【課題】開放端電圧が高い有機光電変換素子を製造しうる高分子化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物。


（１）
〔式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、窒素原子又は＝ＣＨ−を表す。Ｙ^１は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ^１）−又は−ＣＲ^２＝ＣＲ^３−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｗ^１は、シアノ基、ニトロ基、フッ素原子を有する１価の有機基又はフッ素原子を表す。Ｗ^２は、Ｗ^１とは異なる基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】優れたホール輸送性を有する重合体を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される構造単位及び式（２）で表される構造単位を有する重合体。
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【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）及び（２）で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有する高分子化合物。


［式（１）におけるＸ^１１及びＸ^１２並びに式（２）におけるＸ^２１及びＸ^２２は、酸素又はカルコゲン原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】高い電荷の移動度が得られる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物。


［Ａｒ^１及びＡｒ^２は、芳香族炭化水素環、複素環、又は芳香族炭化水素環と複素環との縮合環である。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換シリル基、非置換若しくは置換のカルボキシル基、１価の複素環基、シアノ基又はフッ素原子を示す。］ （もっと読む）

【課題】電子輸送性に優れたｎ型半導体として利用可能であり、しかも溶剤への溶解性にも優れる共役系化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される共役系化合物。［式中、Ｒ^０１及びＲ^０２はアルカン骨格を含む１価の基。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^２１及びＲ^２２は水素原子、ハロゲン原子又は１価の基。Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^２１及びＸ^２２は＝Ｏ，＝Ｓ又は＝ＣＡ_２（Ａは水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示すが、その少なくとも１つは電子吸引性の基。）を示す。Ｚ^１及びＺ^２は−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，−Ｔｅ−，−ＳＯ−等のいずれかの基を示す。Ａｒ^０、Ａｒ^１及びＡｒ^２は芳香族炭化水素基又は複素環基を示す。ｒは１〜６の整数、ｓ及びｔは０〜６の整数を示す。］
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【課題】優れた電子輸送性を有する有機ｎ型半導体として利用可能な新規化合物及び新規重合体の提供。
【解決手段】式（１−１）及び式（１−２）で表される構造単位からなる群より選択される、含窒素縮合環化合物。


［式中、Ａｒ^１は、芳香環を示し、Ｙ^１及びＹ^２のうちいずれか一方は、−Ｃ（＝Ｘ^１）−で表される基を示し、他方は、単結合を示し、Ｙ^３及びＹ^４のうちいずれか一方は、−Ｃ（＝Ｘ^２）−で表される基を示し、他方は、単結合を示し、Ｘ^１及びＸ^２は、酸素原子等を示し、Ｚ^１及びＺ^２は、酸素原子等を示す。］ （もっと読む）

【課題】放熱スペースが短縮された、複数のユニットセルを有する高出力高周波半導体デバイスを提供する
【解決手段】ユニットセルは各々、制御電極２４と、第１及び第２の被制御電極２０，２２とを有する。熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）４０が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分５０に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。ユニットセルの制御電極ならびに第１及び第２の被制御電極は、第１の熱スペーサを横切っている。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高い有機半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】連続的な第一の電極と、多数の孔が形成された絶縁層及び第二の電極と、連続的な有機半導体層と、連続的な第三の電極と、を有する有機半導体素子とする。また、基板に連続的な第一の電極を形成する工程、第一の電極上に荷電微粒子を分散付着させる工程、第一の電極及び前記分散付着した荷電微粒子上に絶縁層及び第二の電極を形成する工程、荷電微粒子を除去する工程、連続した有機半導体層を形成する工程、有機半導体層上に第三の電極を形成する工程、を有する有機半導体素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】高い有機溶媒溶解性を有し、低いエネルギー付与で有機半導体化合物に変換可能な置換基脱離化合物と、これを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表され、エネルギー付与により一般式（Ｉａ）で表される化合物と一般式（II）で表される化合物に変換可能なことを特徴とする置換基脱離化合物。


［式（Ｉ）、（Ｉａ）、（II）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、該ＸおよびＹのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Ｑ_１乃至Ｑ_６は水素原子、ハロゲン原子または、一価の有機基である。］ （もっと読む）

【課題】電荷輸送性、安定性に優れた有機半導体材料として有用な芳香族化合物の提供。
【解決手段】式（１）


［式中、Ａｒ^１１は、芳香環を含む基を示し、Ｘ^１１及びＸ^１２は、式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される基を示す。］で表される芳香族化合物。 （もっと読む）

【課題】高耐圧および高電流のスイッチング動作が可能で、かつ製造が容易なＦＥＴを提供する。
【解決手段】半導体薄体の一の主表面に設けられた、第１導電型のソース領域（1）と、第１導電型のチャネル領域（10）と、チャネル領域を限定する第２導電型の限定領域（5）と、他の主表面に設けられた第１導電型のドレイン領域（3）と、厚さ方向に連続する第１導電型のドリフト領域（4）とを備え、ドリフト領域（4）およびチャネル領域（10）の不純物濃度は、ソース領域（1）、ドレイン領域（3）および限定領域（5）の不純物濃度よりも低く、チャネル領域（10）の不純物濃度はドリフト領域（4）の不純物濃度よりも低い。 （もっと読む）

半導体デバイスおよびそのデバイスを製造する方法が提供される。デバイスは、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、または接合型バリアショットキー（ＪＢＳ）ダイオードまたはＰｉＮダイオードのようなダイオードであり得る。デバイスは、打込みマスクを用いる選択的イオン注入を使用して製造される。デバイスは、打込みマスクからの通常の入射イオンの散乱によって形成された打込み側壁を有する。長いチャネル長の縦型接合型電界効果トランジスタが記載される。デバイスは、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）のようなワイドバンドギャップ半導体材料から製造されることができ、高温および高出力の用途において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む半導体構造体（１００）及びデバイスと、その製造方法を提供すること。
【解決手段】構造体（１００）及びデバイスは、ベース又はシールド層（１１６）、チャネル（１１８）及び表面層（１２０）を備え、望ましくはすべてイオン注入によって形成される。その結果として本明細書に示す構造体及びデバイスは、ハードな「ノーマリオフ」デバイスであり、即ち約３Ｖ超の閾値電圧を示す。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆するＳｉＯ_２と、（３）該ＳｉＯ_２に接して積層された導電性材料と、（４）該ＳｉＯ_２と該導電性材料との積層体で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）ＧａＮ層上にＧａＡｌＮを積層した構造である第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、（３）該導電性材料で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の窒化物半導体層からのマグネシウムの拡散を防止するとともに良好なノーマリオフ特性を確保することができる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置１００は、ｎチャネル型の縦型のＨＥＭＴである。窒化物半導体装置１００は、ｎ型の第３窒化物半導体層４の表面の一部にマグネシウムが含有されているｐ型の第１窒化物半導体層６ａ、６ｂを備えている。第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。Ａｌ含有領域８ａ、８ｂはマグネシウムの拡散を防止する。また、Ａｌ含有領域８ａ、８ｂの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】雰囲気安定性、高ＯＮ／ＯＦＦ比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


（Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す） （もっと読む）