Fターム［5F101BD00］の内容
不揮発性半導体メモリ (42,765) | 素子構造 (12,113)
Fターム［5F101BD00］の下位に属するFターム
メモリセル（センサ） (3,677)
組合せ (2,046)
ＳＯＳ (18)
ＳＯＩ、薄膜トランジスタ、三次元素子 (1,051)
アレイ (242)
セル配置、セル構造 (2,456)
分離 (2,126)
基体材料 (372)
表面保護膜 (105)
その他 (20)
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