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Fターム[5F101BH00]の内容

不揮発性半導体メモリ (42,765) | 製造方法 (5,495)

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【課題】電気的特性の優れた絶縁膜のプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理方法の一形態は、絶縁膜が形成された基板を真空容器内に搬入する工程と、上記真空容器内に供給された処理ガスに300MHz以上2500MHz以下の周波数を有する高周波電力を供給することによりプラズマを生成し、上記プラズマにより、上記絶縁膜を改質する工程と、を含むプラズマ処理方法であって、上記処理ガスは、希ガスと酸素を含む混合ガス、または希ガスと窒素を含む混合ガスであり、上記プラズマは、上記処理ガスが希ガスと酸素を含む混合ガスの場合、上記酸素ガスの流量を1〜1000sccm、上記希ガスの流量を200〜3000sccmとして、上記処理ガスが希ガスと窒素を含むガスの場合、窒素ガスの流量を10〜500sccm、上記希ガスの流量を200〜3000sccmとして生成される。 (もっと読む)


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