Fターム[5F101BF09]の内容
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Fターム[5F101BF09]に分類される特許
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半導体装置
【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態(例えば3以上の状態)の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第2信号線及び複数のワード線を駆動する、第2信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第1信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。
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導電性側壁スペーサを有する不揮発性メモリ装置及びその製造方法
【課題】従来の窒化膜側壁を電荷トラップ媒体に利用する場合の信頼性劣化を改善した不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板21上のゲート絶縁膜22Aと、該ゲート絶縁膜上に順に積層して形成された第1電極膜23、第2電極膜24、及びハードマスク膜25を有するゲート100と、該ゲートの第1電極膜23及び第2電極膜24の両側壁に形成された一対の再酸化側壁スペーサ27と、該再酸化側壁スペーサ及びゲート100のハードマスク膜25の両側壁上に形成された一対の側壁スペーサ28Aと、一対の側壁スペーサ28A上に形成された、電荷を捕獲及び放出する一対の導電性側壁スペーサ29Bと、半導体基板21内に形成された一対のLDD領域26と、半導体基板21内に形成されたソース/ドレイン領域30とを備え、導電性側壁スペーサ29Bが、ゲート100及び側壁スペーサ28Aよりも低い高さを有する。
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不揮発性半導体記憶装置
【課題】ビット線接続部の微細化を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、p型の半導体基板101と、半導体基板101内に形成され、メモリセルのビット線とセンスアンプ部を接続するビット線接続トランジスタHTkが形成されるp型の第1のPウェル102と、第1のPウェル102を囲み、第1のPウェル102を半導体基板101から電気的に分離するn型の第1のNウェル103と、を備える。
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半導体装置
【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、メモリセルを選択して第2信号線及びワード線を駆動する駆動回路と、書き込み電位のいずれかを選択して第1信号線に出力する駆動回路と、ビット線の電位と参照電位とを比較する読み出し回路と、書き込み電位及び参照電位を生成して駆動回路および読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第1のトランジスタと、第1、第2の信号線に接続された第2のトランジスタと、ワード線、ビット線及びソース線に接続された第3のトランジスタを有し、第2のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方が接続された、多値型の半導体装置。
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半導体装置
【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供と、さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、3次元高集積化を図る。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが1nm以下である半導体装置である。
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半導体装置、及び半導体装置の作製方法
【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は/及びドーパントを導入してもよい。
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半導体装置の作製方法
【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。
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半導体装置の作製方法
【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。
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半導体装置およびその作製方法
【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧(Vth)をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン(P)、またはホウ素(B)を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。
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半導体装置および当該半導体装置の作製方法
【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なc軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。
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不揮発性半導体記憶装置の製造方法
【課題】選択ゲートトランジスタのゲート電極間の間隔の縮小を実現する不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板に、複数の第1の素子領域と、素子分離領域と、第2の素子領域を形成する。第1の素子領域上に、メモリセルゲート電極、2本の選択ゲート電極を形成し、第2の素子領域に周辺ゲート電極を形成する。第1の絶縁膜を形成し、周辺ゲート電極の側壁部上が開口される第1のレジストパターンを形成し、第1のエッチング処理を行い、側壁絶縁膜を形成する。第2のレジストパターンを形成し、第2のエッチング処理を行い、選択ゲート電極側壁部の第1の絶縁膜を除去する。第2の絶縁膜を堆積し、第3の絶縁膜を堆積する。2本の選択ゲート電極間上が開口される第3のレジストパターンを形成し、第3のエッチングおよび第4のエッチング処理を行い、コンタクトホールを形成する。
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半導体装置
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1のトランジスタ上に設けられた第2のトランジスタと容量素子とを有し、第2のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。第2のトランジスタを、オフセット領域を有する構造とすることで、第2のトランジスタのオフ電流を低減させることができ、長期に記憶を保持可能な半導体装置を提供することができる。
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半導体装置の作製方法
【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。
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半導体装置の作製方法
【課題】信頼性の高い半導体装置及び、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。また、消費電力が低い半導体装置及び消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供する。また、量産性の高い半導体装置及び量産性の高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。
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半導体装置の作製方法
【課題】DCスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供する
ことを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウ
ム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム(GaOxとも表記する)からなる酸化物ターゲットを用いて
、DCスパッタリング法、またはDCパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化
物ターゲットは、GaOxからなり、Xが1.5未満、好ましくは0.01以上0.5以
下、さらに好ましくは0.1以上0.2以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有
し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でス
パッタリングを行う。
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アプリケーション回路及び半導体デバイスの動作方法
【課題】バッテリレス電子タイマに適用される半導体デバイス、及びその動作方法とアプリケーション回路を提供する。
【解決手段】半導体デバイス600は、第1導電型半導体基板と、ゲート誘電層と、フローティングゲート606と、第2導電型ウェル608と、第1導電型ウェル610と、第2導電型ソース拡散層612と、第2導電型ドレイン拡散層614と、第2導電型制御ゲート拡散層616と、を含む。制御ゲート拡散層616、ソース拡散層612及びドレイン614の間の漏れ電流が二重のウェル領域上に印加されるバイアスを調節することにより減少される。
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半導体装置
【課題】緻密で高耐圧な絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を有し、半導体膜上に第1の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜上に導電膜を有し、導電膜上に第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜よりも緻密であり、第1の絶縁膜は、珪素と、酸素と、窒素とを有する。第1の絶縁膜は、希ガスを有し、その膜厚は、1nm以上100nm以下である。このような第1の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能させる。
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半導体素子の製造方法
【課題】400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板100上にZr[C5H4(CH3)]2(CH3)2、Zr[C5H4(CH3)]2(OCH3)CH3及びZr[C5H4(CH2CH3)][N(CH3)(CH2CH3)]3の何れか一つの前駆体を用いて400℃〜500℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜(ZrO2)140を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。
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記憶装置
【課題】高速動作が可能であり、且つ消費電力を低減することが可能な記憶装置、及び該記憶装置を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の入力端子、及び第1の入力端子の入力信号の反転信号が入力される第2の入力端子、並びに第1の信号が出力される第1の出力端子、及び第1の信号の反転信号が出力される第2の出力端子、を有するレベルシフタと、第1の信号が入力される第3の入力端子、及び第1の信号の反転信号が入力される第4の入力端子、並びに第3の出力端子を有する第1のバッファと、第1の信号の反転信号が入力される第5の入力端子、及び第1の信号が入力される第6の入力端子、並びに第4の出力端子を有する第2のバッファと、を有し、第1のバッファの第3の出力端子から出力される信号が、レベルシフタの第1の入力端子に入力され、第2のバッファの第4の出力端子から出力される信号が、レベルシフタの第2の入力端子に入力される。
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記憶回路
【課題】短時間の電源停止により消費電力を抑えることができ、電源再開時において誤動作を引き起こすことなく初期化することのできる信号処理装置の記憶回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】記憶回路に電源が供給されない間は、揮発性記憶部に記憶していたデータ信号を、不揮発性記憶部に保持する。不揮発性記憶部では、オフ電流が極めて小さいトランジスタを用いることによって、容量素子に保持されたデータ信号は長期間にわたり保持する。こうして、不揮発性記憶部は電源の供給が停止した間も論理状態を保持する。また電源停止時に容量素子で保持されたデータ信号は、電源再開時にはリセット回路を導通状態とすることで、誤動作を引き起こすことのない電位にする。
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