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Fターム[5F092CA28]の内容

ホール/MR素子 (37,442) | 製造方法 (1,436) | 位置合わせ (3)

Fターム[5F092CA28]に分類される特許

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【課題】アライメント精度を高めて、磁気センサとしての磁場感度を高めるとともに、そのばらつきを低減して、安定した磁気特性を有する磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板31上に複数の磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、磁気抵抗効果素子を形成したシリコン基板31をマグネットアレイ48に重ね、磁気抵抗効果素子に磁界を付与した状態で熱処理することにより、磁気抵抗効果素子を規則化する規則化熱処理工程とを備え、素子形成工程では、シリコン基板31の一部にアライメントマーク32を形成しておき、規則化熱処理工程では、マグネットアレイ48にシリコン基板31を重ね合わせ、赤外線光学系51によって赤外線を照射し、シリコン基板31を透過した赤外線によりマグネットアレイ48のアライメントマーク46を撮像しながらそのアライメントマーク46にシリコン基板31のアライメントマーク32を位置決めする。 (もっと読む)


【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することが可能な磁気抵抗素子を単純なプロセスで製造することを可能にする。
【解決手段】基板上に下部電極膜を形成する工程と、下部電極膜上に、磁化の向きが固着された磁化固着層となる第1磁性層と、トンネルバリア層と、磁化の向きが可変の磁化自由層となる第2磁性層との積層構造を有する積層膜を形成する工程と、積層膜上に第1上部電極膜を形成する工程と、第1上部電極膜をパターニングし、第1上部電極を形成する工程と、第1上部電極をマスクとして積層膜の第2磁性層までをパターニングする工程と、第1上部電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、第1上部電極の上面を露出させる工程と、第1上部電極を覆うように第2上部電極膜を形成する工程と、第2上部電極膜をパターニングし、第2上部電極を形成する工程と、第2上部電極をマスクとして下部電極膜までを自己整合的に加工する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子を含むメモリセルのサイズを縮小する。
【解決手段】磁気記憶装置の製造方法は、コンタクトプラグ13および第1の絶縁層11上に、磁気抵抗効果素子10を形成する工程と、上部電極層16上に、第1の方向に延在する第1のマスク層18を形成する工程と、上部電極層16を第1のマスク層18を用いてエッチングする工程と、上部電極層16および非磁性層15上に保護膜20を形成する工程と、保護膜20上に第2のマスク層21を形成する工程と、第2の方向に延在するように、第2のマスク層21上にレジスト層22を形成する工程と、第2のマスク層21をレジスト層22を用いてエッチングし、上部電極層16の側部に側壁部21Aを形成する工程と、非磁性層15および下部電極層14を、第2のマスク層21および側壁部21Aを用いてエッチングする工程とを含む。 (もっと読む)


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