【課題】簡単なプロセスにより低コストで製造することができ、基板選択性も高く、常温を含むより高温で動作可能でしかもノイズにも強い負性抵抗素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成し、その上にＺｎＯなどの酸化物半導体から成る複数のナノドット１３ａが一面内において二重ショットキー障壁１３ｂを介して互いに接合した多重ナノドット構造体１３を形成し、その上にソース電極１４およびドレイン電極１５を形成することにより、ＭＯＳＦＥＴ構造のトンネル負性抵抗素子を構成する。ナノドット１３ａの径は６０ｎｍ以下または２０ｎｍ以下にする。このトンネル負性抵抗素子を単電子トランジスタ、単電子ポンプ、単電子メモリなどとして用いる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成可能であり、かつ、負性微分抵抗を顕著に発現し得る共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子を実現する。
【解決手段】本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。エネルギー障壁は熱酸化膜２であり、かつ量子井戸は金属ナノ粒子３である。負イオン注入によって、熱酸化膜２中に金属ナノ粒子３を形成する。 （もっと読む）