【課題】プロセス耐性が高く、高い性能を維持する不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電部と、第２導電部と、記憶層と、を含む不揮発性記憶装置が提供される。前記記憶層は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に設けられる。前記記憶層は、前記第１導電部と前記第２導電部とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１状態と前記第１状態よりも抵抗が高い第２状態との間を可逆的に遷移可能である。前記記憶層は、カルコパイライト構造を有する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の情報記録再生装置を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる情報記録再生装置は、記録層１２と、記録層１２に電圧を印加して記録層１２に相変化を発生させて情報を記録する記録回路とを備える。記録層１２は、少なくとも１種類の陽イオン元素と少なくとも1種類の陰イオン元素を有する化合物から構成され、陽イオン元素の少なくとも１種類は、電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の平均最短距離は、0.32nm以下である。記録層１２は、(i) A_xM_yX₄ (0≦x≦2.2、1.8≦y≦3)、(ii) A_xM_yX₃ (0≦x≦1.1、0.9≦y≦3)及び(iii) A_xM_yX₄ (0≦x≦1.1、0.9≦y≦3)のうちから選択される材料を備える。 （もっと読む）

有機メモリデバイスは、第１のゲート電極（４）と、第１のゲート誘電体（６）と、有機半導体材料（２）と、第２のゲート誘電体（７）と、第２のゲート電極（８）とを備えるデュアルゲートトランジスタである。ソース・ドレイン電極（５）が、有機半導体材料（２）中に配置されるとともに、電極間表面を規定する。捕捉領域（９）が、有機半導体材料（２）とゲート電極（４，８）のうちの一方との間に配置されるとともに、ゲート電極（４，８）のうちの一方または有機半導体材料（２）と電気的に接触する。捕捉領域（９）は少なくとも電極間表面と対向する。
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【課題】高記録密度かつ低消費電力を実現した情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】情報記録再生装置は、電圧パルスの印加によって所定の抵抗値を持つ第１の状態とこの第１の状態よりも高い抵抗値を持つ第２の状態との間を可逆的に遷移する記録層からなるメモリセルを備える。前記記録層は、組成式A_xM_yX₄（0.1≦x≦1.2、2＜y≦2.9）で表される第１化合物層を含む。前記Aは、Mn（マンガン）、Fe（鉄）、Co（コバルト）、Ni（ニッケル）、及びCu（銅）のグループから選択される少なくとも１種類の元素である。前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。前記Xは、O（酸素）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単純な構造のナノ点を有するメモリを利用してマルチレベルを保存することができるメモリ素子を提供する。
【解決手段】ソース２１０及びソース２１０と対応するドレイン２２０と、ソース２１０とドレイン２２０との間を連結するように形成されているナノチャンネル２３０とを含み、ナノチャンネル２３０は、ソース２１０及びドレイン２２０の電圧によってソース２１０とドレイン２２０との間を電気的に連結するナノ線と、ナノ線上に吸着されて形成され、電荷を補集する複数のポテンシャルを有するナノ点とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のベースを利用して電荷を保存し、不揮発性メモリとする方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０を利用し、そのうち薄膜トランジスタ１０は中間がベース２１、両端がそれぞれドレイン電極２２、ソース電極２３である半導体層２０を備え、絶縁表面３１を備えた基板３０上に設置され、ゲート電極絶縁層４１が前記半導体層２０上に設置され、ゲート電極４０がゲート電極絶縁層４１上に設置され、電子がゲート電極４０の電場作用下で、熱電子界放射により電子正孔対を形成し、電子正孔対がゲート電極４０の垂直電場により分離され、複数のキャリア（ｎチャネルでいうと正孔）が薄膜トランジスタ１０のベース２１に注入され、薄膜トランジスタ１０の閾値電圧の変化を引き起こし、書き込み動作が完了する。 （もっと読む）

【課題】従来構造のフラッシュメモリと比べてはるかに微細化可能な、フラーレンによるダイポールを利用した半導体記憶素子を提供する。
【解決手段】半導体領域を含む第１の電極１１と、第１の電極１１上に形成され、膜厚方向に設けられた孔を有する絶縁膜１２と、孔の開口部を覆って閉鎖された空間１３を形成する金属を含む第２の電極１５と、閉鎖空間１３内に配置され、電圧の印加により第１または第２の電極１１，１５のいずれかの側に移動することにより第１の電極１１と第２の電極１５との間にダイポールを発生させて、フラットバンド電圧をシフトさせるフラーレン１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】微細な構造でも安定して製造可能な不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され、前記第１の配線と前記第２の配線とを介して供給される電流により、第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記第１の配線の層を形成する工程と、前記第１の配線の層の主面上に前記記録層の層を形成する工程と、前記記録層の層と前記第１の配線の層を選択的にエッチングして、前記第１の方向に延在する複数の積層体を形成する工程と、前記複数の積層体の間隙の表面に、気相成長法を用いて第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に、塗布法を用いて第２の絶縁層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層の信頼性とデータ保持特性を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１００は、半導体基板Ｂａに対して垂直方向に延びるメモリ柱状半導体層３８と、メモリ柱状半導体層３８の側壁側に電荷蓄積層３６を介して形成された第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄと、第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄの上下に形成された第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅとを備える。第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸から離れる方向へ傾斜するように形成されている。第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコンスパッタターゲット３０と基体Ｓを配置したチャンバ１内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加してチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ(288nm) と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ(288nm) ／Ｈβ〕が１０．０以下であるプラズマを発生させ、該プラズマでターゲット３０をケミカルスパッタリングして５００℃以下の低温で基体上に直接、粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発の情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも、化学式１：A_xM_yX₄ (0.１≦x≦2.2、1.5≦y≦2)で表されるスピネル構造を有する第１化合物を含むように構成されることを特徴とする。但し、Aは、Zn, Cd, Hgのグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、Mは、Cr, Mo, W, Mn, Reのグループから選択される少なくとも１種類の遷移元素であり、Xは、Oである。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、かつ、熱安定性が高い不揮発性の情報記録再生装置を提案する。
【解決手段】本発明に係る情報記録再生装置は、記録層１２と、記録層１２に電圧を印加して記録層１２に状態変化を発生させて情報を記録する手段とを備える。記録層１２は、ホランダイト構造を有する材料により構成される。 （もっと読む）

【課題】直列連結構造の抵抗ノードを有するメモリ素子を提供する。
【解決手段】第１端子Ｎ_１と第２端子Ｎ_１との間に印加される電圧によって可変抵抗特性を有する複数の抵抗ノード１１０と、一の抵抗ノード１１０の第１端子Ｎ_１と他の抵抗ノード１１０の第２端子Ｎ_２との間を直列に連結し、抵抗ノード１１０より低い抵抗を有する複数の金属プラグ１２０と、第１端子Ｓ、第２端子Ｄ、及び第１端子Ｓと第３端子Ｇを有する複数の制御素子１４０と、一の制御素子１４０の第１端子Ｓと他の制御素子１４０の第２端子Ｄとを直列的に連結するビットラインＢＬと、ビットラインＢＬと金属プラグ１２０との間に介在されて、ビットラインＢＬと金属プラグ１２０との間の電流フローを開閉することができる複数のスイッチ素子１３０と、制御素子１４０の第３端子Ｇと連結された複数のワードラインＷＬと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ゲート容量可変の電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの消費電力と読み出しエラーとを低減する。
【解決手段】 シリコン基板１０１上にソース領域１０４とドレイン領域１０５を形成すると共にソース領域１０４とドレイン領域１０５とに挟まれた領域上に順次、絶縁膜１０２ａ、ＰＣＭＯ膜１０２ｂ、ゲート電極１０３を積層して、電界効果トランジスタ１とする。ＰＣＭＯ膜１０２ｂに印加する書き込み電圧の電圧値を変えることによってデータを書き込み、ＰＣＭＯ膜１０２ｂに読み出し電圧を印加し、ドレイン電流を検出することによってデータを読み出す。
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【課題】不揮発性メモリにおいて、印加電圧が高いという問題があった。これは、絶縁膜を介して、フローティングゲートにキャリアをトンネル効果により注入する必要があるからである。またこのようなキャリアの注入を行うことにより、絶縁膜の劣化が懸念される。そこで印加電圧を低くし、絶縁膜の劣化を防止したメモリを提供することを課題とする。
【解決手段】メモリのフローティングゲートとして機能するものとして、電荷移動錯体を有する無機化合物、及び有機化合物が混在された層を用いることを特徴とする。具体的には、絶縁層間に挟まれた、電荷移動錯体を有する無機化合物、及び有機化合物が混在された層をフローティングゲートとして用いたトランジスタ構造を有する素子である。 （もっと読む）