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Fターム[5F101BF07]の内容

不揮発性半導体メモリ (42,765) | 動作 (2,287) | 寄生 (642)

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【課題】メモリセルの制御性を向上した不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】基板上に、第1積層体及び第2積層体を形成する工程と、第1積層体及び第2積層体を貫通する貫通孔を形成する工程と、貫通孔の第1部分の側壁にメモリ膜を形成し、貫通孔の第2部分及び第3部分の側壁にゲート絶縁膜を形成し、メモリ膜及びゲート絶縁膜の内側にチャネルボディを形成する工程と、チャネルボディの内側に酸化シリコンを含む第3絶縁層を形成し、第2部分と第3部分との境界部分を第3絶縁層により閉塞する工程と、第3部分の内側にシリコンを含む第1埋め込み部を形成する工程と、第1埋め込み部の一部と第3絶縁層の一部とを除去してチャネルボディを露出させる工程と、第3部分の内側における第1埋め込み部の上に、第1埋め込み部よりも不純物濃度が高いシリコンを含む第2埋め込み部を埋め込む工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】メモリセルトランジスタのチャネル端に寄生素子が発生するのを抑制できる。
【解決手段】本発明の例の不揮発性半導体メモリは、半導体基板1と、半導体基板1内に形成されるSTI構造の素子分離絶縁層と、素子分離絶縁層間のチャネル領域と、チャネル領域上のゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜2上の浮遊ゲート電極3と、浮遊ゲート電極3上の中間絶縁膜5と、中間絶縁膜5上の制御ゲート電極6とを具備し、素子分離絶縁層は、半導体基板の凹部の底面及び側面に形成される熱酸化膜7と、熱酸化膜7上に形成され、凹部を満たすSTI絶縁膜8とから構成され、浮遊ゲート電極3のチャネル幅方向の寸法W1は、チャネル幅の寸法W2よりも広いことを備える。 (もっと読む)


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