【課題】電流により発生する磁場を化合物半導体回路で集約して検出することができる小型で、高感度かつ高精度な電流センサを実現すること。
【解決手段】半導体回路（ＬＳＩ回路）と化合物半導体回路（ホール素子を有する化合物半導体素子）とが形成された基板に、さらに、化合物半導体素子の直上に、該直下の化合物半導回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状からなる電気配線（コ字型または馬蹄型の形状を呈した金属配線）を形成し、この電気配線に被検出電流を流すようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が１０ｎｍ以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、第１の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第２の保護膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】第１の磁性部分と、第２の磁性部分と、第１の磁性部分と第２の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積（ＲＡ）積が約１．０Ω・μｍ^２であるとき、少なくとも約８０％のＭＲ比を有する。 （もっと読む）

【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１００と非磁性絶縁層１１０と磁化自由層１２０を有する強磁性トンネル接合素子１０において、磁化自由層１２０は非磁性金属層２２１を挟んで強磁性層２２０、２２２を有し、２つの強磁性層２２０、２２２の磁化の方向が互いに平行である。２つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】高密度化が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層体を備えた磁気記憶素子が提供される。積層体は第１積層部と第２積層部とを含む。第１積層部は、膜面に対して垂直成分を有する第１の方向に磁化が固定された第１強磁性層と、磁化の方向が膜面垂直な方向に可変である第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間の第１非磁性層と、を含む。第２積層部は、積層方向に沿って第１積層部と積層される。第２積層部は、磁化の方向が膜面平行な方向に可変である第３強磁性層と、膜面に対して垂直成分を有する第２の方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間の２非磁性層と、を含む。積層方向を法線とする平面で切断したとき、第３強磁性層の断面積は前記第１積層部よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の強磁性体膜が強い垂直磁気異方性を有する磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリは、強磁性体の下地層５１と、下地層５１上にの第１非磁性５２と、第１非磁性５２上の垂直磁気異方性を有する強磁性体のデータ記憶層５３と、第２非磁性層２０を介してデータ記憶層５３に接続された参照層３０と、下地層５１の下側に接した第１、第２磁化固定層４１ａ、４１ｂとを具備する。データ記憶層５３は、反転可能な磁化を有し参照層３０とオーバーラップする磁化自由領域１３と、磁化自由領域１３の端に接続され、第１磁化固定層４１ａに＋ｚ方向に磁化固定された第１磁化固定領域１１ａと、磁化自由領域１３の他の端に接続され、第２磁化固定層４１ｂに−ｚ方向に磁化固定された第２磁化固定領域１１ｂとを備える。磁化自由領域１３下の第１非磁性５２は、第１、第２磁化固定領域１１ａ、１１ｂ下の第１非磁性５２よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】安定した動作が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２積層部を含む磁気記憶素子が提供される。第１積層部は、第１強磁性層／第１非磁性層／第２強磁性層を含む。第１強磁性層の磁化は面直に固定され、第２強磁性層の磁化方向は面直に可変である。第２積層部は、第３強磁性層／第２非磁性層／第４強磁性層を含む。第３強磁性層の磁化方向は面内方向に可変であり、第４強磁性層の磁化は面直に固定されている。第３強磁性層の位置での第１、第２、第４強磁性層からの漏れ磁界Ｈｓ、第３強磁性層の磁気異方性Ｋｕ、ダンピング定数α、磁化Ｍｓ及び反磁界係数Ｎｚは、Ｋｕ≦αＭｓ（８πＮｚＭｓ−Ｈｓ）を満たす。電流によりスピン偏極した電子と、第３強磁性層で発生する回転磁界と、を第２強磁性層に作用させ、第２強磁性層の磁化方向を決定できる。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル用に適し且つ第１強磁性層とトンネル障壁層と第２強磁性層とから成る磁気トンネル接合を製作する方法を提供する。
【解決手段】第１強磁性層を形成すること、トンネル障壁層２２を形成すること及び第２強磁性層を形成することから成る。当該トンネル障壁層２２を形成することは、金属製のＭｇ層を蒸着すること及び当該金属のＭｇをＭｇＯ層２２ａに変えるために当該蒸着された金属製のＭｇ層を酸化することから成る。当該トンネル障壁層が、少なくとも２つのＭｇＯ層２２ａから成るように、当該トンネル障壁層を形成するステップが、少なくとも２回実施される。 （もっと読む）

【課題】十分に高い抵抗変化率および絶縁破壊電圧を確保しつつ、安定した製造に適した磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】この磁気メモリ構造は、基体上に、第１シード層と導電層とを順に有する下部電極と、導線としての上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され、かつ、下部電極の側から順に、下部電極と接すると共に窒化タンタルを含む第２シード層と、反強磁性ピンニング層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、上部電極と接するキャップ層とを有する磁気トンネル接合素子とを備える。窒化タンタルは、窒素プラズマをタンタルのターゲットに衝突させる反応性スパッタリング処理によって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】界面磁化膜を固定磁化層及び自由磁化層として有するＭＴＪを積層し、エッチング工程のダメージのない所期の多値化を確実に実現することのできる信頼性の高い磁気抵抗素子及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】多値メモリ１０Ａは、ＭＴＪ１０ａと、ＭＴＪ１０ａの上方に設けられたＭＴＪ１０ｂと、ＭＴＪ１０ａ，１０ｂ間に設けられた接続層１３とを含み、ＭＴＪ１０ａ，１０ｂは、夫々、Ｔａからなる挿入層１ａ，１ｂと、挿入層１ａ，１ｂ上で当該挿入層１ａ，１ｂに接し、主面に垂直方向の磁気異方性を有する下部磁化層２ａ，２ｂと、主面に垂直方向の磁気異方性を有する上部磁化層４ａ，４ｂと、下部磁化層２ａ，２ｂと上部磁化層４ａ，４ｂとの間に設けられたトンネルバリア層３ａ，３ｂとを有しており、上部磁化層２ａ，２ｂ及び下部磁化層４ａ，４ｂは、一方が固定磁化層であり、他方が自由磁化層である． （もっと読む）

【課題】電界を駆動力とする低消費電力な電界駆動型強磁性共鳴励起方法を実現し、この方法を用いたスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子、及びこれらを用いた論理素子、また、この方法を用いた高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子を提供する。
【解決手段】伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層２と、磁気異方性制御層１とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層３及び電極層４を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する。そして、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより、効率的に超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起する。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネリング接合装置を具備する半導体メモリ装置、メモリ、メモリシステム及び電子装置が提供される。
【解決手段】磁気トンネリング接合装置が提供される。この装置は磁性膜を含む第１構造体と、少なくとも２つの外因性垂直磁化構造体を含み、前記外因性垂直磁化構造体の各々は磁性膜及び前記磁性膜上の垂直磁化誘導膜を含む、第２構造体と、前記第１及び第２構造体の間のトンネルバリアと、を包含できる。前記第２構造体は追加的な外因性垂直磁化構造体をさらに含み、その各々が磁性膜及び前記磁性膜上の垂直磁化誘導膜を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図ること。
【解決手段】半導体に磁界を加えると抵抗が変化する磁気抵抗体１０を備えている磁気抵抗素子で、磁気抵抗体１０が、基板１１上に設けられた薄膜状の半導体層１２ａからなる感磁部１２と、感磁部１２上に配置された複数の短絡電極１３，１３とを備え、半導体層１２ａの厚みが、０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。半導体層１２ａの延在方向に対して垂直方向の半導体層の幅をＷ、複数の短絡電極間の一定間隔の距離をＬとしたときに、距離Ｌと幅Ｗの比であるＬ／Ｗが、０．１８以上０．２２以下である。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動が可能となる閾値電流密度を、従来技術であるスピントルクを利用して電流で磁壁移動を行った場合と比較して低減する磁壁移動型の磁気記録素子構造及び閾値電流密度を低減化させる磁気記録方法を提供すること。
【解決手段】本発明の磁壁移動型の磁気記録素子は、金属層／磁性層／非伝導層の３層膜から構成される実効磁場発生構造を持ち、前記磁性層に電流を流したときに発生する実効磁場とスピントルクを用いて前記磁性層中の磁壁の位置を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＰ−ＣＰＰ素子のＭＲ変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層の層中、前記磁化自由層の層中、前記磁化固着層及び前記スペーサ層の界面、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌを含む機能層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯを障壁層として磁化反転電流を低減したＴＭＲ素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、磁化固定層１１、ＭｇＯからなる障壁層１２、磁化自由層１３を積層してなるＴＭＲ素子構造１と、その上下に接続した上部電極３、下部電極２を備える。下部電極２は、組成がＣｕ_1-xＣｒ_x（０．０７＜ｘ＜０．４２）である非晶質のＣｕ−Ｃｒ合金からなり、磁化固定層１１は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層１２としてＭｇＯ膜が形成されるため、ＭｇＯ膜が強い（００１）面配向を示して、ＴＭＲ素子構造１の磁化反転電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の第一の強磁性膜３０６と第二の強磁性膜３０８と第一の非磁性膜３０７で構成される自由層を持ち、自由層に（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５を介して固定層３０２１を積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定であると共に、磁気抵抗比の低下が抑制できるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】固定層２は、非磁性層４に接するように設けられた第１磁性材料膜２ａと、第１磁性材料膜２ａに接するように設けられた非磁性材料膜２ｂと、非磁性材料膜２ｂに接するように設けられた第２磁性材料膜２ｃと、第２磁性材料膜２ｃに接するように設けられた第３磁性材料膜２ｄとが積層された構造を備える。第２磁性材料膜２ｃは第１磁性材料膜２ａよりも高いＣｏ濃度を有する。固定層２と記憶層３との間に非磁性層４を介して電流を流すことにより、記憶層３の磁化の向きを可変する。 （もっと読む）