積層された構造を有する。非磁性材料32、34がTa、W、Nb、Mo、Zr、Hfの少なくとも1つの元素を含む。磁性材料31、33はCoとFeを含む。磁性材料のうちの1つは非磁性層4と接し、非磁性材料のうちの1つは配線層と接している。 (もっと読む)


【課題】 特に固定磁性層をセルフピン止め型とした構成において、Ta保護層の膜厚を適正化し、従来に比べて安定して優れた軟磁気特性を得ることが可能な磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサ、並びに磁気検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態の磁気検出素子1は、固定磁性層3とフリー磁性層5とが非磁性材料層4を介して積層された積層膜を備え、前記固定磁性層3は、第1磁性層3aと第2磁性層3cとが非磁性中間層3bを介して積層され、前記第1磁性層3aと前記第2磁性層3cとが反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、前記積層膜の最上層は、Taからなる保護層6であり、前記保護層6の成膜時における成膜時膜厚は55Å以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】記憶層にかかる参照層からの漏れ磁場をキャンセルするシフト調整層の膜厚を低減することできる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁化の向きが一方向に固定された参照層3と、磁化の向きが可変である記憶層2と、参照層3と記憶層2との間に設けられた非磁性層4と、参照層3の、非磁性層4が配置された面と反対の面側に配置され、参照層3が有する磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する上部シフト層6と、記憶層2の、非磁性層4が配置された面と反対の面側に配置され、参照層3が有する磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する下部シフト層8と、参照層3と上部シフト層6との間に配置された非磁性層5と、記憶層2と下部シフト層8との間に配置された非磁性層7とを備える。下部シフト層8の膜厚は、上部シフト層6の膜厚より薄い。 (もっと読む)


【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子1は、CoとFeとBを含有する体心立方構造の強磁性膜304と、(100)配向した岩塩構造のMgO絶縁膜305と、強磁性膜306とを積層した構造を有する。 (もっと読む)


【課題】外部放射線に対し耐性を有し、誤動作なく安定した動作する信頼性の高い記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる磁化を有する磁化固定層と、記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する。そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに、記憶層は、Bを含有する強磁性層を含み、Bにふくまれる10Bの同位体比率が、自然界における19.9%よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】書込電流を増大させることなく、高い保磁力を有し熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる磁化を有する磁化固定層と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、磁化固定層に隣接し、中間層の反対側に設けられる磁気結合層と、磁気結合層に隣接して設けられる高保磁力層とを有する。
そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに磁気結合層が2層の積層構造となっている。 (もっと読む)


【課題】改善された硬質磁性体バイアス構造を備える面垂直電流(CPP)磁気抵抗(MR)センサを提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクドライブ用CPP−GMR又はCPP−TMR読み出しヘッドのための硬質磁性体バイアス構造が、2つのセンサシールドS1、S2間に位置し、センサの自由層110の側縁に隣接している。絶縁層116は、バイアス構造と下部シールドとの間、及び自由層110の側縁の間に位置する。バイアス構造150は、Ir又はRuのシード層114と、そのシード層114上の強磁性で化学的配列が規則付けられたFePt合金ハードバイアス層115と、そのFePt合金ハードバイアス層115上のRu又はRu/Irキャッピング層118とを含む。FePt合金は、そのc軸が全般的に層の平面内にある面心正方構造を有する。 (もっと読む)


【課題】 トンネル層における面抵抗の低減が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子(磁気センサー1)は、半導体で構成されるチャンネル層10と、チャンネル層10上に形成された強磁性層20A、20Bと、チャンネル層10と強磁性層20A、20Bとの間に介在するように形成されたトンネル層22A、22Bとを備え、トンネル層22A、22Bが、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、MgOのMgの一部をZnで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層22A、22Bを、MgOのMgの一部がZnで置換された材料で構成することにより、トンネル層22A、22Bの面積抵抗の低減が図られる。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnGa100−x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnGa100−y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、を備え、第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、第1の非磁性層を介して第1の磁性層と第2の磁性層との間に流れる電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。 (もっと読む)


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